物镜、透镜制造方法、及光学驱动装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及物镜、制造透镜的方法以及光学驱动装置。该物镜包括前透镜，作为布置在最靠近对象侧的前透镜，该前透镜配置为具有层压结构，在层压结构中，介电常数为负的第一薄膜和介电常数为正的第二薄膜交替层压，并且，所述薄膜形成为在来自光源的光输入的一侧具有突起的角形作为其截面形状。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及用于会聚入射光并照射目标对象的物镜、用于该物镜的透镜的制造方法，并且还涉及包括该物镜的用于对光学记录介质执行信息记录或者播放光学记录介质上记录的信息的光学驱动设备。
技术介绍
对于通过光照来执行信息记录和/或播放记录的信息的光学记录介质，已经广泛地使用了所谓的光盘记录介质(简称“光盘”)，例如，诸如CD (压缩光盘)、DVD (数字通用盘)、BD (蓝光光盘注册商标)等。 对于这些光盘，已经逐步实现了记录/播放光的波长的缩短、以及物镜的数值孔径(NA)的增大，因此,实现了用于记录/播放的会聚点(condensing spot)大小的减小，并且已经实现大记录容量和高记录密度。然而，对于根据相关技术的这些光盘，物镜和光盘之间的介质是空气，因此，对会聚点的大小(直径)有影响的数值孔径NA不大于“ I ”，这已被大家所熟知。具体地，当物镜的数值孔径为NAtjbj，并且光的波长为λ时，通常由如下公式获得经由物镜照射在光盘上的光点(light spot)大小λ /NAQbJ。此时，当物镜和光盘之间的介质的折射率为nA，并且物镜的环境光束的入射角为θ时，数值孔径NAtjbj用以下的表达式表示X sin Θ。参照该表达式可以理解，只要介质是空气(nA=l)，则不能实现NAtjbjM。因此，例如，诸如第2010-33688号日本未审查专利申请公开和第2009-134780号日本未审查专利申请公开等所披露的，已经提出了通过利用近场光(瞬逝光(evanescentlight))来实现ΝΑλ」>1的记录/播放系统(近场记录/播放系统)。被广泛了解的是，对于近场记录/播放系统，信息的记录/播放被设置为通过在光盘上照射近场光来执行，并且此时，对于用于在光盘上照射近场光的物镜，采用固体浸没透镜(Solid Immersion Lens，以下缩写为SIL)(例如，参见第2010-33688号日本未审查专利申请公开和第2009-134780号日本未审查专利申请公开)。图18是用于描述使用根据相关技术的SIL的近场光学系统的图。值得注意的是，该图18示出了采用超半球形SIL (超半球SIL)作为SIL的实例。具体地，对于该情况下的超半球SIL，对象侧(即，布置了待记录/播放的记录介质的一侧)的形状取平面形，并且除此之外的部分取半球形。该情况下的物镜被配置为具有上述超半球SIL作为前透镜的2-组透镜。如图18所示，采用双面非球面透镜作为后透镜。在这里，当入射光的入射角为Θ i，并且超半球SIL的部件材料的折射率Snm时，根据图18中示出的配置的物镜的有效数值孔径如下表示NA=nSI^Xsin Θ i从该表达式中可以发现，根据图18中示出的物镜配置，通过将SIL的数值孔径设置为大于“ I ”(大于空气的折射率)，则可以将有效数值孔径NA设置为大于“ I ”。至此，对于SIL的折射率，设置为例如大约ηΜ =2，因此，实现了 I. 8左右的有效数值孔径NA。在这里，对于近场光学系统，不仅可以采用上述的利用超半球SIL的配置，还可以采用利用了半球形SIL (半球SIL)的配置。在采用利用了半球形SIL而不是图18中的超半球SIL的物镜情况下，其有效数值孔径如下NA=nSIIjX sin θ i根据该表达式，在采用半球SIL的情况下，采用nStt>l的高折射率材料作为SIL的部件材料，据此可知能够实现NA>1。此时，与前面的超半球SIL情况下的表达式比较，在超半球形情况下和半球形情况下的SIL的部件材料(折射率)相同时，可以发现，在采用超半球SIL的情况下，有效NA可以设置为更高。·值得注意的是，为了通过传播(照射)由记录介质上的SIL生成的NA>1的光(近场光)来执行记录/播放，需要将SIL的对象面和记录介质布置为非常靠近。SIL的对象面和记录介质(记录表面)之间的间隔此时称为间隙。对于近场记录/播放系统，预计间隙的值被压缩为至少等于或小于光波长的四分之一。如上所述，采用了包括做成半球形或超半球形的SIL的物镜，从而可以将数值孔径NA设置为大于“ I ”，因此，可以超越根据相关技术的光盘系统中的限制来减小光点直径。也就是说，实现了记录密度，进而实现了大记录容量的相应提高。现在可以说，关于高记录密度和大记录容量，其水平并没有达到极好，需要进一步提高。就通过减小记录光的光点大小来实现大记录容量而言，采用诸如第2005-116155号日本未审查专利申请公开中所披露的使用金属针的等离子体天线系统是有效的。具体地，对于第2005-116155号日本未审查专利申请公开的披露，光输入到相对于记录介质垂直倒立的状态下的金属针(金属纳米结构)，因此，通过表面等离子体效应(局部近场效应)来生成最小光点，并由此执行记录。根据第2005-116155号日本未审查专利申请公开的等离子体天线系统，相比于采用利用了 SIL的近场系统的情况下，通过其近场光的生成原理可以实现记录光点的更大减小。并且，通过等离子体共振(共振)的作用还能够实现记录功率(光强度)的增大。
