制备异氰酸酯的方法技术

技术编号:8156761 阅读:165 留言:0更新日期:2013-01-06 13:06
本发明专利技术涉及一种制备二异氰酸酯的方法,其中使相应二胺与化学计量过量光气在至少一个反应区中反应,其中反应条件的选择使得至少反应组分二胺、二异氰酸酯和光气在这些条件下为气态,和将至少一种包含二胺的气流和至少一种包含光气的气流供入反应区内,其中在与包含胺的料流混合以前包含光气的料流中溴的质量分数为小于50重量ppm。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为200780050093. 7、申请日为2007年12月12日、专利技术名称为“制备异氰酸酯的方法”的专利申请的分案申请。本专利技术涉及一种在气相中由二胺和光气制备二异氰酸酯的方法。EP 570799,实施例I描述了借助洗涤塔后处理通过气相光气化得到的反应混合物,其中水滴流通过洗涤塔以分离光气和氯化氢。这种后处理破坏过量光气和氯化氢气体使得它们不再可有利地用于反应中。EP 593334 BI和EP 699657 BI公开了利用或破坏光气或氯化氢气体的可能性,但未探究与再循环光气相关的具体问题。 EP 749 958 BI第段和EP 1078918 BI第段提到在三胺气相光气化以后回收过量光气和回收的氯化氢气体再用于光气合成中的可能性。这里也没有给出再循环光气的详细描述。US 4,581,174描述了通过在混合回路中使伯胺光气化连续制备有机单异氰酸酯和/或多异氰酸酯,其中包含异氰酸酯的反应混合物部分再循环,再循环混合物中的HCl比例为小于O. 5%。这里异氰酸酯连续再循环至具有游离胺的反应区促进脲的形成。沉淀的脲危害方法的稳定操作。GB 737 442描述了由异氰酸酯合成中回收光气。回收的光气的HCl含量为O. 5-0. 7%。DE 10261191 Al和WO 2004/58689描述了其中包含光气的进料料流的HCl含量为小于O. 4或大于O. 8重量%的光气化。这些文件没有区别气相光气化包括的问题与液相光气化包括的那些,并且优选仅涉及液相光气化。所有这些方法的缺点是忽略了光气或光气化期间的氯含量。申请号为PCT/EP2006/064850且申请日为2006年7月31日的国际专利申请描述了气相光气化方法,其中氯化氢含量应保持在特定阈值以下。WO 04/56758在宽次级组分列中提及作为光气组分的氯气,但没有教导任何关于气相光气化中氯气含量的具体问题。US 3331873公开了一种借助活性碳从光气中分离氯气至小于25ppm含量的通常方法。在公开的方法中,没有涉及光气化中,特别是气相光气化中的具体问题。WO 01/00569描述了在至多100巴的压力和0_130°C下液相光气化中溴和含溴化合物含量对色值的作用。在公开的方法中,没有涉及气相光气化中的具体问题。气相光气化通常在200-600°C下进行。由于这些高温,方法的设计必须满足特殊要求以实现方法的长期操作而不会由于材料,特别是反应器壁上在高温范围内提高的应力而泄露。高温与腐蚀性反应介质结合产生对方法和所用材料的特殊需求。例如,已知在高温(在约40(TC或以上)下,光气自催化分离成分子氯(Cl2)和一氧化碳(CO)。在高温下,氯气可通过掺入材料而导致原料脆化。例如如果制备装置中不可避免地震动,则已这样脆化的材料,特别是反应器壁可受到应力并且断裂或破裂,使得泄露可能性提高。另外,氯气可与非合金钢在170°C以上下以氯-铁燃烧放热反应。这尤其是在处理非常毒性光气中是工业难题。因此,本专利技术的目的是提供一种使二胺与光气在气相中反应以形成相应二异氰酸酯和氯化氢(HCl)以可降低材料脆性的方式进行的方法。该目的通过一种通过制备二异氰酸酯的方法实现,其中使相应二胺与化学计量过量光气在至少一个反应区中反应,其中反应条件的选择使得至少反应组分二胺、二异氰酸酯和光气在这些条件下为气态,和 将至少一种包含二胺的气流和至少一种包含光气的气流供入反应区内,其中在与包含胺的料流混合以前包含光气的料流中氯气的质量分数为小于1000重量ppm和/或包含光气的料流中溴的质量分数为小于50重量ppm。根据本专利技术,在气相光气化中,应努力确保反应期间存在的化合物,即起始原料(二胺和光气)、中间体(特别是作为中间体形成的单氨基甲酰基和二氨基甲酰氯)、最终产物(二异氰酸酯)和引入的任何惰性化合物在反应条件下保持气相。