高分子化合物制造技术

含有下述高分子化合物的光电转换元件的光电转换效率高，所述高分子化合物具有由式（1）表示的结构单元。式中，X1和X2相同或不同，表示氮原子或＝CH?；Y1表示硫原子、氧原子、硒原子、?N（R1）?或?CR2＝CR3?；R1、R2和R3相同或不同，表示氢原子或取代基；W1表示氰基、具有氟原子的1价有机基团或卤素原子；W2表示氰基、具有氟原子的1价有机基团、卤素原子或氢原子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有特定结构的高分子化合物。
技术介绍
近年来，为了防止地球温室化，要求消减释放到大气中的C02。例如提倡在房屋的屋顶转换为使用了 Pn接合型的硅系太阳能电池等的太阳能系统，但存在上述硅系太阳能电池中使用的单晶硅、多晶硅和非晶硅在其制造过程中需要高温、高真空条件这样的问题。另一方面，对于作为光电转换兀件的一种方式的有机薄膜太阳能电池，可以省略在硅系太阳能电池的制造步骤中使用的高温、高真空步骤，具有仅用涂布步骤即可廉价地制造的可能性，从而近年来受到人们的关注。作为有机薄膜太阳能电池中使用的高分子化合物，在W02007 / 011739中记载了含有重复单元(A)和重复单元(B): 权利要求1.高分子化合物，其具有由式(I)表示的结构单元，2.根据权利要求I所述的高分子化合物，其是共轭高分子化合物。3.根据权利要求I或2所述的高分子化合物，其中，W1为氟原子。4.根据权利要求I 3中任一项所述的高分子化合物，其中，W2为氟原子。5.根据权利要求I 4中任一项所述的高分子化合物，其中，X1和X2的至少ー者是氮原子。6.根据权利要求5所述的高分子化合物，其中，X1和X2为氮原子。7.根据权利要求I 6中任一项所述的高分子化合物，其中，Y1为硫原子或氧原子。8.根据权利要求I 7中任一项所述的高分子化合物，其中，进ー步含有由式(2)表示的结构单元，9.根据权利要求8所述的高分子化合物，其中，Ar1为2价的芳族杂环基。10.根据权利要求9所述的高分子化合物，其中，2价的芳族杂环基为含有噻吩环的基团。11.化合物，其是由式(3a)表示的化合物，12.根据权利要求11所述的化合物，其中，Q3al和Q3a2为氢原子。13.根据权利要求11所述的化合物，其中，Q3al和Q3a2为ニ羟基硼烷基、硼酸酷残基或取代甲锡烧基。14.化合物，其是由式(3b)表示的化合物，15.根据权利要求14所述的化合物，其中，Q3bl和Q 3b2为溴原子、碘原子、ニ羟基硼烷基、硼酸酷残基或取代甲锡烷基。16.光电转换兀件,其具有第I电极和第2电极,在该第I电极与该第2电极之间具有活性层，在该活性层中含有权利要求I 10中任一项所述的高分子化合物或权利要求11 15中任一项所述的化合物。17.有机薄膜晶体管，其具有门电极、源电极、漏电极和活性层，在该活性层中含有权利要求I 10中任一项所述的高分子化合物或权利要求11 15中任一项所述的化合物。18.有机电致发光元件，其具有第I电极和第2电极，在该第I电极与该第2电极之间具有发光层，在该发光层中含有权利要求I 10中任一项所述的高分子化合物或权利要求11 15中任一项所述的化合物。全文摘要含有下述高分子化合物的光电转换元件的光电转换效率高，所述高分子化合物具有由式(1)表示的结构单元。式中，X1和X2相同或不同，表示氮原子或＝CH ；Y1表示硫原子、氧原子、硒原子、 N(R1) 或 CR2＝CR3 ；R1、R2和R3相同或不同，表示氢原子或取代基；W1表示氰基、具有氟原子的1价有机基团或卤素原子；W2表示氰基、具有氟原子的1价有机基团、卤素原子或氢原子。文档编号H01L51/42GK102858840SQ20118002124公开日2013年1月2日 申请日期2011年4月21日 优先权日2010年4月28日专利技术者吉村研, 大家健一郎 申请人:住友化学株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村研，大家健一郎，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：
国别省市：