一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法技术

本发明专利技术属于电子技术领域，具体为一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法。它通过产生激光干涉从而在光刻胶上形成微纳结构，进而通过刻蚀的办法，实现光刻胶上的微纳结构转移到衬底材料表面，形成微纳尺度的光栅、点阵、线阵等结构。采用本发明专利技术方法可在各种材料表面大面积制作高质量的纳米结构，简便且成本低，具有极大的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，具体涉及利用激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法。
技术介绍
在材料表面制 作特定结构的微纳结构一直是微电子及纳米科学领域的研究重点，然而传统光刻方法的尺寸限制以及高昂的成本，无法大批量生产大面积且周期尺度灵活变化的微纳图形，而这些特定的周期性结构制作，在微电子器件制作，生物医疗以及电子探测等领域中属于核心技术，因此低成本批量生产大面积微纳结构具有极高的市场价值。激光干涉光刻的方法对于低成本大批量大面积制造表面微纳结构方面有着无可比拟的优势，尤其在制作从几百纳米到几个微米尺度上的周期性结构时，激光干涉光刻的方法可以非常简便且低成本的完成工作。这些周期性结构包括光栅，点阵以及线阵结构。而后利用微电子领域常用的刻蚀方法，可以将这些微纳结构转移到衬底上面，从而使得激光干涉光刻可以在更多的领域得到应用。我们开发了这种利用激光干涉光刻技术先在光刻胶上制作微纳结构然后通过刻蚀方法转移到衬底上的方法，从而实现在各种衬底上制作表面微纳结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种在材料表面制作大面积周期性微纳尺度结构的方法，以用于电子、生物医疗等领域。本专利技术提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法，其特征在于：通过激光干涉光刻的方法在光刻胶上制作微纳结构，进而通过干法或者湿法刻蚀，将在光刻胶上的微纳结构转移到衬底的表面，具体步骤为：（1）在衬底上旋涂光刻胶；（2）通过激光干涉光刻方法在光刻胶表面制作微纳结构；（3）将光刻胶上的微纳结构利用刻蚀的方法转移到衬底上。

【技术特征摘要】
1.一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法，其特征在于通过激光干涉光刻的方法在光刻胶上制作微纳结构，进而通过干法或者湿法刻蚀，将在光刻胶上的微纳结构转移到衬底的表面，具体步骤为 (1)在衬底上旋涂光刻胶； (2)通过激光干渉光刻方法在光刻胶表面制作微纳结构； (3)将光刻胶上的微纳结构利用刻蚀的方法转移到衬底上。2.根据权利要求I所述的的方法，其特征在于所述光刻胶为g线、i线或紫外波段的正性光刻胶或负性光刻胶。3.根据权利要求I所述的的方法，其特征在于所述的衬底为硅、钼、钌、铱、铬或金，或者为氧化铱、玻璃或石英。4.根据权利要求I所述的的方法，其特征在于所述的微纳结构，包括材料表面的光栅、点阵、线阵或纳米针尖阵列结构，并且，该阵列结构是周期性的；所述的微纳结构的周期，是指光栅结构相邻两条突起纳米线中心距...

【专利技术属性】
技术研发人员：于航，陆冰睿，刘冉，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：