铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用技术

一种铕掺杂钼酸钆发光材料，其化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09。该铕掺杂钼酸钆发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在613nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法铕掺杂钼酸钆发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种铕掺杂钥酸钆发光材料、其制备方法、铕掺杂钥酸钆发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显不器的铕掺杂钥酸礼发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铕掺杂钥酸钆发光材料、其制备方法、铕掺杂钥酸钆发光薄膜、其制备方法及使用该铕掺杂钥酸钆发光材料的薄膜电致发光器件。一种铕掺杂钥酸钆发光材料，其化学式为Gd2 (MoO4)3: xEu3+，其中O. 002 ^ X ^ O. 09。在优选的实施例中，X为O. 04。一种铕掺杂钥酸钆发光材料的制备方法，包括以下步骤步骤一、根据Gd2 (MoO4) 3 XEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3, MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀，其中0.002 ^ X ^ O. 09 ;步骤二、将混合均匀的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铕掺杂钼酸钆发光材料，其特征在于：其化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：