一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法技术

本发明专利技术涉及一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法，属于透明陶瓷粉体制备技术领域。本发明专利技术以纳米Al2O3和活性炭为原料，在行星式球磨机上低转速混合原料，并在电热板上快速烘干料浆，采用分区布料及预置气孔技术装粉，结合低温快速除碳工艺制备纯相AlON透明陶瓷粉体，所得到的AlON粉体不同区域相组成稳定、均匀性好，适合批量生产，且以其为原料可在较低温度下、较短时间内烧结获得具有高透过率的AlON透明陶瓷，表明采用本发明专利技术的方法制备的AlON粉体烧结活性非常好，且适合用于制备AlON透明陶瓷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于透明陶瓷粉体制备

技术介绍
氮氧化铝(AlON)作为AlN-Al2O3 ニ元体 系相图中的一个稳定的单相固溶体，具有各向同性的立方结构，通过高温烧结可制成AlON透明陶瓷。AlON在宽的波段(紫外可见-红夕卜)具有良好的透过率，且具有优异的物理和化学性质，同时AlON还具有多晶陶瓷在材料制备方面的优势，因而是优选的光学窗ロ材料，在军民领域都有着广阔的应用前景。合成AlON粉体的相组成、粒度和形貌等特性对后续成型、烧结和产品的性能有着重要的影响。因此制备高纯、细颗粒、窄分布和性能稳定的AlON陶瓷粉末是制备性能优良AlON陶瓷的先决条件。高温固相反应和还原氮化法是目前制备AlON粉体的两类主要方法。其中固相反应法虽エ艺简单，但由于其要求原料AlN和Al2O3粉必须高纯超细，而目前高纯AlN主要依赖进ロ，价格昂贵。与之相比还原氮化铝法的主要原料Al2O3性能稳定且价格便宜，还原剂可以是C、A1、NH3、H等，在这些还原剂中，C的产品质量稳定可靠，且以C作为还原剂的还原氮化反应エ艺可控性好，同时安全、环保等方面也非常好，因此碳热还原氮化法制备高纯、超细AlO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法，包括下述工艺步骤：①混料：将纳米Al2O3和活性炭的混合粉末在行星式球磨机上以150？180r/min的转速球磨混合1？24h；②烘干：将步骤①所得的料浆置于容器中于120？145℃烘干1？3h，过筛，得Al2O3和活性炭混合粉末；③布料：把经烘干造粒后的混合粉末放到柱形石墨坩埚中，布料；④预置气孔：混合粉末略密实后，在混合粉末上预置直径1？2mm贯穿粉体上下的气孔，气孔间距小于20mm。⑤预抽真空：将石墨坩埚置于烧结炉中，在室温真空度10？3Pa的条件下边升温边抽真空，在700℃保温至真空度值小于10？2Pa后再充氮气，充气后烧结炉内压力为微正压；...

【技术特征摘要】
1.一种批量制备纯相AlON透明陶瓷粉体的方法，包括下述工艺步骤 ①混料将纳米Al2O3和活性炭的混合粉末在行星式球磨机上以150-180r/min的转速球磨混合l_24h ； ②烘干将步骤①所得的料浆置于容器中于120-145°C烘干l_3h，过筛，得Al2O3和活性炭混合粉末； ③布料把经烘干造粒后的混合粉末放到柱形石墨坩埚中，布料； ④预置气孔混合粉末略密实后，在混合粉末上预置直径l_2mm贯穿粉体上下的气孔，气孔间距小于20mm。⑤预抽真空将石墨坩埚置于烧结炉中，在室温真空度KT3Pa的条件下边升温边抽真空，在700°C保温至真空度值小于10_2Pa后再充氮气，充气后烧结炉内压力为微正压； ⑥烧结烧结炉升温至1500-1600V保温30-60min，再继续升温到1750 V保温30-60min，得 AlON 粉体。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于步骤③中布料按下述方法进行根据烧结区...

【专利技术属性】
技术研发人员：单英春，徐久军，
申请(专利权)人：大连海事大学，
类型：发明
国别省市：