透明电极制作方法、掩膜板以及设备技术

技术编号:8190506 阅读:175 留言:0更新日期:2013-01-10 01:31
本发明专利技术公开了一种透明电极制作方法、掩膜板以及设备。所述方法包括如下步骤:在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻;透过掩膜板对光阻进行曝光,其中,掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域,第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距,第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距,并且,第一间距大于相应的预定间距,第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差;对曝光后的玻璃基板进行显影、刻蚀以在玻璃基板上形成透明电极。通过上述方式,本发明专利技术能够使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少,从而提高显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别是涉及ー种透明电极制作方法、掩膜板以及设备
技术介绍
现今,液晶显示器的基板的透明电极的制作エ艺,是先在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻,然后,透过掩膜板对光阻进行曝光。由于掩膜板的遮挡作用,掩膜板的图案所对应的部分将不会被曝光,在随后的显影过程中,被曝光的光阻将被显影液清洗掉,而在刻蚀过程中,有光阻保护的薄膜将保留下来,形成透明电极的图案。但是,參阅图I,在基板中,透明电极主要分布在显示区域110 (AA,Active Area),因而,显示区域110所需保留的薄膜多于非显示区域120所需保留的薄膜。因此,在显影过程中,非显示区域120的显影液消耗得比显示区域110多,使得非显示区域120的显影液的浓度低于显示区域110的显影液的浓度。而且,经过扩散作用(如图中箭头所示低浓度扩散方向),使得与非显示区域120相接的显示区域110的边缘区域的显影液的浓度低于远离非显示区域120的显示区域110的中心区域的显影液的浓度,从而导致边缘区域的光阻图形的间距小于中心区域的光阻图形的间距。同样的情况也发生在刻蚀过程中,从而导致显示区域110的边缘区域的透明电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明电极制作方法,其特征在于,包括如下步骤:在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻;透过掩膜板对所述光阻进行曝光,其中,所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域,所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距,所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距,并且,第一间距大于相应的预定间距,第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差;对曝光后的所述玻璃基板进行显影、刻蚀以在所述玻璃基板上形成透明电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈政鸿王醉
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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