阵列天线二次谐波干扰场建模计算方法技术

技术编号:8105860 阅读:312 留言:0更新日期:2012-12-21 04:50
本发明专利技术涉及一种对阵列天线二次谐波辐射场进行建模计算的方法,按以下步骤进行:对阵列天线的每个阵元采用电压源馈电;对每个阵元的激励振幅和相位进行设置;根据放大器非线性响应特性,计算阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位;将阵元表面利用三角形进行剖分,对馈线采用线段进行剖分,获得阵元表面和馈线的几何信息;根据阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位以及阵元表面和馈线的几何信息,计算阵元和馈线表面的感应电流。本发明专利技术通过准确获得阵列天线二次谐波发射时被干扰设备处干扰场,可以进一步获得被干扰设备接收端的耦合电平,为抑制和分析谐波干扰,提高敏感设备抗干扰性能提供了支持。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利属于电磁兼容领域,涉及一种对阵列天线二次谐波辐射场进行建模计算的方法。
技术介绍
随着单片微波集成电路的日趋成熟,宽带有源阵列天线广泛应用于星载及其它平台。放大器是有源阵列天线的关键部件,其位于天线辐射单元后面,工作于主频时由于非线性产生不需要的谐波,通过天线单元辐射出去,对平台上共场地布置的其它天线和设备产生二次、三次及以上谐波干扰。各种干扰形式包括同频干扰、谐波干扰、旁瓣干扰使被干扰设备性能降低甚至烧毁。为了获得被干扰设备接收端的耦合电平,首先必须获得阵列天线在被干扰设备处的干扰场。阵列天线的谐波方向图、波束宽度与阵列主频或基波发射时均不同。本专利技术提供的通过准确获得阵列天线二次谐波发射时被干扰设备处干扰场,可以进一步获得被干扰设备接收端的耦合电平,为抑制和分析谐波干扰,提高敏感设备抗干扰性能提供了支持。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于对电压源形式馈电的阵列天线的二次谐波辐射场进行建模计算的方法。为了达到上述目的,本专利技术采用如下技术方案一种对阵列天线二次谐波辐射场进行建模计算的方法,包括以下步骤 1)对阵列天线的每个阵元采用电压源馈电; 2)对每个阵元的激励振幅和相位进行设置; 3)根据放大器非线性响应特性,计算阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位; 具体而言,根据放大器非线性响应特性,若输入电压V in = V Ocos (co t_ 0 ),其中表示电压振幅, = ITf , Cj5为相位,经过放大器后二次谐波输出电压为权利要求1.一种,其特征在于包括以下步骤 1)对阵列天线的每个阵元采用电压源馈电; 2)对每个阵元的激励振幅和相位进行设置; 3)根据放大器非线性响应特性,计算阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位; 4)将阵元表面利用三角形进行剖分,对馈线采用线段进行剖分,获得阵元表面和馈线的几何信息; 5)根据阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位以及阵元表面和馈线的几何信息,计算阵元和馈线表面的感应电流。2.如权利要求I所述的,其特征在于步骤5)中计算阵元和馈线表面的感应电流是根据导体表面边界条件即切向电场为零建立电场积分方程,用矩量法求解,使用以下公式3.如权利要求I所述的,其特征在于该方法还包括步骤6)根据感应电流计算阵列天线谐波发射时辐射方向图和辐射近场; 使用公式全文摘要本专利技术涉及一种对阵列天线二次谐波辐射场进行建模计算的方法,按以下步骤进行对阵列天线的每个阵元采用电压源馈电;对每个阵元的激励振幅和相位进行设置;根据放大器非线性响应特性,计算阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位;将阵元表面利用三角形进行剖分,对馈线采用线段进行剖分,获得阵元表面和馈线的几何信息;根据阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位以及阵元表面和馈线的几何信息,计算阵元和馈线表面的感应电流。本专利技术通过准确获得阵列天线二次谐波发射时被干扰设备处干扰场,可以进一步获得被干扰设备接收端的耦合电平,为抑制和分析谐波干扰,提高敏感设备抗干扰性能提供了支持。文档编号G06F17/50GK102831270SQ20121030669公开日2012年12月19日 申请日期2012年8月27日 优先权日2012年8月27日专利技术者温定娥, 吴楠, 谢大刚, 王春, 黄明亮 申请人:中国舰船研究设计中心本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列天线二次谐波干扰场建模计算方法,其特征在于:包括以下步骤:1)对阵列天线的每个阵元采用电压源馈电;2)对每个阵元的激励振幅和相位进行设置;3)根据放大器非线性响应特性,计算阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位;4)将阵元表面利用三角形进行剖分,对馈线采用线段进行剖分,获得阵元表面和馈线的几何信息;5)根据阵列天线二次谐波发射时每个阵元的激励振幅和相位以及阵元表面和馈线的几何信息,计算阵元和馈线表面的感应电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:温定娥吴楠谢大刚王春黄明亮
申请(专利权)人:中国舰船研究设计中心
类型:发明
国别省市:

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