一种集群磁流变-化学机械复合抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是一种集群磁流变-化学机械复合抛光装置。包括机架、工件安装旋转装置、抛光装置和循环装置，工件安装旋转装置包括晶片贴盘、电主轴、夹具、Z向驱动装置，电主轴与Z向驱动装置连接，并与机架的垂直导轨匹配，晶片贴盘通过夹具安装在电主轴的下端，抛光装置包括X向运动平台、Y向运动平台、抛光盘，Y向运动平台安装在机架上，X向运动平台安装在Y向运动平台上，抛光盘安装在X向运动平台上，抛光盘与抛光盘驱动装置连接，循环装置中的电泵抽取抛光液通过循环管输送至抛光盘的工作面。本实用新型专利技术将集群磁流变抛光的高效率、柔性化、可控性与化学机械抛光的低损伤、低表面粗糙度等特性相结合，对晶片表面进行高效低损伤抛光。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种集群磁流变-化学机械复合抛光装置，特别涉及针对单晶SiC及其它超薄硬脆半导体材料的化学机械-集群磁流变复合抛光抛光装置，属抛光设备领域。
技术介绍
碳化硅(SiC)单晶片作为第三代宽带隙半导体材料的核心，具有禁带宽度大、热 导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高和相对介电常数低等特点。因而被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件。特别在极端条件和恶劣环境下应用，SiC器件的特性远远超过了 Si器件和GaAs器件。利用它宽禁带的特点还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光电探测器件。另外，SiC由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、耐热冲击性、高的比刚度和化学稳定性，越来越广泛的应用于空间光学系统和激光元器件中。因此，SiC是微电子、电力电子和光电子等高新技术进入21世纪后赖以持续发展的重要半导体材料之一。SiC的应用要求单晶表面超光滑、无缺陷、无损伤。SiC的加工质量和精度优劣，直接影响到其器件的性能。比如当晶片表面有微小的划痕、凹坑、桔皮、颗粒、裂纹等缺陷时，会遗传给外延生长膜而成为器件的致命缺陷。但是SiC的硬度仅次于金刚石，其莫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集群磁流变？化学机械复合抛光装置，其特征在于包括有机架（1）、工件安装旋转装置、抛光装置和循环装置，其中工件安装旋转装置包括有晶片贴盘（10）、电主轴（11）、夹具（12）、Z向驱动装置，其中电主轴（11）与Z向驱动装置连接，并与机架（1）的垂直导轨匹配，晶片贴盘（10）通过夹具（12）安装在电主轴（11）的下端，抛光装置包括有X向运动平台（4）、Y向运动平台（2）、抛光盘（8），其中Y向运动平台（2）直接安装在机架（1）上，X向运动平台（4）安装在Y向运动平台（2）上，X向运动平台（4）与X向驱动装置连接，Y向运动平台（2）与Y向驱动装置连接，抛光盘（8）安装在X向运动平台（4）上，且抛...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：路家斌，祝江亭，潘继生，阎秋生，高伟强，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：实用新型
国别省市：