一种直流-直流升压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种直流-直流升压电路，包括：开关模块、谐振模块、升压模块。开关模块用于通过接收控制脉冲信号来实现直流-直流升压电路中支路的开通或关断，以控制电流走向，谐振模块与开关模块相连，用于减少直流-直流升压电路中的能量损失，升压模块与开关模块、谐振模块均相连，用于无损吸收并积累充电能量以进行升压。本发明专利技术的技术方案能提高升压效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路
，具体涉及一种直流-直流的升压电路。
技术介绍
小功率非隔离型光伏并网逆变器由于是属于居民家用产品，因此，其防护等级高于一般商业级应用。针对安全性方面欧洲诸多国家对其提出了更高要求，特别针对并网的升压效率。在现有技术中，一般升压电路如图I所示，VT为金属-氧化物-半导体(M0S，Metal-Oxide-Semiconductor)管，电流通过电感、二极管和电容给负载供电时，由于MOS管 的开关损耗小，导通损耗大，这样导致了该升压电路的升压效率低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种直流-直流升压电路，用以提高升压效率。本专利技术实施例中提供的直流-直流升压电路包括开关模块，谐振模块，升压模块；其中，所述开关模块，用于通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断，以控制电流走向；所述谐振模块，与所述开关模块相连，用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失；所述升压模块，与所述开关模块、所述谐振模块均相连，用于无损吸收并积累充电能量以进行升压。优选的，所述开关模块包括IGBT管及MOS管，其中，所述MOS管的漏极通过电感与直流电源的正极相连，所述MOS管的源极与所述直流电源的负极相连，所述IGBT管的发射极与所述直流电源的负极相连。优选的，所述谐振模块包括谐振电感与第一谐振电容，其中，所述谐振电感的一端与所述MOS管的漏极相连，所述谐振电感的另一端与所述IGBT管的集电极相连，所述第一谐振电容的一端与所述MOS管的漏极相连，所述第一谐振电容的另一端与所述MOS管的源极相连。优选的，所述升压模块包括第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第二谐振电容；其中，所述第一二极管的阳极与所述IGBT管的集电极相连，所述第二二极管的阳极与所述MOS管的漏极相连，所述第三二极管的阳极与所述第一二极管的阴极相连，所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连，所述第二谐振电容的一端与所述第二二极管的阳极相连，所述第二谐振电容的另一端与所述第一二极管的阴极相连。优选的，所述电路还包括电容；其中，所述电容的一端与所述第二二极管的阴极、所述三二极管的阴极均相连，所述电容的另一端与所述直流电源的负极、所述MOS管的源极、所述IGBT管的发射极均相连。 优选的，所述MOS管具体为COOL MOS管或碳化硅MOS管。优选的，所述IGBT管具体为碳化硅IGBT管。优选的，所述第一二极管具体为碳化硅二极管。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点开关模块通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断，也就是通过控制对不同元器件的充电和放电来控制电流走向；谐振模块用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失，提高升压效率；升压模块通过其中谐振电容的充放电特性及二极管的单向导电性，实现无损吸收并积累充电能量以进行升压。附图说明图I为现有技术中升压电路连接图；图2为本专利技术实施例中的直流-直流升压电路的一个实施例示意图；图3为本专利技术实施例中的直流-直流升压电路的连接关系示意图； 图4为本专利技术实施例中的直流-直流升压电路运行时序示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种直流-直流的升压电路。以下分别进行详细说明。请参阅图2，为本专利技术实施例中的直流-直流的升压电路的一个实施例示意图，包括 开关模块101，谐振模块102，升压模块103 ；其中，所述开关模块101，用于通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断，以控制电流走向；所述谐振模块102，与开关模块101相连，用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失；所述升压模块103，与开关模块101、谐振模块102均相连，用于无损吸收并积累充电能量，以进行升压。具体是通过其中的谐振电容的充放电特性及二极管的单向导电性，实现吸收并积累能量，在原电压的基础上将电路升压。