软X射线检测用多晶闪烁器制造技术

本发明专利技术提供一种软X射线检测用多晶闪烁器，其含有作为发光元素的Ce和至少Y、Gd、Al、Ga及O，且具有石榴石结晶构造，具有以下述一般式：(Y1-x-zGdxCez)3+a(Al1-uGau)5-aO12(其中，0≤a≤0.1，0.15≤x≤0.3，0.002≤z≤0.015，及0.35≤u≤0.55)表示的组成，Fe含量以独占比例算为0.05～1质量ppm，Si的含量以独占比例算为0.5～10质量ppm，50keV的X射线的吸收系数μ50与100keV的X射线的吸收系数μ100之比μ50/μ100为3以上，X射线停止后3ms后的余辉为800ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有大的软X射线吸收系数和小的硬X射线吸收系数、且发光强度大但余辉小的软X射线检测用多晶闪烁器。
技术介绍
X射线CT (Computed Tomography)装置具备照射扇状的扇形波束X射线的X射线管以及将检测扇形波束X射线的多个X射线检测元件并排设置的X射线检测器，对每个断 层面检测角度不同的扇形波束X射线，对得到的X射线吸收数据进行电脑解析，由此算出各断层面中的各个位置的X射线吸收率，由此形成各断层面的图像。作为父射线检测器，实用化的检测器是组合了单晶0(1104陶瓷、(￥，6(1)203511、？1'组成的陶瓷，Gd202S:Pr、Ce、F组成的陶瓷(以下称为G0S:Pr)等的闪烁器和硅光电二极管的检测器。在X射线检测器中，闪烁器若吸收X射线则发光，该光由硅光电二极管检测。闪烁器发出与在母材中添加的发光元素所生成的能级相应的波长的光。在其波长为500nm以上的可见光的情况下，硅光电二极管的检测效率好，因此是灵敏度高的X射线检测器。闪烁器所要求的性能是材质均一性高，X射线特性的偏差小,放射线劣化小,相对于温度等环境变化发光特性的变化少，加工性好，加工劣化小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村良平，田中谦弥，上田俊介，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：
国别省市：