一种铈掺杂硼酸钇铝发光材料，其化学式为YAl3(BO3)4:xCe3+，其中0.0024≤x≤0.073。该铈掺杂硼酸钇铝发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在535nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铈掺杂硼酸钇铝发光材料的制备方法铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种铈掺杂硼酸钇铝发光材料、其制备方法、铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。背景技木薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、エ序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。硼酸盐是稀土离子发光一类很好的基质材料，但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铈掺杂硼酸钇铝发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供ー种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂硼酸钇铝发光材料、其制备方法、铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜、其制备方法及使用该铈掺杂硼酸钇铝发光材料的薄膜电致发光器件。ー种铈掺杂硼酸钇铝发光材料，其化学式为YAl3 (BO3)4: xCe3+，其中O. 0024 ^ X ^ O. 073。在优选的实施例中，X为O. 017。—种铈掺杂硼酸钇铝发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤一、根据YAl3(BO3)4IxCe3+各元素的化学计量比称取Y2O3, Al2O3, B2O3和CeO2粉体并混合均匀，其中O. 0024 ^ X ^ O. 073 ;步骤ニ、将混合均匀的粉体在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时即得到所述铈掺杂硼酸钇铝发光材料。在优选的实施例中，X为O. 017。在优选的实施例中，步骤ニ中将混合均匀的粉体在1250°C下烧结3小时。ー种铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜，该铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜的材料的化学通式为YAl3(BO3)4:xCe3+，其中 YAl3(BO3)4 是基质，Ce 元素是激活元素，O. 0024 ^ x ^ O. 073。在优选的实施例中，X为O. 017。ー种铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜的制备方法，包括以下步骤步骤一、根据YAl3(BO3)4:XCe3+各元素的化学计量比称取Y2O3, Al2O3, B2O3和CeO2粉体并混合均匀在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时制成靶材，其中O. 0024 ^ x ^ O. 073 ;步骤ニ、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为I. 0X10_3Pa I. 0X10_5Pa ;步骤三、调整磁控溅射镀膜エ艺參数为基靶间距为45mm 95mm,磁控派射工作压强O. 2Pa 4Pa,工作气体的流量为IOsccm 35sccm,衬底温度为250°C 750°C ;接着进行制膜，得到薄膜样品；步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500°C 800°C下真空退火处理Ih 3h，得到所述铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜。在优选的实施例中，步骤一中X为O. 017 ;步骤ニ中真空度为5. 0X10_4Pa ;步骤三中，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sCCm，衬底温度为500°C ;步骤四中，薄膜样品于600°C下真空退火处理2h。。ー种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂硼酸钇铝发光材料，该铈掺杂硼酸钇铝发光材料的化学式为 YAl3(BO3)4:xCe3+，其中 O. 0024 ^ x ^ O. 073。上述铈掺杂硼酸钇铝发光材料(YAl3(B03)4:xCe3+)制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在535nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器。附图说明图I为ー实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例I制备的铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例I制备的铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜的XRD图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对铈掺杂硼酸钇铝发光材料、其制备方法、铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件进ー步阐明。—实施方式的铺掺杂硼酸乾招发光材料，其化学式为YAl3(BO3)4:xCe3+,其中O. 0024 彡 X 彡 O. 073，优选的，x 为 O. 017。 该铈掺杂硼酸钇铝发光材料中YAl3 (BO3) 4是基质，Ce元素是激活元素，在535nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器。上述铈掺杂硼酸钇铝发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤S11、根据YAl3(BO3)4 = XCe3+各元素的化学计量比称取Y2O3, Al2O3, B2O3和CeO2粉体并混合均匀，其中O. 0024 < X < O. 073。该步骤中，优选的，X为O. 017。可以理解，该步骤中也可称取Y2O3,Al2O3,B2O3和CeO2粉体并混合均匀，其中Y2O3的质量百分含量为20% 35%，Al2O3的质量百分含量为25% 50%，CeO2的质量百分含量为O. I 3%，余量为民03。优选的，Y2O3的质量百分含量为28%，Al2O3的质量百分含量为37%, CeO2的质量百分含量为O. 7%。步骤S12、将混合均的粉体在900°C 1300°C下烧结O. 5小时 5小时即可得到目标产物。该步骤中，优选的在1250°C下烧结3小时。ー实施方式的铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜，该铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜的材料的化学通式为YAl3 (BO3)4: xCe3+，其中YAl3(BO3)4是基质，Ce元素是激活元素，O. 0024 ^ X ^ O. 073。优选的，X为 O. 017。上述铈掺杂硼酸钇铝发光薄膜的制备方法，包括以下步骤 步骤S21、根据YAl3 (BO3) 4: xCe3+各元素的化学计量比称取Y2O3, Al2O3, B2O3和CeO2粉体并混合均匀在900 V 1300で下烧结O. 5小时 5小时制成靶材，其中O.0024 ^ X ^ O. 073。该步骤中，优选的，X为O. 017。可以理解，该步骤中也可称取Y2O3,Al2O3,B2O3和CeO2粉体并混合均匀，其中Y2O3的质量百分含量为20% 35%，Al2O3的质量百分含量为25% 50%，CeO2的质量百分含量为O. I 3%，余量为民03。优选的，Y2O3的质量百分含量为28%，Al2O3的质量百分含量为37%, CeO2的质量百分含量为O. 7%。步骤S22、将步骤S21中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa。该步骤中，优选的，真空度为5X10_4Pa。步骤S23、调整磁控溅射镀膜エ艺參数为基靶间距为45mm 95mm，磁控溅射工作压强O. 2Pa 4Pa，工作气体的流量为IOsccm 35sccm，衬底温度为250°C 750°C ;接着 进行制膜，得到薄膜样品。该步骤中，优选的基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，エ作气体的流量为25SCCm，衬底温度为500°C。步骤S24、将步骤S23中得到的薄膜样品于500°C 800°C下真空退火处理Ih 3h，得到化学通式为YAl3(B03)4:xCe3+，其中YAl3 (BO3) 4是基质，Ce元素是激活元素，O.0024 ^ X ^ O. 073。该步骤中，优选的，薄膜样品在600°C下真空退火处理2h。请參阅图1，ー本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铈掺杂硼酸钇铝发光材料，其特征在于：其化学式为YAl3(BO3)4:xCe3+，其中0.0024≤x≤0.073。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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