高纯度无氧铜的铸造制造技术

本发明专利技术提供了一种制造高纯度并且最好无氧无杂质的铜铸件的方法和装置，该铜铸件基本无孔无杂质并且适于用作溅射对象。该方法包括利用一线圈感应炉（１１）在一被覆盖住的坩埚（１７）内熔融高纯度铜，该坩埚设有还原气体和绝缘体。感应炉和设置在感应炉线圈之间并容纳有熔融铜的坩埚放置在一冷却水套（２３）上方，坩埚持续向下穿过冷却水套（２３）的开口（２７），由此冷却坩埚的下部。在感应炉内保持一减小的热量，以便加热位于线圈内的坩埚上部，并在下部固化铜的上方保持有一层熔融铜。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造例如高纯度铜坯料等高纯度铜铸件的方法，本专利技术尤其涉及一种高纯度无氧铜坯料，该铜坯料基本无孔无杂质并且适于在生产微电子以及其它电子元件的过程中制成溅射对象以通过溅射沉积方法在元件表面沉积一层铜。现有技术的描述铜是一种重要的工业用金属，可用于从电线到屋面的家用和工业用器具的生产等许多应用中。铜因为其高导电性特别适于用作在包括微电子和半导体等电子元件制造过程中形成电路元件的电线。在电子工业尤其是微电子工业，因为需要最大化的导电率以及其它的电子和制造性能，所以铜具有高纯度并且无氧是非常重要的。同样重要的是铜能够很经济地获得，这样电子元件的生产能容易和有效地使用铜来生产电子产品。在一个特别应用中，铜以直径6英寸高10英寸坯料的形式提供给生产商，生产商将该坯料成形为2英寸厚的盘状物。这些盘状物随后用在溅射沉积过程中以便在如晶片或介质表面等电子元件上形成一层铜。通常，坯料是通过被切割成适于用作溅射沉积系统中溅射对象的盘状物，而用于生产微电子元件中。溅射是一种方法，通过该方法，溅射对象(铜)在一真空腔中被喷射，其中阳离子形成铜原子。该铜原子随后被沉积在一同样位于真空腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将高纯度铜制造成高纯度铜铸件的方法，该铜铸件基本无孔无杂质，该方法包括如下步骤：提供一个顶部开口的容器，该容器具有封闭的底部和侧壁，以便熔融和／或在其内容纳铜；为容器供应高纯度铜；如果需要，可熔融铜，在容器内形成熔融铜；以及 冷却容器，使其内的铜在冷却环境下固化，其中容器从底部向上朝着容器顶部而冷却，这样固化的铜和熔融的铜都会同时出现在容器中，而铜从容器底部向上固化并在固化铜的上方持续固化，这样一层熔融铜便保持在已固化和正在固化的铜的上方，直至铜完全固化并形 成铸件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：布拉德利D邦恩，杰弗里伯顿，玛格丽特W斯托布，
申请(专利权)人：阿萨科公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]