一种新型的分形PFS结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种应用分形理论的PFS（PatternedFloatShield）结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本实用新型专利技术的PFS位于电感、变压器和衬底之间，采用底层薄的金属层，通过自相似和迭代原理进行构造，最后由一条条的相互垂直的金属条合并构成分形结构。本实用新型专利技术有效的屏蔽掉衬底的电磁场效应，降低衬底的损耗，提高了电感值和品质因数。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于集成电路
，具体涉及一种新型的应用分形理论的PFS(Patterned Float Shield)结构。
技术介绍
随着CMOS射频集成电路的快速发展，一些高性能、低功耗的单元电路如低噪声放大器、压控振荡器、混频器、中频滤波器，功率放大器等成为整个电路成功的基础，在这其中片上电感/变压器又是必不可少的元件，因此，其设计和优化已成为整个电路成功设计的关键之一。评价电感、变压器性能的一个重要指标是品质因数Q，它定义为电感/变压器在一 个周期内存储的能量和损耗能量的比值，品质因数Q值越大，表示该电感/变压器的质量越好。评价变压器性能的另一个重要指标是插入损耗IL，它定义为器件的输出功率与输入功率之比的分贝数，在数值上等于S参数中的前向传输系数(Forward TransmissionCoefficient) S21的幅值。变压器的IL值越小，即S21值越大，表示变压器的性能越好。在片电感/变压器一般通过金属薄膜在硅衬底上绕制而成，因此它们是一个比较开放性的结构，其工作时候的电场和磁场会渗透到整个衬底之中，从而在衬底中以及衬底表面的区域产生反方向的感应电流，导致额外的衬底能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的分形PFS结构，应用于片上螺旋电感或变压器，其特征在于：该分形PFS结构位于线圈绕成的电感或变压器的中心部分，采用底层的薄金属层，利用分形理论在基本图形单元的基础上，构造多阶的图案接地屏蔽层；所述的基本图形单元共有两种：分别是十字图形和？H图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，赵倩，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：