【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及振荡电路，特别涉及振荡频率偏移检测方法以及电路。
技术介绍
图I示出了晶体振荡器(oscillating crystal)的输出振荡频率和温度关系的示意图。在不同的温度下，晶体振荡器所输出的振荡频率会有偏移的现象。这样的曲线会呈现S形，也通称为S曲线。这样的振荡频率偏移会对电子装置造成很大的影响。一种补偿方法为采用温度补偿型(Temperature Compensated)晶体振荡器以改善这个问题,但温度补偿型晶体振荡器的价格相较于一般晶体振荡器相当高。而另一种补偿方法为预先得知S曲线，然后使用另一个晶体振荡器来对其作补偿。然而，这需要相当繁琐的控制机制。
技术实现思路
本专利技术的一目的为提供一种振荡频率偏移检测电路与方法，以解决上述的问题。本专利技术的一目的为提供一种振荡频率偏移检测电路与方法，在无繁琐的控制机制的状况下来补偿振荡频率偏移。本专利技术的一实施例披露了一种检测一晶体振荡器的振荡频率偏移的检测方法，包含接收一振荡信号，其中该振荡信号由一晶体振荡器所产生，该振荡信号具有一振荡频率；根据该振荡信号来产生一自混合信号；求出该自混合信号的振荡...
【技术保护点】
一种振荡频率偏移检测方法，包含：接收一振荡信号，其中，所述振荡信号由一晶体振荡器所产生，所述振荡信号具有一振荡频率；根据所述振荡信号来产生一自混合信号；求出所述自混合信号的振荡一特定频率范围内的最大能量的一自混合频率；以及根据所述振荡频率以及该最大能量的自混合频率，来计算出该振荡频率的频率偏移量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄铭崇，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。