一种废水处理系统技术方案

一种废水处理系统，包括：水槽；设置在所述水槽中的至少一块电极板，所述电极板与一电极输入端连接；至少一个半导体激发复合装置，所述半导体激发复合装置与另一电极输入端连接，半导体激发复合装置包括半导体反应层，所述半导体反应层设置在所述水槽中；电源，与所述电极输入端及另一电极输入端连接。本实用新型专利技术的废水处理系统，结构简单，系统的制作成本低廉，能降低废水处理的成本。而且适合处理含有各种金属离子的废水，适应性强，并且经处理后的废水不会出现二次污染，符合排放标准。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种水处理装置，尤其涉及一种工业废水处理系统。
技术介绍
随着我国工业产业的蓬勃发展，人民生活水平的不断提高，尤其是对工业产业废水达标排放的要求，越来越严格，甚而，提出要与国际标准接轨。排放的工业废水中的金属离子对环境的影响尤为重要，尽管，目前我国在处理废水的技术方面，有所推新，但究其实质，却仍然离不开理化或生化处理的老、旧，成本高工艺烦锁的落后范畴。现有的废水处理，是将废水引入废水槽，通过净水剂与水中的金属离子中和是净化水质的一种有效而快捷的方法，全世界普通用此方法作为净化水质的重要途径之一。日本、欧美在此方面投入大量资源，研制出各种类型的净化剂。但是使用净化剂进行废水处·理，价格昂贵，适应性窄，采用净水剂的方式可能会产生其他沉淀物，出现二次污染的问题。也可以采用超声波对废水进行处理。采用超声波进行处理时由于受到波长限制，通常反应槽的高度不能超过40cm，这样废水处理量及处理速度受到限制。因此，在环境污染日益严重的现代社会，研制一种新的废水净化装置显得尤为重要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种废水处理系统，结构简单，操作方便，成本低廉，消除废水中的各种金属离子，适应性强，且对环境不会有二次污染。本技术提供的一种废水处理系统，包括水槽；设置在所述水槽中的至少一块电极板，所述电极板与一电极输入端连接；至少一个半导体激发复合装置，所述半导体激发复合装置与另一电极输入端连接，半导体激发复合装置包括半导体反应层，所述半导体反应层设置在所述水槽中；电源，与所述电极输入端及另一电极输入端连接。本技术提供的一种废水处理系统，所述半导体激发复合装置包括，支架，所述半导体反应层设置在所述支架上，电极引脚通过支架与半导体反应层连接，所述电极引脚与所述另一电极输入端接通。本技术提供的一种废水处理系统，包括两块所述电极板，所述电极板之间通过一金属支架连接。本技术提供的一种废水处理系统，所述电极板上设置多个通孔。本技术提供的一种废水处理系统，半导体激发复合装置设置在水槽的侧面。本技术提供的一种废水处理系统，所述水槽的下部设置有进水口，所述水槽的上部设置有出水口。使用本使用新型的废水处理系统，通过在废水处理的水槽中放置电极板，在与电极板连接的电极输入端上施加正极或负极电源，激发废水中的金属最外层的电子，使废水中的金属被激发成带负电的游离电子或带正电的具有空穴的离子，并且与半导体激发复合装置连接的电极输入端上施加与电极板相反的负极或正极的电源，使半导体激发复合装置释放正离子或负离子，用来捕获废水中被激发的金属负电子或填补被激发而产生的金属正离子的空穴。本技术的废水处理系统，结构简单，系统的制作成本低廉，能降低废水处理的成本。而且适合处理含有各种金属离子的废水，适应性强。利用本技术的废水处理系统，通过外加电场使整个系统构成一个回路，再与部分传统工艺相结合，本系统对控制废水中的氧化金属离子(即无机盐)和击毁高分子团的有机物，均具有良好的效果，不会产生二次污染物质，符合排放标准，在环保处理技术方面，其属性是绿色的。附图说明图I为本技术的废水处理系统的结构示意图；图2为本技术的废水处理系统中半导体激发复合装置的结构示意图，其中图2(a)为半导体激发复合装置的主视图，图2 (b)为半导体激发复合装置的俯视图；图3为本技术的废水处理系统中电极板的示意图；图4为金属离子的原子核和核外电子的分布情况；图5为能带示意图；图6为电子激发示意图。具体实施方式以下结合附图，对本技术的废水处理系统做详细描述。如图I所示，为废水处理系统的的结构示意图。废水处理系统包括，水槽I ;电极板2，半导体激发复合装置4，以及电源(未图示)。