用于装载衬底的方法和设备技术

一种方法和设备，用于将衬底(W)装载到衬底台(WT)上然后移动衬底台使得，在衬底的参照系中，衬底台以至少为重力加速度的10％的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可以与光刻术一起使用的方法和设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。在形成集成电路(或其他器件)时，需要在衬底上设置多层图案，这些图案组合起来形成集成电路的功能元件。所述图案必须彼此精确地对准，以便确保它们正确地组合在一起并由此形成功能元件。如果这些图案没有足够精确地对准，则功能元件将不会正确地形成，并且将不会工作。连续的图案通过光刻设备相对于彼此对准的精确度通常称为光刻设备的重叠。为了在将图案投影到衬底上时实现期望的重叠，在图案的投影之前测量衬底上目标部分的位置。这个过程通常被称为对准。在某些情况下，使用与每个目标部分相关联的对准标记独立地测量每个目标部分的位置。这有时被称为局部对准。在其他情况下，测量围绕衬底分布的若干个对准标记的位置，并基于这些测量结果计算目标部分的位置。这有时被称为全局对准。
技术实现思路
如果衬底已经变形，则实现对准的精确度可能降低，因而引起光刻设备的重叠的恶化。在使用全局对准时尤其要注意由于衬底变形引起的重叠的这种恶化。期望提供减小衬底变形的设备和方法。根据本专利技术第一方面，提供一种方法，包括将衬底装载到衬底台上然后移动衬底台使得，在衬底的参照系中衬底台以至少为重力加速度的10%的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。根据本专利技术的第二方面，提供一种设备，包括衬底台和定位装置，所述定位装置配置成移动衬底台，使得在衬底的参照系中，衬底台以至少为重力加速度的10 %的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。附图说明下面将仅以示例的方式、参考所附示意图描述本专利技术的不同方面的实施例，其中相应的附图标记表示相应的部件，其中图I示意地示出根据本专利技术一个实施例的光刻设备；图2是光刻设备的更详细的示意图，其包括LPP源收集器模块SO ;和图3是光刻设备的定位装置和衬底台与衬底一起的放大的示意图。具体实施例方式图I示意地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备100。所述设备包括照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B (例如EUV辐射)。 支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。投影系统，与照射系统类似，可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可能希望将真空环境用于EUV辐射，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此可以借助真空壁和真空泵在整个束路径上提供真空环境。如这里所述，所述设备是反射类型(例如采用反射式掩模)。然而，在替代的实施例中，所述设备可以是透射型的(例如包括透射式掩模和透射式光学装置)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外辐射束(EUV)。用于产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转化为等离子体状态，其具有至少一种元素，例如氙、锂或锡，其具有在EUV范围内的一个或更多个发射线。在一个这种通常所称的激光产生的等离子体(“LPP”)的方法中，所需的等离子体可以通过使用激光束照射燃料(例如具有所需发射线元素的材料的液滴、流或团簇)来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，该EUV辐射系统包括图I中未示出的激光器用以提供用于激发燃料的激光束。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用在源收集器模块中设置的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO2激光器被用于提供激光束用于燃料激发时)。 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置(或称为多小面反射镜装置和多小面光瞳反射镜装置)。照射器可以用以调节辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)ΜΤ上的所述图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在从图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ反射后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW(下文称为衬底台定位装置)和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·索斯奥德特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：