可变增益放大器电路制造技术

一种可变增益放大器电路(300)，包括第一晶体管(310)和第二晶体管(312)以及附加晶体管(320)。第一晶体管(310)和第二晶体管(312)被布置为共基极晶体管。附加晶体管(320)被配置为提供具有第一晶体管(310)和第二晶体管(312)的跨导线性环的一部分。通过第一晶体管(310)的导电沟道的电流被配置为贡献于可变增益放大器电路电流的输出。该电路(300)被配置为使得通过第二晶体管(312)的导电沟道的电流被复制至附加晶体管(322)。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及可变增益放大器电路领域，并且特别地，虽然非排他地，涉及具有形成为跨导线性环的一部分的两个共基极晶体管的可变增益放大器电路。
技术介绍
已知有利的是使一些可变增益放大器以分 贝线性(dB线性)增益曲线运行。以这种方式，采用对数检测器检测信号电压或 功率的系统反馈回路可以更容易用可变增益放大器实现。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种可变增益放大器电路，包括第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管和第二晶体管被布置为共基极晶体管；和附加晶体管，该附加晶体管被配置为提供具有第一晶体管和第二晶体管的跨导线性环(translinear loop)的一部分；其中，通过第一晶体管的导电沟道的电流被配置为贡献于可变增益放大器电路电流的输出，并且该电路被配置为使得通过第二晶体管的导电沟道的电流被复制至附加晶体管。以这种方式，可以从跨导线性环中抵消通过第二晶体管的可变电流，因为它还存在于附加晶体管中。这可以被认为是补偿第一晶体管和第二晶体管的非理想传递函数的至少一部分，并且使得能够增加dB线性工作范围。从而，这可以带来可以以dB线性工作实现的更高的最大增益值。当通常在采用对数检测器检测信号电压或功率的系统反馈回路中产生控制电压时，dB线性工作可以被认为是有利的。因此，如果增益控制曲线具有等同于dB线性工作的指数形状，则整个回路增益可以是恒定的并且独立于信号电平。可变增益放大器电路可以包括电流舵共射共基放大器(current steeringcascode)，该电流舵共射共基放大器包括第一晶体管和第二晶体管。电流舵共射共基放大器还可以包括第三晶体管。第三晶体管可以被布置为共发射极晶体管。第三晶体管的集电极可以连接至第一晶体管和第二晶体管二者的发射极。共射共基放大器可以被视为共发射极(CE)级和共基极(CB)级晶体管的组合，其中CE级的集电极连接至CB级的发射极。电流舵共射共基放大器可以被视为具有两个CB级而不是一个CB级的共射共基放大器，这两个CB级连接至CE级的集电极。可变增益放大器电路的第一晶体管和第二晶体管可以为电流舵共射共基放大器的两个CB级，第三晶体管可以被视为CE级。CB级的两个基极电压之间的差可以产生CB的集电极电流之间的差。因此，CB基极电压差可以控制CB集电极电流，并且因此控制电流增益。附加晶体管可以被配置为使得电流以与流过第二晶体管的基极-发射极结的电流相反的方式流过附加晶体管的基极-发射极结。以这种方式，通过附加晶体管的电流可以方便地用来抵消通过第二晶体管的电流。该电路可以包括被配置为将通过第二晶体管的导电沟道的电流复制至附加晶体管的导电沟道的任何部件。在一种示例中，该电路还可以包括电流镜，该电流镜被配置为将通过第二晶体管的导电沟道的电流耦合至附加晶体管的导电沟道。在另一种示例中，该电路还可以包括两个电流镜，这两个电流镜被配置为将通过第二晶体管的导电沟道的电流耦合至附加晶体管的导电沟道。采用两个电流镜可以是有利的，因为它使得能够恰当地设置提供至附加晶体管的电流信号的极性。该电路还可以包括电压源，或具有电压输出的电路，具有电压输出的电路被配置为提供控制电压用于设置可变增益放大器电路的增益。该电路还可以包括电流源和提供跨导线性环的一部分的控制晶体管。电流源可以被配置为提供电流至控制晶体管，该电流具有与控制电压成指数关系的值。该电路还可以包括提供跨导线性环的一部分的控制晶体管和另一个晶体管。所述另一个晶体管的导电沟道可以与控制晶体管的导电沟道串联设置。所述另一个晶体管可以被配置为在其基极处接收控制电压，并将电流提供至控制晶体管，该电流具有与控制电压成指数关系的值。所述另一个晶体管可以独立于跨导线性环。可变增益放大器电路可以包括被配置为形成跨导线性环的一部分的一个或多个额外晶体管。