图I中长方形的水槽I用来容纳待处理的废水，在水槽I的一侧下部设置有进水口 11，在另一侧的上部设置有出水口 12。进水口 11用来将待处理的废水引入水槽I中。出水口 12用来将处理后的水引出水槽I。图I中，水槽I中放置两块电极板2，电极板2之间通过一金属支架9连接，金属支架9通过电极输入端3与电源接通，使得电极板2与电源接通，带有正电或负电。半导体激发复合装置4，用来产生正离子或负离子，俘获被激发的带有负电的金属离子或填补带正电的金属离子的空穴，将在下文中对此做详细描述。图I中所示，半导体激发复合装置4安装在水槽I的侧面，并且与另一电极输入端6连接。如图2所示，为本技术的废水处理系统中半导体激发复合装置的结构示意图。图2 (a)为半导体激发复合装置的主视图，图2 (b)为半导体激发复合装置的俯视图。半导体激发复合装置4包括，圆形的半导体反应层5，支架7，电极引脚8。半导体反应层5被设置在水槽I中，与水槽I中的废水接触。半导体反应层5设置在支架7上，电极引脚8被密闭设置在支架7中，与半导体反应层5连接。通常支架7由塑料制成，用来隔阻废水与电极引脚8接触。以免将半导体激发复合装置4安置到水槽I上时，电极引脚8接触到废水，造成整个系统的短路。电极引脚8通过另一电极输入端6与电源接通，使得半导体反应层5与电源接通，释放正离子或负离子，由正离子俘获废水中带负电的金属电子，或者由负离子填补废水中带正电的金属离子的空穴。如图I所示，在水槽I的侧面安装有多个半导体激发复合装置4，可根据废水成份及排水量的大小，设置半导体激发复合装置4的个数及半导体反应层5的直径尺寸，本实施例中，如图2 (a)所示，半导体反应层5的直径为50mm，个数为30个。半导体反应层5的直径也可以在50mm到IOOmm之间。如图3所示，为电极板2的示意图。电极板2上设置有多个通孔10，本实施例中，通孔10用来使电极板2两侧的废水形成对流，能够更好的电离金属离子，并与半导体反应层5反应，完成废水中金属离子的去除。通孔10的个数及直径尺寸可根据电极板2的尺寸进行确定。半导体激发复合装置4可以安置在水槽I两侧。在废水处理系统中，可以在电极板2上施加正电，在半导体激发复合装置4上施加负电，使半导体激发复合装置4上的半导体反应层5释放负离子，用来填补废水中带正电的金属离子中的空穴，留下带负电的水溶液。同样，在电极板2上施加负电，在半导体激发复合装置4上施加正电，使半导体激发复合装置4上的半导体反应层5释放正离子，用来俘获·废水中带负电的电子，留下带正电的水溶液。当两个废水处理系统并排放置，则可完全消除废水中的金属离子，并使得水溶液不呈现电性。水槽I的大小不作限定。可以串联多个废水处理系统，以使废水得到充分的处理。废水处理系统中，电源要求是低压可调大电流直流电源，具体要求是50伏可调，额定电流> 50A,要求带有过压，过流保护装置，要求是线性电源经过试验，本技术的废水处理系统在高难度，大流量场合下，需配带电离，催化，氧化，爆气，沉淀及增加半导体激发复合装置模块的个数，经处理后，废水中的金属离子(无机盐)和有机物含量的去除率可达到90-95%。下面详细描述本技术的废水处理系统的工作原理。工业排放废水中，金属离子的含量通常非常高，如不对这些金属离子进行处理直接排放，会导致水环境受到严重污染。金属离子通常包括带正电的原子核13以及围绕在原子核周围的带负电的电子14。原子核13和核外电子14的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种废水处理系统，其特征在于，包括：水槽（1）；设置在所述水槽（1）中的至少一块电极板（2），所述电极板（2）与一电极输入端（3）连接；至少一个半导体激发复合装置（4），所述半导体激发复合装置（4）与另一电极输入端（6）连接，半导体激发复合装置（4）包括半导体反应层（5），所述半导体反应层（5）设置在所述水槽（1）中；电源，与所述电极输入端（3）及另一电极输入端（6）连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐绍余，徐仿伟，
申请(专利权)人：上海圣溪源环保技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：