制剂和电子器件制造技术

本发明专利技术涉及包含至少一种溶剂和至少两种通式（I）官能化合物的制剂，其中A是官能结构单元，B是溶解度促进结构单元，并且k是在1至20范围内的整数，所述官能化合物的分子量至少为550g/mol，并且所述溶解促进结构单元B符合通式（L-I），其中Ar1、Ar2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，该芳基或杂芳基基团可被一个或多个任意基团R取代，X在每一情况下彼此独立地是N或CR2，优选CH，R1和R2各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团或具有1至40个C原子的取代的酮基基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN），氨基甲酰基基团（-C(=O)NH2），卤甲酰基基团（-C(=O)-X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=O)-H），异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或所述这些体系的组合，其中一个或多个基团R1和/或R2可以彼此和/或与基团R1键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系；并且I是0、1、2、3或4；其中虚线键表示与官能结构单元A键合的键。此外，本发明专利技术涉及包含所述这些化合物的混合物的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造电子器件的制剂。本专利技术还涉及电子器件，并且涉及用于制造所述电子器件的方法。
技术介绍
包含有机、有机金属和/或聚合物半导体的电子器件的重要性正在增加；出于成本的原因并由于它们的性能，它们被用于许多商品中。在此处可以提及的例子是在复印机中的有机基电荷传输材料(例如基于三芳基胺的空穴传输体)，在显示装置中的有机或聚合物发光二极管(0LED或PLED)，或在复印机中的有机光感受器。有机太阳能电池(Ο-SC)、有机场效应晶体管(0-FET)、有机薄膜晶体管(0-TFT)、有机集成电路(0-IC)、有机光放大器和有机激光二极管(Ο-laser)处于高级的开发阶段，并且在将来可以实现主要的重要性。 不考虑特定的应用场合，这些电子器件中的许多种具有以下的一般层结构，可对该层结构进行调整以用于特定的应用场合(I)基底，(2)电极，通常为金属的或无机的，但也可由有机或聚合物导电材料制成，(3) 一个或多个电荷注入层或者一个或多个中间层，例如用于补偿电极的不均匀性(“平面化层”)，其通常由导电的掺杂的聚合物制成，(4)有机半导体，(5)任选另外的电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷米·马努克·安米安，苏珊·霍伊恩，托马斯·埃伯利，菲利普·施特塞尔，奥雷莉·吕德曼，迪特马尔·孔克尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：
国别省市：