包括阱占有变化监测器和反馈、成像装置的射线探测器及使用其的方法制造方法及图纸

射线成像系统、数字射线探测器和使用其的方法的实施方案可监测和/或控制射线传感器(例如，DR?FPD)的光传感器中的阱占有水平。在示例性射线成像装置实施方案中，光传感器的阱占有或阱占有的变化的监测可确定成像阵列或探测器面板是否达到稳定的操作点。在另一实施方案中，阱占有信息可用于(a)启动发生器(例如，x射线源)用于射线曝光，和/或(b)调节或维持在预定的设定点的阱占有水平的变化或调节或维持在规定范围内的阱占有水平的变化(例如，使用时钟信号和施加到光传感器的偏置电压)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及医学成像的领域，尤其是涉及射线成像和数字射线(DR)探测器，且更具体地涉及旨在与传感器中的非单晶材料有关的诊断目的的在X射线图像中的图像质量的可能损失的减轻。背景固定射线成像设备用在医疗设施中(例如，在放射部门中)以在X射线探测器上捕获医学X射线图像。移动手推车可包括用于在X射线探测器上捕获(例如，数字)χ射线图像的X射线源。可使用各种技术例如计算机射线照相术(CR)和数字射线照相术(DR)来在射线探测器中捕获这样的医学X射线图像。 相关技术的数字射线照相(DR)成像面板使用布置在行乘列矩阵中的单独的传感器的阵列来从闪烁介质获取图像数据，其中每个传感器提供图像数据的单个像素。每个像素通常包括可按共面或垂直组合的方式布置的光传感器和开关元件，如本领域中通常已知的。在这些成像设备中，氢化非晶硅(a_Si:H)通常用于形成每个像素所需的光电二极管和薄膜晶体管开关。在一个已知的成像布置中，前平面具有光敏元件的阵列，而后平面具有薄膜晶体管(TFT)开关的阵列。作为非晶硅的非单晶结构的结果，大密度的缺陷状态存在于光传感器内。这些缺陷状态截留电子和空穴，并以主要由缺陷状态的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数字射线区域探测器，包括：多个像素，其包括布置在所述区域探测器上的可充电的光传感器；偏压控制电路，其提供在所述光传感器两端的偏置电压以给每个光传感器充电；至少一个传感器，其配置成响应于传送到每个光传感器的光而提供读数；以及光传感器阱占有变化监测器，其连接到至少一个光传感器以测量所述至少一个光传感器的阱占有的变化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T·J·特雷威尔，M·E·沙弗，
申请(专利权)人：卡尔斯特里姆保健公司，
类型：发明
国别省市：