【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于太阳能电池制造工艺
技术介绍
能源和环境问题是近十几年来世界关注的焦点，“节能减排、可持续发展”已是当今世界的共识和发展趋势。我国已把“节能减排、安全环保、发展循环经济、推广低碳技术”作为“十二五”期间能源利用与发展的重点方向和目标。我国从1958年开始研制太阳能电池到现在已有50多年的历史，现在已有多种材料的太阳电池已进入产业化，使用最广泛的还是晶体硅太阳能电池，但是由于晶体硅太阳能电池的原材料使用量非常大并且多晶硅的生产耗能高、污染严重。目前国家比较重视薄膜太阳能电池的开发与应用。半导体薄膜pn异质结技术的出现使得太阳能电池的生产更经济、材料更节约，薄膜太阳能电池的主要材料是具有直接带隙和高吸收系数的半导体材料，这种薄膜太阳能电池主要有n-CdS/p-CdTe和n_CdS/p-CuInSe2异质结薄膜太阳能电池。薄膜太阳能电池最大的优势是可以减少材料使用量和大幅度降低材料成本。化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜在现代高科技领域具有十分广阔的应用前景，金刚石薄膜的制备与应用也早已成为国内外材料科学研究的热点之一。金刚石具有许多独特的...
【技术保护点】
一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述薄膜电池结构为：硅衬底/p型金刚石薄膜/n型CdTe薄膜三层结构，该方法具有以下步骤：a.？p型金刚石薄膜表面预处理：采用硅衬底/p型金刚石薄膜作为薄膜电池的p型窗口层，采用丙酮超声清洗5~15min，以去除金刚石薄膜表面的油脂，然后去离子水超声清洗10~20min去除表面杂质；b.？p型金刚石薄膜表面改性与修饰：将预处理好的p型金刚石薄膜窗口层放入紫外臭氧清洗机中进行表面改性与修饰，改变金刚石薄膜界面处的带隙和界面态，以降低接触势垒，提高异质薄膜之间的结合力，紫外线波长185nm和254nm，温度50~150℃...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏青峰，史伟民，王林军，黄健，周平生，李杰，袁安东，钱隽，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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