一种制备AgX@g-C3N4复合光催化材料的方法技术

技术编号:8125922 阅读:711 留言:0更新日期:2012-12-26 19:22
本发明专利技术公开了一种制备AgX@g-C3N4复合可见光催化材料的方法。首先在超声作用下,将具有片状结构的g-C3N4在银盐溶液中处理,使银离子负载在g-C3N4表面,然后加入卤盐溶液,通过银离子与卤素离子发生沉淀反应,形成AgX@g-C3N4复合材料。该方法成本低、制备过程简单易控、产物的可见光催化活性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 ー种利用卤素离子与具有片状结构的g_C3N4表面负载的银离子之间的沉淀反应,将卤化银负载在g_C3N4上制备了 AgXOg-C3N4复合光催化材料的方法,具体涉及银离子在g_C3N4表面的负载、卤素离子的加载等过程。
技术介绍
能源危机和环境污染是人类在新世纪所面临的重大问题,而光催化技术在缓解甚至解决这两方面问题都有重要意义,其中作为光催化技术的核心,光催化剂的探索成为关键。由于其光敏性,因此卤化银往往具有可见光响应性质,不过,也正是由于光敏性,在没有其他措施的情况下,纯的卤化银往往不稳定,很难作为稳定的(可见)光催化剂使用。与其他半导体材料复合成为解决其稳定性的一个行之有效的方案,而寻找低成本、高效的半导体材料显得非常重要。g-C3N4作为ー种碳化氮同素异形体,是ー种由三嗪环(-C3N3)组成的类石墨相的层状结构,片层之间存在的微弱的范德华力,使阴阳离子能插入其间,通过离子-η相互作用和静电作用而形成氮化碳插层化合物,而且其具有窄的带隙(2. 7eV),合成成本很低等特点。虽然现有技术中已经广泛报道卤化银与其他半导体材料的复合光催化材料[Yingpu Bi, S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用g?C3N4作为载体,硝酸银和卤盐分别作为银离子源和卤素离子源,制备AgX@g?C3N4复合光催化材料的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)称取g?C3N4粉末,加入到去离子水中,超声分散0.5~2小时;(2)称取硝酸银,溶解在(1)形成的分散液中,使硝酸银浓度为0.05~0.5M,并持续搅拌1~4小时;(3)称量卤盐,溶解在去离子水中,配置成0.05~0.5M的卤盐溶液;(4)按银离子与卤素离子的摩尔比为1∶1,将(3)中的溶液缓慢滴加至(2)形成的溶液中,持续搅拌10~24小时;(5)将步骤(4)中得到的产物过滤、洗涤、干燥后,得到AgX@g?C3N4复合材料,g?C3N4的质量比...

【技术特征摘要】
1.一种利用g-C3N4作为载体,硝酸银和卤盐分别作为银离子源和卤素离子源,制备AgXig-C3N4复合光催化材料的方法,其特征在于包括如下步骤 (1)称取g_C3N4粉末,加入到去离子水中,超声分散O.5 2小时; (2)称取硝酸银,溶解在(I)形成的分散液中,使硝酸银浓度为O.05 O. 5M,并持续搅拌I 4小时; (3)称量卤盐,溶解在去离子水中,配置成O.05 O. 5M的卤盐溶液; (4)按银离子与卤素离子的摩...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵崇军兰永焕钱秀珍徐云龙张金朝
申请(专利权)人:华东理工大学
类型:发明
国别省市:

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