【技术实现步骤摘要】
本技术属于太阳能多晶硅
,尤其涉及一种晶锭保护罩。
技术介绍
随着人类对能源需求的加大,太阳能成为ー种新兴能源出现人们的面前,作为太阳电池的机体——太阳能多晶硅片目前成为铸造行业的主流,提高多晶硅的利用率成为各个硅片加工企业的研究重点,多晶硅在其投料和铸锭后都不可避免的出现质量上的损耗,特别是在多晶硅锭的搬运过程中,往往会因为碰撞导致晶锭出现裂纹,在晶锭开方中发生有裂纹引起的崩角,使得硅料的利用率降低,直至硅片的产出率也降低,严重增加了生产成本
技术实现思路
针对上述技术问题,本技术提供ー种防止晶锭碰撞、減少晶锭损坏的保护罩。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为,ー种保护罩包括顶板和侧板,其为长度和宽度大于保护硅锭的长和宽5-20mm,高度高于保护硅锭高度5_20mm的五面体,顶板和侧板厚度为5-50mm。晶徒在100 C以下卸徒后,保护罩罩在晶徒上,晶徒的四个角被保护罩包裹,从而达到减少晶淀碰撞损坏。作为本技术的进ー步改进,所述保护罩顶板和/或侧板上设有散热孔,使晶锭的温度及时散出;保护罩顶板上设有卡槽,以便生产物流单插入。附图说明附图I为本技术保护罩外形结构示意图。具体实施方式以下结合附图I对本技术做出进ー步说明。如图I所示,本技术保护罩保护罩包括顶板I和侧板4,其为长度和宽度大于保护硅锭的长和宽5-20mm,高度高于保护硅锭高度5_20mm的五面体,顶板I和侧板4厚度为 5-50mmo从多晶炉出来的晶锭,在其表面温度降至100°C以下,卸除外部的氧化硅坩埚层,待晶锭称重和晶体编号写好后,把本技术保护罩罩在晶锭上,晶锭的四个角被保护罩包裏,从而达 ...
【技术保护点】
一种保护罩,其特征在于:所述保护罩包括顶板和侧板,为长度和宽度大于保护硅锭的长和宽5?20mm,高度高于保护硅锭高度5?20mm的五面体,所述顶板和侧板厚度为5?50mm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:司荣进,袁志钟,王禄堡,
申请(专利权)人:镇江环太硅科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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