阵列基板及显示器件制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括公共电极和像素电极；公共电极包括设置于像素电极下方并通过绝缘层与其隔开的第一公共电极和与像素电极同层设置的第二公共电极，像素电极为条状电极，第二公共电极为条状电极且与像素电极相互间隔排列。本发明专利技术还公开了一种显示器件。本发明专利技术设置的像素电极和公共电极结构，能够同时形成边缘电场和面内电场，达到增强液晶光效、实现高透过率的效果，高透过率的阵列基板能节省显示器件中背光源的能量损耗，条状分布的像素电极能避免TFT-LCD中像素中心区域透过率较低的现象；由于设置第二公共电极，像素电极的面积相对减小，从而与第一公共电极的交叠面积减少，避免存储电容过大引起的充放电不良等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示器件。
技术介绍
近些年来，薄膜晶体管液晶显示器凭借其低功耗，无辐射等优点逐渐成为目前显示产品市场的主流趋势。图I为一种传统TFT-IXD中像素的平面结构示意图，图Ia和图Ib分别为图I中两个局部区域的放大图，图2对应于图I中的A-A'位置的剖视图，在图示的像素结构中，公共电极I为板状电极，像素电极2为条状电极，像素电极2位于公共电极I上方，像素电极2与公共电极I之间形成边缘电场Ef，并且公共电极I与像素电极2之间有很大的交叠面积， 即公共电极I与像素电极2分别在基板上的投影的重合面积很大，由此在公共电极I和像素电极2之间形成的存储电容较大，基于该像素结构所形成的显示器件中易出现与像素的充放电相关的不良现象，对于大尺寸高频率的显示面板制造而言，该问题将会愈加严重。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的首要技术问题是如何增强液晶显示器件中的液晶光效，以实现其高透过率；本专利技术进一步要解决的技术问题是如何避免像素电极与公共电极间存储电容过大所出现的充放电不良的现象。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括形成在基板上的公共电极和像素电极；其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括形成在基板上的公共电极和像素电极；其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开，所述第二公共电极与所述像素电极同层设置，所述像素电极为条状电极，所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极为板状电极。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影，所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影内。4.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极为条状电极。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度；所述像素电极在所述基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：