用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物制造技术

本发明专利技术涉及包含一个或多个式(I)的（重复）单元的聚合物或式(II)或(III)的聚合物及其作为有机器件中的有机半导体的用途，尤其是用于有机光伏器件(太阳能电池)及光电二极管或用于含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中。本发明专利技术聚合物在有机溶剂中具有优良溶解性且具有优良成膜性能。此外，在本发明专利技术聚合物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可观察到高能量转换效率、优良场效应迁移率、良好开/关电流比和/或优良稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 本专利技术涉及包含一个或多个式权利要求1.一种包含一个或多个式2.如权利要求I的聚合物，其中Ar1和Ar1 !彼此独立地为3.如权利要求1或2中任一项的聚合物， 其中A为下式的基团4.如权利要求1-3中任一项的聚合物，其中B、D和E彼此独立地为下式的基团5.如权利要求I的聚合物，其包含下式的重复单元6.如权利要求I的聚合物，其为包含下式的重复单元的聚合物7.如权利要求I的聚合物，其包含下式的重复单元8.如权利要求I的聚合物，其为下式的聚合物9.一种有机半导体材料、层或组件，包含如权利要求1-8中任一项的聚合物。10.一种半导体器件，包含如权利要求1-8中任一项的聚合物或如权利要求9的有机半导体材料、层或组件。11.如权利要求10的半导体器件，其为有机光伏(PV)器件(太阳能电池)、光电二极管或有机场效应晶体管。12.如权利要求10的半导体器件，其中该PV器件依次包含 (a)阴极(电极)， (b)任选的过渡层，例如碱金属卤化物，尤其是氟化锂， (c)光活性层， (d)任选的平滑层， (e)阳极(电极)，和 (f)基材。13.—种制备有机半导体器件的方法，该方法包含将有机溶剂中的如权利要求1-8中任一项的聚合物的溶液和/或分散体施加至合适基材上，并去除该溶剂。14.如权利要求1-8中任一项的聚合物或如权利要求9的有机半导体材料、层或组件在PV器件、光电二极管或有机场效应晶体管中的用途。15.一种下式的化合物全文摘要本专利技术涉及包含一个或多个式(I)的(重复)单元的聚合物或式(II)或(III)的聚合物及其作为有机器件中的有机半导体的用途，尤其是用于有机光伏器件(太阳能电池)及光电二极管或用于含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中。本专利技术聚合物在有机溶剂中具有优良溶解性且具有优良成膜性能。此外，在本专利技术聚合物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可观察到高能量转换效率、优良场效应迁移率、良好开/关电流比和/或优良稳定性。文档编号C08G61/12GK102892807SQ201180024634 公开日2013年1月23日 申请日期2011年5月16日 优先权日2010年5月19日专利技术者P·哈约兹, M·迪格利, N·舍博塔莱瓦, O·F·埃比谢尔 申请人:巴斯夫欧洲公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·哈约兹，M·迪格利，N·舍博塔莱瓦，O·F·埃比谢尔，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：