本发明专利技术涉及包含至少一种溶剂和至少两种通式（I）官能化合物的制剂，其中A是官能结构单元，B是溶解度促进结构单元，并且k是在1至20范围内的整数，所述官能化合物的分子量至少为550g/mol，并且所述溶解促进结构单元B符合通式（L-I），其中Ar1、Ar2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，该芳基或杂芳基基团可被一个或多个任意基团R取代，X在每一情况下彼此独立地是N或CR2，优选CH，R1和R2各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的取代的酮基基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或所述这些体系的组合，其中一个或多个基团R1和/或R2可以彼此和/或与基团R1键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系；并且I是0、1、2、3或4；其中虚线键表示与官能结构单元A键合的键。此外，本发明专利技术涉及包含所述这些化合物的混合物的电子器件。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造电子器件的制剂。本专利技术还涉及电子器件，并且涉及用于制造所述电子器件的方法。
技术介绍
包含有机、有机金属和/或聚合物半导体的电子器件的重要性正在增加；出于成本的原因并由于它们的性能，它们被用于许多商品中。在此处可以提及的例子是在复印机中的有机基电荷传输材料(例如基于三芳基胺的空穴传输体)，在显示装置中的有机或聚合物发光二极管(0LED或PLED)，或在复印机中的有机光感受器。有机太阳能电池(Ο-SC)、有机场效应晶体管(0-FET)、有机薄膜晶体管(0-TFT)、有机集成电路(0-IC)、有机光放大器和有机激光二极管(Ο-laser)处于高级的开发阶段，并且在将来可以实现主要的重要性。 不考虑特定的应用场合，这些电子器件中的许多种具有以下的一般层结构，可对该层结构进行调整以用于特定的应用场合(I)基底，(2)电极，通常为金属的或无机的，但也可由有机或聚合物导电材料制成，(3) 一个或多个电荷注入层或者一个或多个中间层，例如用于补偿电极的不均匀性(“平面化层”)，其通常由导电的掺杂的聚合物制成，(4)有机半导体，(5)任选另外的电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层，(6)对电极，如在(2)下提及的材料，(7)封装。上述布置代表有机电子器件的一般结构，其中可以组合多个层，在最简单的情况下得到包含两个电极的布置，其中有机层位于所述两个电极之间。在这种情况下，所述有机层实现所有的功能，包括在OLED情况下的发光。例如在WO 90/13148A1中描述了基于聚(对苯撑)的这种类型的体系。然而，在该类型“三层体系”中产生的问题是缺乏对电荷分离的控制，或缺乏优化在不同层中的单个成份的性能的方法，如例如在SMOLED (“小分子0LED”)情况下通过多层结构以简单方式所实现的。小分子OLED通常包含一个或多个有机的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和/或电子注入层和阳极和阴极，其中整个体系通常位于玻璃基底上。这种类型的多层结构的优势在于，可在多个层内分布电荷注入、电荷传输和发光的多种功能，并且可因此单独调整各个层的性能。这种调整能够显著地改进所述电子器件的性能。基于上述小分子即非聚合物的电子器件的缺点是其制造。非聚合物通常通过蒸发技术而转变为电子器件。这代表了主要的成本缺点，特别是对于大面积的器件，因为在多个室中的多步真空法非常昂贵而且必须非常精确地控制。在此价格比较低廉和公知的从溶液中的涂布方法，例如喷墨印刷，气刷方法，滚动条式方法等，会是主要优点。然而，上述包含小分子的器件由于非聚合物在常规溶剂中的低溶解度而通常不能以这种方法制备。尽管通过改性能够改进这些化合物的溶解度，然而获得的电子器件与通过气相沉积获得的器件相比较，显示出降低的性能和寿命。因此，例如，WO 2009/021107A1和WO 2010/006680A1描述了适合于制造电子器件的有机化合物，其中这些化合物既可通过气相沉积又可从溶液中进行加工。然而，通过气相沉积获得的电子器件具有更加有利的性能分布。已知的电子器件具有可用的性能分布。然而，目前正需要改进这些器件的性能。这些性能特别包括电子器件的寿命。其它的问题特别是能量效率，电子器件籍于此以实现既定目的。在可以基于低分子量化合物并且也可以基于聚合物材料的有机发光二极管的情况下，特别是光输出应该高，这意味着消耗尽可能很少的电功率，以实现一定的光通量。此外，为了实现预先规定的发光密度，最低可能的电压同样应该是必要的。另外的目的可被认为是尽可能廉价且质量恒定地提供具有优异性能的电子器件。此外，所述电子器件应该能够用于或适合于多种用途。特别是，在很宽的温度范围之内所述电子器件的性能应该保持。
技术实现思路
令人惊讶地已经发现，这些和其它没有明确提及但能够从此处介绍中讨论的相关内容容易地获得或推断的目的，通过具有专利权利要求I的所有特征的制剂而实现。在从属于权利要求I的权利要求中保护本专利技术制剂的有利的改变。因此，本专利技术涉及如下的制剂，其包含至少一种溶剂和至少两种不同的通式(I)官能化合物，权利要求1.制剂，其包含至少一种溶剂和至少两种不同的通式(I)官能化合物，2.根据权利要求I所述的制剂，其特征在于至少一种通式(I)的官能化合物包含通式(L-II)的溶解度促进结构单元B3.根据权利要求I或2所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是可作为主体材料的单元。4.根据权利要求I至3中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是具有空穴注入和/或空穴传输性能的单元。5.根据权利要求I至4中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是具有电子注入和/或电子传输性能的单元。6.根据权利要求I至5中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是具有发光性能的单元。7.根据权利要求6所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是具有磷光性能的单元。8.根据权利要求6或7所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是包含至少一个原子序数大于36的重原子的单元。9.根据权利要求I至8中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是改进发光化合物从单重态到三重态的跃迁的单元。10.根据权利要求I至9中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是具有发光性能的单元，和包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中官能结构单元A是可作为主体材料的单元。11.根据权利要求I至10中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少两种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，在通式(I)中的官能结构单元A是可作为主体材料的单元。12.根据权利要求I至11中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，在所述官能化合物中，通式(I)中的官能结构单元A是可作为主体材料的单元，其中所述官能结构单元A具有至少一个氮原子。13.根据权利要求I至12中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少一种如下的官能化合物，该官能化合物不包含通式(L-I)的溶解度促进结构单元B。14.根据权利要求I至13中的一项或多项所述的制剂，其特征在于在不包含通式(L-I)溶解度促进结构单元B的制剂中的官能化合物的比例至多为基于所述官能化合物的总重量计的50重量％。15.根据权利要求I至14中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂包含至少80重量％的芳族或杂芳族溶剂。16.根据权利要求I至15中的一项或多项所述的制剂，其特征在于在通式(I)中的标记k是大于或等于2的整数。17.根据权利要求I至16中的一项或多项所述的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷米·马努克·安米安，苏珊·霍伊恩，托马斯·埃伯利，菲利普·施特塞尔，奥雷莉·吕德曼，迪特马尔·孔克尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：
国别省市：
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