【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-IXD的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板,阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。为了能够实现显示的功能,还需要设置公共电极,这样在通电时,在公共电极和像素电极所形成电场的作用下,液晶会发生旋转,以控制光透过率的大小,进而实现显示。 根据电极结构的不同,目前的TFT-IXD可包括AD_SDS(Advanced-SuperDimensional Switching,高级超维场开关)型、IPS (In Plane Switch,横向电场效应)型、TN(Twist Nematic,扭曲向列)型等类型。其中,在AD-SDS型液晶显示器中,公共电极设置在阵列基板上,同一平面内各像素电极的边缘所 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极和公共电极;其特征在于,所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极,所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极,所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置;其中,所述墙形电极透明,所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板,且为平板形,以使得通电时,相邻的所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间产生水平电场。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:谢畅,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。