气体供应装置及其连接件制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种气体供应装置及其连接件，该连接件适于连接于第一管路的第一端部与第二管路的第二端部之间，连接件包括底部与多个从底部朝第二端部延伸出的定位壁。底部连接于第一端部与第二端部之间，而第二端部更抵靠于这些定位壁。底部更具有贯孔以连通第一管路与第二管路。此连接件具有组装容易，且可降低漏气的优点。本实用新型专利技术另提出一种使用此连接件的气体供应装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种连接件，且特别是涉及一种用于连接气体管路的连接件及具有此连接件的气体供应装置。
技术介绍
随着科技日新月异的发展，半导体元件、显示装置或其他电子元件等于制作エ艺上都有了稳固的基础。在制造过程中，利用各种气体于清洁基板表面、离子注入、蚀刻等制作エ艺已是现有的技术手段。在这些制作エ艺中，通常都需要多个气体源以及多个管路等构件。这些管路是用于将气体源提供的气体导入反应腔室。在将不同气体源提供的气体导入反应腔室的过程中往往需使气体汇流,因此需要有连接件来接合不同的管路。连接件除了必须能够稳定的接合管路以防止漏气以外，还需避免因安装错误而影 响管路间的气体流量。而且，由于连接件常使用在高温及充满腐蚀性气体的环境下，故对于产品可靠度的要求也相对较为严苛。因此，连接件必须有良好的设计，进而满足各种需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供ー种气体供应装置，其具有管路易于彼此连接的优点。本技术另ー目的在于提供一种连接件，以便于连接气体供应装置的两管路。为达上述目的，本技术提出ー种气体供应装置，适于设置在腔室的腔室壁，以将多个气体源所供应的气体导引至腔室内。气体供应装置包括第一管路、第二管路以及连接件。第一管路连通这些气体源其中之一，第一管路的第一端部具有第一流道ロ、第二流道ロ、面向腔室内的第一表面与连接第一表面的第二表面，第一流道ロ位于第一表面，而第二流道ロ位于第二表面。第二管路连通这些气体源其中另一，第二管路的第二端部具有第三流道ロ与面向第二表面的第三表面，第三流道ロ位于第三表面。连接件连接于第一端部与第二端部之间，连接件包括底部与多个从底部朝第二端部延伸出的定位壁，底部连接于第ニ表面与第三表面之间，而第二端部更抵靠于这些定位壁，底部更具有贯孔以连通第二流道ロ与第三流道ロ。在本技术一实施例中，上述连接件的材质为绝缘材质，第一管路与第二管路的材质为金属材质。在本技术一实施例中，上述连接件的底部呈矩形，而这些定位壁连接于底部的三个侧边。在本技术一实施例中，上述这些定位壁包括彼此平行的第一壁与第二壁以及垂直于第一壁与第二壁的第三壁，第一壁与第二壁分别具有邻接第三壁的缺ロ。在本技术一实施例中，上述贯孔的几何中心偏离上述矩形的几何中心。在本技术一实施例中，上述连接件的底部的多个角落分别设有贯穿底部的第ー锁孔，第二管路的第二端部设有多个对应这些第一锁孔且贯穿第二端部的第二锁孔，而第一管路的第二表面设有多个对应这些第一锁孔的第三锁孔。气体供应装置还包括多个锁固件，每ー锁固件穿过对应的第二锁孔与对应的第一锁孔并锁固于对应的第三锁孔内。在本技术一实施例中，气体供应装置更包括基座以及气体喷头。基座设置在腔室壁，气体喷头设置在基座上，而第一管路的第一表面连接气体喷头。在本技术一实施例中，气体供应装置更包括射频源，连接于第一管路所连通的气体源与第一管路之间。本技术另提出一种连接件，适于连接于第一管路的第一端部与第二管路的第ニ端部之间。此连接件包括底部与多个从底部朝第二端部延伸出的定位壁。底部连接于第一端部与第二端部之间，而第二端部更抵靠于这些定位壁，底部更具有贯孔以连通第一管路与第二管路。在本技术一实施例中，该底部呈矩形，而该些定位壁连接于该底部的三个侧边。在本技术一实施例中，该些定位壁包括彼此平行的第一壁与第二壁以及垂直于该第一壁与该第二壁的第三壁，该第一壁与该第二壁分别具有邻接该第三壁的缺ロ。在本技术一实施例中，该贯孔的几何中心偏离该矩形的几何中心。在本技术一实施例中，该连接件的材质为绝缘材质。本技术的优点在干，由于连接件具有定位壁，在第一管路与第二管路由连接件接合时，第二管路的第二端部直接抵靠这些定位壁即可完成第二管路与连接件的对位，因此第二管路与连接件于组装时可简单且精确定位。