超声波清洗装置以及超声波清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制在对被清洗物进行超声波清洗之后产生清洗不均的超声波清洗装置以及超声波清洗方法。本发明专利技术的一个实施方式的特征在于，超声波清洗装置具备：清洗槽(21)，其用于装入清洗液(23)；第一超声波振子(34a)以及第二超声波振子(34b)，它们向浸渍在所述清洗槽内的清洗液中的被清洗物(22)给予超声波振动；第一超声波振荡器(36)，其向所述第一超声波振子施加高频输出；第二超声波振荡器(37)，其向所述第二超声波振子施加高频输出；以及控制器(38)，其进行控制来使所述第一超声波振荡器以及第二超声波振荡器的至少一方的输出变动，所述超声波清洗装置使从所述第一超声波振子发出的第一超声波与从所述第二超声波振子发出的第二超声波干涉。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对被清洗物进行超声波清洗的超声波清洗装置、以及超声波清洗方法坐寸O
技术介绍
图8是示出现有的超声波清洗槽的剖视图。该超声波清洗槽具有作为被清洗物的晶片I、清洗箱2、清洗液3、石英制的清洗槽4、用于进行清洗箱2的定位的引导件5、超声波辐射板6、安装于辐射板6的超声波振子7、将超声波从辐射板6传递至清洗槽4的介质8、以及设置于清洗箱2的晶片I的支承部 11 (例如参照专利文献I)。在上述现有的超声波清洗装槽中，由于超声波被晶片I的支承部11反射而衰减，因此朝向支承部11的上方传递超声波的比例变小。因此，在晶片I形成支承部11的影子13。该影子13是因超声波在支承部11的影响下没有传递至晶片I而产生的影子。而且，由于超声波没有充分地传递至晶片I的中央部，因此在晶片I的中央部与支承部的影子13之间，清洗结果产生明显的差别。根据此类情况，若想要在支承部的影子13充分地得到清洗的效果，则需要进行长时间地清洗，并且当晶片I中的超声波容易传递时，容易产生损伤。图9是示出现有的超声波清洗装置的示意图。该超声波清洗装置具备由用于对被清洗物W进行清洗的清洗液4填满的清洗槽15 ;使超声波振动传播至清洗液的两个振子111、112 ;以及用于向这些振子施加高频电压的超声波振荡器16、17。两个振子111、112分别安装于辐射板19a、19b。该超声波清洗装置通过扫描两个振子中的至少一个振子的频率来使在清洗液内产生的空泡区域移动并对被清洗物进行清洗(例如参照专利文献2)。在上述现有的超声波清洗装置中，扫描振子的频率具有局限性，由于仅能够扫描有限的频率范围，因此能够移动的空泡区域的范围也受到限制。并且，由于利用偏离共振频率的频率来产生振荡，因此产生声压降低，导致清洗效果的降低。另外，由于该声压降低因频率、振动元件的不同而相应地有所差别，因此难以进行管理。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特许平4-49619号公报(第4图)专利文献2 :日本特开2009-125645号公报(说明书摘要及图I)
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的一个实施方式的课题在于，提供一种能够抑制在对被清洗物进行了超声波清洗之后产生清洗不均的。用于解决问题的方法
本专利技术的一个实施方式的超声波清洗装置的特征在于，所述超声波清洗装置具备清洗槽，其用于装入清洗液；第一超声波振子以及第二超声波振子，它们向浸溃在所述清洗槽内的清洗液中的被清洗物给予超声波振动；第一超声波振荡器，其向所述第一超声波振子施加高频输出；第二超声波振荡器，其向所述第二超声波振子施加高频输出；以及控制器，其进行控制来改变所述第一超声波振荡器以及第二超声波振荡器的至少一方的输出，所述超声波清洗装置使从所述第一超声波振子发出的第一超声波与从所述第二超声波振子发出的第二超声波发生干涉。需要说明的是，所述干涉也包含从斜向干涉的情况。本专利技术的一个实施方式的超声波清洗装置的特征在于，所述超声波清洗装置具备清洗槽，其用于装入清洗液；多个超声波振子，它们向浸溃在所述清洗槽内的清洗液中的被清洗物给予超声波振动；多个超声波振荡器，它们向所述多个超声波振子的每个超声波振子施加高频输出；以及控制器，其进行控制来改变所述多个超声波振荡器中的一个以 上的超声波振荡器的输出，所述超声波清洗装置使从由所述一个以上的超声波振荡器施加了高频输出的超声波振子发出的超声波、与从由所述多个超声波振荡器中的至少一个超声波振荡器施加了闻频输出的超声波振子发出的超声波发生干涉。