如果这些或其他组分由气相中例如沉积在反应器壁或设备的其他组件上,传热或流过受影响的组件可通过这些沉积物不理想地改变。这特别适用于由游离氨基和氯化氢(HCl)形成的胺氢氯化物,这是因为所得胺氢氯化物易于沉淀并且难以再次气化。在优选实施方案中,除根据本专利技术降低氯气含量外,可使在任何与新鲜光气混合以后和与包含胺的料流混合以前的含光气料流的氯化氢质量分数为小于15重量%,优选小于10重量%,特别优选小于5重量%。这样的结果是胺氢氯化物的形成可显著降低,使得反应器中沉积物形成的风险降低。由于供入反应中的根据本专利技术的低氯气含量(就此而言分子氯(Cl2)),可将二胺转化成相应二异氰酸酯期间的总体氯气含量保持尽可能低而不管反应期间通过光气分离形成的氯气,使得材料脆化和/或氯-铁燃烧的风险可降低或甚至消除。根据本专利技术,在任何与新鲜光气混合以后和在与包含胺的料流混合以前,包含光气的料流的氯气含量为小于1000重量ppm,优选小于500重量ppm,特别优选小于250重量ppm,非常特别优选小于100重量ppm,特别是小于50重量ppm,尤其是小于25重量ppm。另外或作为其的替代,在任何与新鲜光气混合以后和在与包含胺的料流混合以前,包含光气的料流中以分子或结合形式的溴或碘或其混合物的含量为小于50重量ppm,优选小于40重量ppm、35重量ppm、30重量ppm、25重量ppm或更少,特别是10重量ppm或更少,尤其是5重量ppm、3重量ppm、2重量ppm或I重量ppm或更少。就本文而言,分子形式的溴或碘为仅由溴或碘原子组成的分子。表述结合形式的溴或碘指不仅包含溴或碘,还包含每种情况下不同于所述原子的其他原子。除非另有说明,在本文中,术语“溴”指分子溴(Br2)。在本专利技术方法中,光气与二胺的反应在气相中进行。可通过本专利技术方法制备的二异氰酸酯可以为芳族、脂环族或脂族二异氰酸酯。脂环族异氰酸酯为包含至少一个脂环族环体系的那些。脂族异氰酸酯为仅具有键合在直链或支链上的异氰酸酯基团的那些。芳族异氰酸酯为具有至少一个键合在至少一个芳族环体系上的异氰酸酯基团的那些。就本专利申请而言,表述(环)脂族异氰酸酯用作脂环族和/或脂族异氰酸酯的简写。芳族二异氰酸酯的实例优选具有6-20个碳原子的那些,例如单亚甲基二(苯基异 氰酸酯)(MDI)、甲苯2,4-和/或2,6- 二异氰酸酯(TDI)和萘基二异氰酸酯(NDI)。二异氰酸酯优选(环)脂族二异氰酸酯,特别优选具有4-20个碳原子的(环)脂族二异氰酸酯。常规二异氰酸酯的实例为脂族二异氰酸酯如四亚甲基二异氰酸酯、五亚甲基二异氰酸酯(1,5- 二异氰酸根合戊烷)、2_甲基-1,5- 二异氰酸根合戊烷、六亚甲基二异氰酸酯(I, 6- 二异氰酸根合己烷)、八亚甲基1,8- 二异氰酸酯、十亚甲基1,10- 二异氰酸酯、十二亚甲基1,12-二异氰酸酯、十四亚甲基1,14-二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯衍生物、四甲基二甲苯二异氰酸酯(TMXDI)、三甲基己烷二异氰酸酯或四甲基己烷二异氰酸酯以及3(或4)、8(或9)-双(异氰酸根合甲基)三环癸烷异构体混合物以及脂环族二异氰酸酯,例如1,4_、I, 3-或1,2- 二异氰酸根合环己烷、4,4’ -或2,4’ - 二(异氰酸根合环己基)甲烷、I-异氰酸根合_3,3,5-三甲基-5-(异氰酸根合甲基)环己烷(异佛尔酮二异氰酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备二异氰酸酯的方法,其中使相应二胺与化学计量过量光气在至少一个反应区中反应,其中反应条件的选择使得至少反应组分二胺、二异氰酸酯和光气在这些条件下为气态,和将至少一种包含二胺的气流和至少一种包含光气的气流供入反应区内,其中在与包含胺的料流混合以前包含光气的料流中溴的质量分数为小于50重量ppm。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:A·韦尔弗特C·克内彻T·马特克E·施特勒费尔
申请(专利权)人:巴斯夫欧洲公司
类型:发明
国别省市:

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