【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用激光加工半导体材料的方法及其应用和装置，尤其是一种利用反射泰钼效应成像的方法及其应用和装置。
技术介绍
当今的光子化技术已渗透各个科技与产业领域，泰钼(Talbot)效应为透射周期性结构样品的自成像效应，故只能用于薄的周期性结构透射样品。传统的透射T albot效应在成像与信息业已有好的应用，但该应用仅局限在周期性结构的薄透射样品中。在硅芯片生产过程中，通过光子加工在硅芯片上形成微结构，而为了确保生产质量，需要对该微结构进行放大与显微监控，而现有技术要实现硅芯片上的微结构的放大与显微监控，需要较为麻烦的操作，而且无法实现在线的放大与显微监控，影响了生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用反射泰钼效应成像的方法及其应用及装置，它可实现不透明的周期结构样品的反射自成像，将其引用在硅基上的光子晶体与波导的光子制备中，能对真空腔中的样品实现在线的反射泰钼成像放大与显微分析，极大的简化了硅基上微结构的放大与显微工序，提高了生产效率，以克服现有技术的不足。本专利技术是这样实现的利用反射泰钼效应成像的方法，用激光束作照明光源，通过光路修整激光...
【技术保护点】
一种利用反射泰铂效应成像的方法，其特征在于：用激光束作照明光源，通过光路修整激光的波形后，对不透明的周期结构样品进行照射，使照射后产生的反射光束在反射泰铂像屏上成像。
【技术特征摘要】
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