此外，本技术的气体供应装置因使用此连接件，所以具有管路易于彼此连接的优点。为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明图I为清洁半导体表面的仪器及本技术的气体供应装置的剖面示意图；图2A为本技术ー实施例的气体供应装置的立体示意图；图2B为图2A中第一管路与第二管路接合部位的剖面示意图；图3A为图2A的连接件的正视示意图；图3B为图2A的连接件的立体示意图。主要元件符号说明C :腔室CW:腔室壁Cl:贯孔的几何中心C2:矩形的几何中心G :气体Gl :第一气体G2 :第二气体SI :第一气体源100 :气体供应装置110:第一管路111 :第一端部112:第一流道 ロ113:第二流道 ロ114 :第一表面115:第二表面116:第三锁孔120 :第二管路 121 :第二端部122:第三流道ロ123 :第三表面124 :侧壁125 :第二锁孔130 :连接件131 :底部132:定位壁133 :贯孔134 :侧边135 :第一壁136 :第二壁137 :第三壁138:缺ロ139 :第一锁孔140 :分流件142、144:端部143 :孔洞150 :锁固件160 :基座170 :气体喷头180 :射频源具体实施方式本实施例的气体供应装置可用于离子注入(Ion implantation)、等离子体蚀刻(Plasma etching)、或清洁半导体表面等制作エ艺,本技术并不限定气体供应装置所能应用的制作エ艺。图I为本技术ー实施例的气体供应装置装设于腔室的示意图。请參照图I，气体供应装置100设置在腔室C的腔室壁，如顶壁CW，以将多个气体源(图未示)所供应的气体G导引至腔室C内。以下将更详细说明气体供应装置100的结构。图2A为图I的气体供应装置的立体示意图。请參照图2A，气体供应装置100包括第一管路110、第二管路120用于连接第一管路110与第二管路120的连接件130。图2A是以两组第一管路110、第二管路120与连接件130的组合结构为例，但本技术并不限定气体供应装置100的第一管路110、第二管路120及连接件130的数量，第一管路110、第ニ管路120及连接件130的数量可分别为ー个或多于两个。每ー第一管路110例如连接至对应气体源SI。此外，本实施例的气体供应装置100例如更包括分流件140，其一端部142用以连接至两个第二管路120并具有用以与第二管路120相通的孔洞143，另一端部144用以连接至另ー个气体源(图未示)，以将此气体源提供的气体G2经由端部142的孔洞143分流至两第二管路120内。第一管路110与第二管路120所连接的气体源的种类需视实际制作エ艺需求而定，在此并不详加说明。图2B为图2A中第一管路与第二管路接合部位的剖面示意图。请參照图2A与图2B,第一管路110连通气体源SI,以导引气体源SI提供的气体G1。第一管路11 0的第一端部111具有第一流道ロ 112、第二流道ロ 113、面向腔室内的第一表面114与连接第一表面114的第二表面115。第一流道ロ 112位于第一表面114,而第二流道ロ 113位于第二表面115。第二管路120用以导引另ー气体源(图未示)提供的气体G2。第二管路120的第二端部121具有第三流道ロ 122与面向第一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体供应装置，适于设置在一腔室的腔室壁，以将多个气体源所供应的气体导引至该腔室内，其特征在于，该气体供应装置包括：第一管路，连通该些气体源其中之一，该第一管路的第一端部具有第一流道口、第二流道口、面向该腔室内的第一表面与连接该第一表面的第二表面，该第一流道口位于该第一表面，而该第二流道口位于该第二表面；第二管路，连通该些气体源其中另一，该第二管路的第二端部具有第三流道口与面向该第二表面的第三表面，该第三流道口位于第三表面；以及连接件，连接于该第一端部与该第二端部之间，该连接件包括底部与多个从该底部朝该第二端部延伸出的定位壁，该底部连接于该第二表面与该第三表面之间，而该第二端部还抵靠于该些定位壁，该底部还具有贯孔，以连通该第二流道口与该第三流道口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张英毅，郑国鸣，许晋源，郭坤泰，宋少杰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：