一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置制造方法及图纸

一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置，属于动态无功功率补偿技术领域。包括电力系统、MCR本体、IGBT直流励磁控制电路、快速去磁电路；MCR本体的上下两输入输出端接入电力系统；MCR本体中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1?和L2、L3和L4，四组线圈为交叉并联结构，从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头，左边铁芯上下两抽头之间连接第一IGBT直流励磁控制电路，右边铁芯上下两抽头之间连接第二IGBT直流励磁控制电路；四组线圈的交叉连接点之间接有快速去磁电路。优点在于：无需增加专门的快速励磁控制电路，只需控制IGBT触发脉冲的占空比即可实现快速励磁。即保留了MCR无功功率连续可调，工作安全稳定，又极大地提高了MCR的响应速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于动态无功功率补偿
，提供了一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置，能够使磁阀式可控电抗器更好地应用于电力系统中对响应速度要求严格的场口 O
技术介绍
磁阀式可控电抗器(Magnetically Controlled Reactor,以下简称为MCR)以其无级可调、工作稳定可靠的优点，在电力系统中已经得到广泛的应用。其中单相MCR主要用于 电气化铁道动态无功补偿、消弧线圈；三相MCR可以用于大型电机软启动、电力系统电压控制及其无功补偿等领域。然而，由于MCR的特殊结构，使得其响应速度与抽头比δ有关，响应时间通常在几十到几百毫秒。特别是对于大容量的MCR而言，其抽头比δ通常很小，使得其响应时间更是达到了 O. 19 O. 66S。与其他静止无功补偿装置相比，响应速度较慢，大大限制了其应用的场合，因而提高MCR的响应时间便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置。它基于IGBT的PWM控制技术实现MCR输出感性无功功率的连续调节并可实现快速励磁；基于大功率电阻和IGBT串联构成的电路实现MCR的快速去磁。它无需增加专门的快本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置，其特征在于，包括电力系统（1）、MCR本体（2）、IGBT直流励磁控制电路、快速去磁电路（5）；MCR本体（2）的上下两输入输出端接入电力系统（1）；MCR本体（2）中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1？和L2、L3和L4，四组线圈为交叉并联结构，从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头，左边铁芯上下两抽头之间连接第一IGBT直流励磁控制电路（3），右边铁芯上下两抽头之间连接第二IGBT直流励磁控制电路（4）；四组线圈的交叉连接点之间接有快速去磁电路（5）；快速去磁电路（5）由续流二极管D8串联IGBT4，并在IGBT4两端反并联起保护作用的二极管D...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹忠东，刘海鹏，赵士硕，李和明，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：