【技术实现步骤摘要】
本技术涉及生物电磁学
，特别是一种动态可变多通·道经颅磁刺激线圈阵列及其控制方法。
技术介绍
磁场可以几乎无损耗地穿透头颅。经颅磁刺激(TMS)通过在TMS线圈内导入脉冲电流产生交变磁场，磁场穿透头颅(图I. a)，在被刺激部位下方的大脑皮层诱导出微弱的感应电流(图I. b，图I. C)。如果诱导电流与神经纤维相平行，可以诱导较强的膜电位从而引起神经元细胞活动。目前TMS被广泛应用于脑科学、认知科学以及临床医疗领域。现有的TMS大都采用单通道ο形线圈(如图I. b所示)或8字形线圈(如图I. c所示)施加TMS刺激。ο形线圈可以在脑内产生较大范围的环形磁场；8字形线圈的本质是两个电流方向相反的ο形线圈紧密相连，其产生的电场强度虽然不如ο形线圈，但在两个ο形线圈的连接处可以产生较为集中的电流分布。从而可以产生较为集中的刺激。现有的TMS装置均是采用单通道TMS线圈放置于固定的头皮位置进行刺激。基于脑科学、认知科学以及临床医疗领域的研究需求，在全头范围内实施多通道TMS刺激已成为发展趋势。ー些研究曾尝试开发多通道TMS线圈，但是这些研究只是将多个单通道TMS线...
【技术保护点】
一种动态可变多通道经颅磁刺激线圈阵列，其特征在于：该线圈阵列包括一组S方向等间距的直线导线、一组C方向等间距的直线导线和控制单元；S方向和C方向分别对应于大脑的矢状轴和冠状轴，S方向和C方向的两组导线相互垂直交叉且彼此绝缘构成网状线圈阵列，每根直线导线的输入端或输出端均连接一个独立的控制单元；该线圈阵列在空间上弯曲成球面，球面弧度符合人体头颅曲面形状，整个线圈阵列呈头盔形状并覆盖全头范围。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：葛盛，陈戟，王建朋，杨国，康炜，吴文，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：实用新型
国别省市：
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