本专利技术实施例中，开关模块101通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断，也就是通过控制对不同元器件的充电和放电来控制电流走向；谐振模块102用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失，提高升压效率；升压模块103通过其中谐振电容的充放电特性及二极管的单向导电性，实现无损吸收并积累充电能量以进行升压。为便于理解，下面以另一实施例详细介绍本专利技术实施例中的直流-直流升压电路，请参阅图3，为本专利技术实施例中的直流-直流升压电路的连接关系示意图，包括直流电源(DC)、电感、开关模块、谐振模块、升压模块以及电容。其中，所述电感的一端与直流电源的正极相连，所述电感的另一端与所述开关模块相连；所述开关模块包括绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor, IGBT)管及MOS管，所述MOS管的漏极通过电感与直流电源的正极相连，所述MOS管的源极与所述直流电源的负极相连，所述IGBT管的发射极与所述直流电源的负极相连；所述谐振模块包括谐振电感与第一谐振电容，其中，所述谐振电感的一端与所述MOS管的漏极相连，所述谐振电感的另一端与所述IGBT管的集电极相连，所述第一谐振电容的一端与所述MOS管的漏极相连，所述第一谐振电容的另一端与所述MOS管的源极相连。所述升压模块包括第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第二谐振电容，其中，所述第一二极管的阳极与所述IGBT管的集电极相连，所述第二二极管的阳极与所述MOS管的漏极相连，所述第三二极管的阳极与所述第一二极管的阴极相连，所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连，所述第二谐振电容的一端与所述第二二极管的阳极相连，所述第二谐振电容的另一端与所述第一二极管的阴极相连。具体而言，所述MOS管的漏极与所述第一谐振电容的一端、所述电感的一端、所述谐振电感的一端以及所述第二二极管的阳极相连，所述MOS管的源极与所述直流电源的负极、所述IGBT管的发射极及所述电容的一端相连； 所述IGBT管的发射极与所述直流电源的负极、所述MOS管的源极及所述电容的一端相连，所述IGBT管的集电极与所述谐振电感的一端及所述第一二极管的阳极相连；所述谐振电感的一端与所述电感的一端、所述MOS管的漏极、所述第二二极管的阳极、所述第一谐振电容的一端及所述第二谐振电容的一端相连，所述谐振电感的另一端与所述IGBT管的集电极及所述第一二极管的阳极相连；所述电容的一端与所述第二二极管的阴极及所述第三二极管的阴极相连，所述电容的另一端与所述直流电源的负极、所述MOS管的源极、所述IGBT的发射极相连；所述第二谐振电容的一端与所述第一二极管的阴极及所述第三二极管的阳极相连，所述第二谐振电容的另一端与所述电感的一端、所述谐振电感的一端及所述第二二极管的阳极相连；所述第一谐振电容并联在所述MOS管两端，所述第一谐振电容的一端与所述MOS管的漏极相连，所述第一谐振电容的另一端与所述MOS管的源极相连；所述第一二极管的阳极与所述谐振电感的一端及所述IGBT管的集电极相连，所述第一二极管的阴极与所述第二谐振电容的一端及所述第三二极管的阳极相连；所述第二二极管的阳极与所述电感的一端、所述MOS管的漏极、所述第一谐振电容的一端、所述谐振电感的一端及所述第二谐振电容的一端相连，所述第二二极管的阴极与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流？直流升压电路，其特征在于，包括：开关模块，谐振模块，升压模块；其中，所述开关模块，用于通过接收控制脉冲信号来实现所述直流？直流升压电路中支路的开通或关断，以控制电流走向；所述谐振模块，与所述开关模块相连，用于减少所述直流？直流升压电路中的能量损失；所述升压模块，与所述开关模块、所述谐振模块均相连，用于无损吸收并积累充电能量以进行升压。

【技术特征摘要】
1.一种直流-直流升压电路，其特征在于，包括 开关模块，谐振模块，升压模块； 其中，所述开关模块，用于通过接收控制脉冲信号来实现所述直流-直流升压电路中支路的开通或关断，以控制电流走向； 所述谐振模块，与所述开关模块相连，用于减少所述直流-直流升压电路中的能量损失; 所述升压模块，与所述开关模块、所述谐振模块均相连，用于无损吸收并积累充电能量以进行升压。2.根据权利要求I所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括IGBT管及MOS管，其中，所述MOS管的漏极通过电感与直流电源的正极相连，所述MOS管的源极与所述直流电源的负极相连，所述IGBT管的发射极与所述直流电源的负极相连。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述谐振模块包括谐振电感与第一谐振电容，其中，所述谐振电感的一端与所述MOS管的漏极相连，所述谐振电感的另一端与所述IGBT管的集电极相连，所述第一谐振电容的一端与所述MOS管的漏极相连，所述第一谐振电容的另一端与所述MOS管的源极相连。4.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李适如，
申请(专利权)人：深圳市英威腾电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：