技术实现思路
然而，对于根据第2005-116155号日本未审查专利申请公开的等离子体天线系统，通过金属针来执行近场光的照射，因此，能够记录，但是不能够播放。也就是说，因为不能用上述金属针进行播放，因此等离子体天线系统不具有光的可逆性，因此，记录时和播放时不共享光学系统这一点导致存在问题。发现需要在确保光可逆性用于在记录时和播放时共享光学系统的同时，相比于采用根据相关技术的SIL的物镜的情况，提高有效NA来实现进一步的高记录密度和大记录容量。根据实施方式，本技术的物镜包括前透镜，作为布置在最靠近对象侧上的前透镜，该前透镜配置为具有层压结构，在所述层压结构中，介电常数为负的第一薄膜和介电常数为正的第二薄膜交替层压，并且，所述薄膜形成为具有在来自光源的光输入的一侧突起的角形作为其截面形状。此外，对于本技术，将提出以下的第一和第二方法作为根据实施方式的透镜制造方法。根据实施方式，第一透镜制造方法是用于制造配置为具有层压结构的透镜的透镜制造方法，在层压结构中，介电常数为负的第一薄膜和介电常数为正的第二薄膜交替层压，并且，所述薄膜形成为具有在来自光源的光输入的一侧突起的角形作为其截面形状，该方法包括突起部分形成处理，用于在基板上形成突起部分，其中，所述突起部分的顶端部分的截面形状为角形；以及层压处理，用于在所述突起部分形成处理中形成的所述突起部分上交替层压所述第一薄膜和所述第二薄膜。此外，根据实施方式的第二透镜制造方法如下。根据实施方式，第二透镜制造方法是用于制造配置为具有层压结构的透镜的透镜 制造方法，在层压结构中，介电常数为负的第一薄膜和介电常数为正的第二薄膜交替层压，并且，所述薄膜形成为具有在来自光源的光输入的一侧突起的角形作为其截面形状，该方法包括凹陷部分形成处理，用于在基板上形成凹陷部分，其中，所述凹陷部分的顶端部分的截面形状为角形；以及层压处理，用于在所述凹陷部分形成处理中形成的所述凹陷部分上交替层压所述第一薄膜和所述第二薄膜。此外，对于本技术，根据实施方式的光学驱动装置如下配置。根据实施方式，本技术的光学驱动装置包括物镜，包括前透镜，作为布置在最靠近光学记录介质的位置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种物镜，包括布置在最靠对象侧的前透镜，所述前透镜被配置为具有层压结构，在所述层压结构中，介电常数为负的第一薄膜和介电常数为正的第二薄膜交替层压，并且，所述薄膜被形成为具有在来自光源的光输入的一侧上突起的角形作为其截面形状。

【技术特征摘要】
2011.06.22 JP 2011-1379581.一种物镜，包括布置在最靠对象侧的前透镜， 所述前透镜被配置为具有层压结构，在所述层压结构中，介电常数为负的第一薄膜和介电常数为正的第二薄膜交替层压，并且，所述薄膜被形成为具有在来自光源的光输入的一侧上突起的角形作为其截面形状。2.根据权利要求I所述的物镜，其中，所述层压结构被配置为具有大致三角形的截面形状。3.根据权利要求I所述的物镜，其中，用于减少由所述层压结构上引起的反射/散射导致的杂散光的掩蔽层，形成在面向所述前透镜的对象面的区域。4.根据权利要求I所述的物镜，其中，所述第一薄膜由Ag、Cu、Au和Al中的一种构成。5.根据权利要求I所述的物镜，其中，所述第二薄膜由硅类化合物、氟化物、氮化物、金属氧化物、玻璃和聚合物中的一种构成。6.根据权利要求I所述的物镜，其中，所述第一薄膜由Ag构成，并且所述第二薄膜由Al2O3构成。7.根据权利要求2所述的物镜，其中，所述层压结构被配置为具有大致棱锥形的外部形状。8.根据权利要求2所述的物镜，其中，所述层压结构被配置为具有大致圆锥形的外部形状。9.根据权利要求I所述的物镜，其中，所述层压结构的对象面用保护膜覆盖。10.根据权利要求I所述的物镜，其中，所述前透镜被配置为在固体浸没透镜的对象面侧一体地形成所述层压结构。11.根据权利要求I所述的物镜，被配置为使得将由固体浸没透镜会聚的光输入到被配置为具有所述层压结构的所述前透镜中。12.根据权利要求I所述的物镜，其中，在所述层压结构中来自所述光源的光输入的一侧的顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：关口浩司，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：