一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口制造技术

本实用新型专利技术公开了一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，包括有锥形梯度绝缘陶瓷、内、外导体以及两端法兰，锥形梯度绝缘陶瓷一端与内导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷另一端与外导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷两端的材料梯度区域之间为纯陶瓷区域。本实用新型专利技术可以既有效的避免普通焊接结构中陶瓷受热被拉裂的问题，又可以方便对真空馈口段内、外导体进行焊接，同时降低真空馈口内、外导体的结构复杂性和加工难度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种真空密封射频传输部件，具体为离子回旋加热(ICRF)天线一种使用锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口。
技术介绍
在托卡马克实验装置中，ICRF加热天线是主要的辅助加热方式之一。而真空馈口是连接ICRF天线真空传输线和充有高压热氮气传输线的主要部件，它起着连接和真空密封重要作用。真空馈口在不仅起着真空密封重要作用，还起着内、外导体之间的高压绝缘作用。在ICRF天线运行高频和超高真空环境下，真空馈口绝缘材料需要满足介质损耗小而且出气率小的高物理要求，根据目前通常运用的绝缘材料性能，以氧化铝陶瓷为主要成分的陶瓷被选择为真空馈口的绝缘密封材料。目前国内、外真空馈口陶瓷密封形式有两种，一种是焊接密封结构，另外一种是金属弹性密封圈结构，弹性金属密封结构对陶瓷，金属连接的 密封面粗糙度要求很高，目前的陶瓷密封面很难达到高粗糙度要求，而且弹性金属密封圈价格昂贵，这导致金属弹性密封圈结构形式的真空馈口制造成本高。因此，目前国际上普遍使用的是焊接性形式的真空馈口结构。但是对于焊接形式的真空馈口结构，不管是圆柱状形状还是圆锥状形状绝缘陶瓷都需要与真空馈口内、外导体进行焊接，但在焊接过程中，绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，包括有锥形梯度绝缘陶瓷、内、外导体以及两端法兰，其特征在于：锥形梯度绝缘陶瓷一端与内导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷另一端与外导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷两端的材料梯度区域之间为纯陶瓷区域。

【技术特征摘要】
1.一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，包括有锥形梯度绝缘陶瓷、内、外导体以及两端法兰，其特征在于锥形梯度绝缘陶瓷一端与内导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷另一端与外导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷两端的材料梯度区域之间为纯陶瓷区域。2.根据权利要求I所述的锥形梯度绝缘陶瓷连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨庆喜，宋云涛，王成浩，赵燕平，
申请(专利权)人：中国科学院等离子体物理研究所，
类型：实用新型
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