一种钨酸铅闪烁探测器制造技术

本发明专利技术涉及一种钨酸铅闪烁探测器，包括外壳、闪烁体以及光电器件，外壳为依次固连的前盖、中筒和后筒形成的封闭空腔，探测器还包括半导体制冷器件、冷端吸热器以及热端散热器，中筒的侧壁上对称设置有两个安装窗，半导体制冷器件设置在安装窗内且与中筒固定连接，半导体制冷器件的冷端朝向中筒内。本发明专利技术解决了现有钨酸铅脉冲伽马探测器晶体发光效率低的技术问题，适用于高强度快脉冲伽马测量，具有高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种钨酸铅闪烁探测器
本专利技术涉及一种辐射探测装置，具体涉及一种适于高强度脉冲伽马时间谱测量的电流型脉冲伽马辐射探测器。
技术介绍
钨酸铅（PbWO4）晶体是一种性能优良的闪烁晶体，其密度(8.28g/cm3)大、原子序数高、阻止本领大、对伽马射线和电子有较高的探测效率。钨酸铅晶体的辐射长度（0.87cm）是现有无机闪烁体中最短的，发光衰减时间短（50ns），抗辐照性能好，可用于大束流、高剂量率的辐射环境中。另外，钨酸铅晶体价格便宜、不潮解、成型方便，可大规模、大尺寸生长加工，比现有的其它一些无机闪烁体具有更高的性价比。钨酸铅晶体最大的缺点是其发光效率低（室温下相对于NaI(Tl)晶体的光输出约为0.5%），从而在很多场合限制了钨酸铅晶体的应用。钨酸铅晶体的发光效率随温度降低而增大，其在低温下工作可以获得更高的光输出以及信噪比。而现有的钨酸铅闪烁探测器都是在室温下工作，存在发光效率低的缺陷。
技术实现思路
为了解决现有钨酸铅脉冲伽马探测器晶体发光效率低的技术问题，本专利技术提供了一种钨酸铅闪烁探测器，适用于高强度快脉冲伽马测量，具有高发光效率。本专利技术所采用的技术方案是：一种钨酸铅闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钨酸铅闪烁探测器，其特征在于：包括外壳、闪烁体（9）以及光电器件（8），所述外壳为依次固连的前盖（1）、中筒（5）和后筒（6）形成的封闭空腔，其特征在于：所述探测器还包括半导体制冷器件（3）、冷端吸热器（4）以及热端散热器（2），所述中筒的侧壁上对称设置有两个安装窗，所述半导体制冷器件（3）设置在安装窗内且与中筒（6）固定连接，所述半导体制冷器件（3）的冷端朝向中筒（6）内，所述半导体制冷器件（3）的热端朝向中筒（6）外，所述冷端吸热器（4）设置在中筒（6）内侧正对半导体制冷器件的冷端，所述热端散热器（2）设置在中筒（6）外侧正对半导体制冷器的热端，所述后筒内壁设置有支撑套筒（7），所述光...

【技术特征摘要】
1.一种钨酸铅闪烁探测器，其特征在于：包括外壳、闪烁体(9)以及光电器件(8)，所述外壳为依次固连的前盖(1)、中筒(5)和后筒(6)形成的封闭空腔，其特征在于：所述探测器还包括半导体制冷器件(3)、冷端吸热器(4)以及热端散热器(2)，所述中筒的侧壁上对称设置有两个安装窗，所述半导体制冷器件(3)设置在安装窗内且与中筒(6)固定连接，所述半导体制冷器件(3)的冷端朝向中筒(6)内，所述半导体制冷器件(3)的热端朝向中筒(6)外，所述冷端吸热器(4)设置在中筒(6)内侧正对半导体制冷器件的冷端，所述热端散热器(2)设置在中筒(6)外侧正对半导体制冷器的热端，所述后筒内壁设置有支撑套筒(7)，所述光电器件(8)固定在支撑套筒上，所述后筒上设置有高压输入端(10)和信号输出端(11)，所述高压输入端(10)和信号输出端(11)均与光电器件连接，所述闪烁体(9)位于光电器件(8)和前盖之间，所述闪烁体(9)为钨酸铅无机闪烁体，探测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋朝晖，卢毅，付录祥，张侃，刘君红，张子川，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：