设置成具有从基极到发射极围绕跨导线性环流动的电流的晶体管的数量可以等于设置成具有从发射极到基极围绕跨导线性环流动的电流的晶体管的数量。所述晶体管中的一个或多个或全部为双极结型晶体管或处于弱反型的CMOS晶体管。可以提供包括在此公开的任何电路的集成电路。可以提供计算机程序，当在计算机上运行时，该计算机程序使计算机配置包括在此公开的电路、集成电路或装置的任何设备或执行在此公开的任何方法。计算机程序可以为软件实现方式，并且计算机可以被视为任何合适的硬件，作为非限制性示例，包括数字信号处理器、微控制器以及只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)或电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的实现方式。该软件可以为汇编程序。该计算机程序可以设置在计算机可读介质上，该计算机可读介质可以为物理计算机可读介质，如磁盘或存储器装置，或可以实现为瞬态信号。这种瞬态信号可以是网络下载的，包括因特网下载的。附图说明现在参照附图，仅以举例的方式给出说明，在附图中图I说明已知的电流舵共射共基放大器；图2图示说明图I的电路的性能；图3说明根据本专利技术的实施例的可变增益放大器电路；图4图示说明图3的性能；以及图5说明根据本专利技术的另一实施例的可变增益放大器电路。具体实施例方式在此公开的一个或多个实施例涉及可变增益放大器电路，其包括被布置为共基极晶体管的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管可以为电流舵共射共基放大器的一部分。通过第一晶体管的导电沟道的电流被配置为贡献于可变增益放大器电路的输出。该电路还包括被配置为提供具有第一晶体管和第二晶体管的跨导线性环的一部分的附加晶体管。通过第二晶体管的导电沟道的电流可以被复制至附加晶体管，以便可以在跨导线性环中抵消通过第二晶体管的导电沟道的电流，并且与现有技术相比，可以扩展可变增益放大器的dB线性行为范围。图I说明已知的电流舵共射共基放大器，其为具有变增益的放大器。该电流舵共射共基放大器包括3个晶体管第一晶体管QO 106、第二晶体管Ql 108和第三晶体管Q3 104。图I说明类似于以下文献图2中说明的现有技术电路的电路2004年8月出版的“Microwave and Wireless Components Letters, IEEE”(Vol. 14, No. 8)中的文章“A SiGeBICMOS Transmitter Module for IMT2001 Applications”,通过参考将其全部内容结合于此。·信号由电压源V4 102提供并由共发射极晶体管Q3 104放大。晶体管Q3 104由两个共基极级晶体管QO 106和Ql 108加载。晶体管Ql 108的输出馈送至射极跟随器晶体管110 Q2的基极，射极跟随器晶体管110 Q2将输出信号提供至负载电阻器R4 112。晶体管对QO 106和Ql 108用作分流器。通过QO 106和Ql 108的电流的量取决于它们的基极端子之间的电压差。该电压差由电压源V12 114确定，电压源V12 114称为vctrl并连接在QO 106的基极和Ql 108的基极之间。如果vctrl为0V，则来自晶体管Q3104的电流在晶体管QO 106和晶体管Ql 108之间被等分；也就是说，流过晶体管QO 106的导电沟道的电流的量与流过晶体管Ql 108的导电沟道的电流的量相同。如果vctrl为正，则通过晶体管QO 106的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变增益放大器电路(300)，包括：第一晶体管(310)和第二晶体管(312)，其中第一晶体管(310)和第二晶体管(312)被布置为共基极晶体管；和附加晶体管(320)，该附加晶体管(320)被配置为提供具有第一晶体管(310)和第二晶体管(312)的跨导线性环的一部分；其中，通过第一晶体管(310)的导电沟道的电流被配置为贡献于可变增益放大器电路电流的输出，并且该电路(300)被配置为使得通过第二晶体管(312)的导电沟道的电流被复制至附加晶体管(322)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗布·克罗斯切尔，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：