【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及硫化铟薄膜的制备，且特别是涉及一种利用化学浴沉积法(chemical bath deposition)形成硫化铟薄膜的方法。
技术介绍
在薄膜太阳能电池中，缓冲层是相当重要的一部分，其能与吸收层形成p-n接面(p-n junction),帮助电子有效传导,使光能得以充分转换成为电能。 自从1982年波音公司发表了化学浴镀膜法(也称化学浴沉积法，chemical bathdeposition，CBD)，化学浴镀膜法便成为一广为人知的薄膜制备技术。该技术的优点包括容易实施、设备成本低廉、镀膜品质优良等，因此适用于太阳能电池缓冲层的制备。在化学浴镀膜法制程当中，会牵涉到两种成核机制，包括同质成核以及异质成核。异质成核是溶液当中的阴阳离子在异质界面上形成晶核，该晶核经过后续离子继续堆栈的化学反应，成长并在异质界面处形成薄膜。同质成核则为在液体中阴阳离子直接形成晶核，经过后续离子继续堆栈的化学反应之后，在溶液中形成了颗粒状的悬浮物。一般而言，将化学浴镀膜法运用在制备太阳能电池缓冲层材料时，反应主要由氢硫根离子(HS_)以及金属离子反应，形成金属硫化物薄膜沉积于基材上。传统上，由于用以提供氢硫根离子的化学品为硫脲，其必须在碱性环境下与氢氧根(0H_)作用才会将氢硫根离子释放至溶液中，在酸性环境下则会释放硫离子(S2—)，因此以化学浴镀膜法制备缓冲层时一般是在碱性环境下进行。然而，若所使用的金属离子在碱性环境下容易形成不溶性的氢氧化物沉淀，则无法利用化学浴镀膜法来制备所需的金属硫化物薄膜。常见的缓冲层材料为硫化镉(CdS)，但镉为重金属，对人与环境易造...
【技术保护点】
一种硫化铟薄膜的制备方法，包括：提供一含有络合剂、铟离子、以及氢硫根离子的混合溶液；以及将该混合溶液与一基板接触，以于该基板上形成一硫化铟In2S3薄膜；其中该络合剂具有下列化学式：其中，R1及R2各自独立地为氢或羟基。FSA00000561006200011.tif
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗鑫，王雨筠，盛焙荪，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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