另外,在本专利技术的一个实施方式中，改变所述一个以上的超声波振荡器的输出的情况也可以是以下的输出变动中的任意一者或多者从0%以上的输出连续地增加至100%以下的输出这样的输出变动、从0%以上的输出呈阶梯状地增加至100%以下的输出这样的输出变动、从100 %以下的输出连续地减少至O %以上的输出这样的输出变动、从100 %以下的输出呈阶梯状地减少至O %以上的输出这样的输出变动、从高于O %的输出瞬间增加至不足100%的输出这样的输出变动、以及从不足100%的输出瞬间减少至高于0%的输出这样的输出变动。另外，在本专利技术的一个实施方式中，所述被清洗物也可以是一个被清洗物或者多个被清洗物。在本专利技术的一个实施方式的超声波清洗方法中，使被清洗物浸溃在清洗槽内的清洗液中，一边利用第一超声波振子向所述被清洗物给予超声波振动、一边利用第二超声波振子向所述被清洗物给予超声波振动，由此对所述被清洗物进行清洗，所述超声波清洗方法的特征在于，一边使从所述第一超声波振子发出的第一超声波与从所述第二超声波振子发出的第二超声波发生干涉，一边改变向所述第一超声波振子以及第二超声波振子的至少一方施加的高频输出。在本专利技术的一个实施方式的超声波清洗方法中，使被清洗物浸溃在清洗槽内的清洗液中，利用多个超声波振子向所述被清洗物给予超声波振动，由此对所述被清洗物进行清洗，所述超声波清洗方法的特征在于，一边使从所述多个超声波振子中的一个以上的超声波振子发出的超声波与从所述多个超声波振子中的至少一个超声波振子发出的超声波发生干涉，一边改变向所述一个以上的超声波振子施加的高频输出。专利技术效果根据本专利技术的一个实施方式，能够提供一种，其能够抑制在对被清洗物进行了超声波清洗之后产生清洗不均。附图说明图I是示出本专利技术的一个实施方式所涉及的超声波清洗装置的结构的概要图。图2㈧ ⑶是示出利用图I所示的控制器28对第一超声波振荡器26以及第二超声波振荡器27各自的输出进行控制的具体例的图。图3是示出本专利技术的一个实施方式的变形例所涉及的清洗槽的结构的概要图。 图4(A)是示意性地示出本专利技术的一个实施方式所涉及的超声波清洗装置的结构的俯视图，图4(B)是图4的㈧所示的清洗槽的剖视图，图4(C)是图4的㈧所示的清洗槽的立体图。图5是示出使用图I所示的超声波清洗装置测量清洗槽内的声压的结果的图。图6是示出使用图I所示的超声波清洗装置测量清洗槽内的气泡分布的结果的图。图7(A)是示出测量再次对被清洗物进行清洗之后的微粒子的分布的结果的图，图7(B)是示出根据图7的(A)所示的测量结果计算微粒子去除率的结果的图。图8是示出现有的超声波清洗槽的剖视图。图9是示出现有的超声波清洗装置的示意图。具体实施例方式以下，使用附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是，本专利技术不局限于以下说明，能够在不脱离本专利技术的主旨及其范围的前提下对其实施方式以及细节进行各种变更，这对于本领域技术人员是显而易见的。因此，不应认为本专利技术局限于以下所示的实施方式的记载内容。(第一实施方式)图I是示出本专利技术的一个实施方式所涉及的超声波清洗装置的结构的概要图。超声波清洗装置具有由清洗液23填满的清洗槽21，该清洗槽21是用于对多个被清洗物22 (例如半导体晶片、微型光盘(compact disc)、玻璃基板、平板显示器(flat paneldisplay)、以及较薄的光盘或者基板等)进行清洗的批量处理槽。在清洗槽21内配置有用于保持被清洗物22的保持部25。清洗槽21具有截面呈V形状的V形底，在该V形底的一侧的底部安装有右侧振子24a (第一超声波振子)，在V形底的另一侧安装有左侧振子24b (第二超声波振子)。由此，能够从两个方向朝被清洗物22照射超声波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻内亨，饭田康夫，安井久一，今关康博，长谷川浩史，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术综合研究所，株式会社海上，
类型：
国别省市：