光谱纯度滤光片制造技术

一种光谱纯度滤光片，包括：材料体，多个孔延伸通过所述材料体。孔布置成抑制具有第一波长的辐射并允许具有第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔。第二波长辐射比第一波长辐射短。所述材料体由具有对于第一波长的辐射基本上大于或等于70％的体反射率的材料形成。所述材料具有大于1000摄氏度的熔点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光谱纯度滤光片，并且例如涉及一种适用于光刻设备和/或光刻方法中的光谱纯度滤光片。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光 刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作是制造集成电路和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成实现制造微型集成电路或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷(B卩，图案施加)的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利法则给出，如等式(I)所示权利要求1.ー种光谱纯度滤光片，包括 材料体，多个孔延伸通过所述材料体，所述孔布置成抑制具有第一波长的辐射并允许具有第二波长的辐射的至少一部分透射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·索尔，V·班尼恩，E·鲁普斯特拉，A·亚库宁，M·杰克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：