【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及光耦合器。更具体而言,本专利技术的实施例涉及用于连接例如光纤和光子集成电路的多模光稱合器接ロ(interface)。
技术介绍
以高效率将光从光纤耦合到波导在集成光子学的研发中是关键的。特别是 ,不含主动/手动对准的单模(SM)光纤至波导的耦合是十分具有挑战性的,因为其涉及小的光斑尺寸。附图说明在附图中的各图中通过范例方式而非限制性的方式对本专利技术的实施例进行了示例,附图中类似的參考数字指类似的元件。图I示例具有输出阵列波导的光耦合器的一个实施例。图2示例具有单个输出波导的光耦合器的一个实施例。图3为ー个范例实施例的模分布,该范例实施例中,单模光纤(NA O. 14)与10 μ mX 10 μ m 的绝缘体上娃(SOI, silicon-on-insulator)条形波导I禹合。图4为示例于此描述的光耦合器的操作的色散图。图5提供了来自如于此描述的光耦合器的一个实施例的模拟的結果。图6为利用如于此描述光耦合器的光学系统的ー个实施例的框图。具体实施例方式在以下描述中,阐述许多具体细节。然而,可以没有这些具体细节来实践本专利技术的实施例。在其 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.29 US 12/749,1961.一种多模光稱合器,包括 输入多模波导,接收来自单模光纤的光信号; 一个或多个单模输出波导,与所述输入多模波导光耦合,所述一个或多个单模输出波导接收由光纤未对准而造成的激发的多个模。2.如权利要求I所述的多模光耦合器,其中,所述一个或多个单模输出波导嵌入于所述输入多模波导内或者位于所述输入多模波导之上。3.如权利要求I所述的多模光耦合器,其中,所述一个或多个单模输出波导包括具有绝热渐缩宽度的单模波导。4.如权利要求I所述的多模光耦合器,其中,所述多模输入波导是所述一个或多个单模输出波导的至少十倍厚。5.如权利要求I所述的多模光稱合器,其中,所述多模输入波导包括娃(Si)光波导。6.如权利要求I所述的多模光稱合器,其中,所述多模输入波导包括招镓砷化物(AlGaAs)波导。7.如权利要求I所述的多模光耦合器,其中,所述一个或多个单模输出波导包括砷化铝(AlAs)光波导。8.如权利要求I所述的多模光耦合器,其中,所述一个或多个单模输出波导包括锗硅(SiGe)光波导。9.如权利要求8所述的多模光耦合器,其中,所述一个或多个SiGe单模输出波导具有SixGe^的组成。10.一种光学系统,包括 单模光纤,传输光信号; 输入多模波导,接收来自所述单模光纤的所述光信号; 一个或多个单模输出波导,具有绝热渐缩宽度且与所述输入多模波导光耦合,所述一个或多个单模输出波导接收由光纤未对准而造成的激发的多个模。11.如权利要求10所述的光学系统,其中,所述一个或多个单模输出波导嵌入于所述输入多模波导内或位于所述输入多模波导之上。12.如权利要求10所述的光学系...
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