TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，涉及显示技术领域，以解决采用彩膜基板与阵列基板对盒的工艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，增加了不良产生的概率的问题，所述TFT阵列基板包括彩色滤光层，彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在钝化层与像素电极之间或者像素电极之上，所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。本发明专利技术实施例主要应用于显示领域，尤其适用于液晶显示面板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,尤其涉及ー种薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板、制造方法及液晶显示装置。
技术介绍
利用薄膜晶体管来产生电压以控制液晶转向的显示器，叫做薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,以下简称为 TFT-LCD)。TFT-LCD 包括液晶面板，液晶面板由彩膜基板以及阵列基板对盒而成，具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现，现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的エ艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，増加了不良产生的概率。此外，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供ー种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，解决了现有技术中采用彩膜基板与阵列基板对盒的エ艺，若在对盒的过程中，稍有不慎就会导致液晶面板的不良，増加了不良产生的概率，以及，对盒形成的液晶面板在外力的作用下，易于造成彩膜基板与阵列基板之间的错位，使得显示效果明显下降的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面，ー种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层形 成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成ー个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。具体的，所述彩色滤光层中至少ー种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩色滤光层中除所述至少一种基色的滤光层之外的其他基色的滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层均设置在所述像素电极之上。进ー步，具体的，所述第一滤光层和所述第二滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述第一滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第二滤光层和所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。可选的，所述彩色滤光层的三种基色的滤光层均设置在所述钝化层与所述像素电极之间。进ー步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，所述TFT的源极和漏极的下方均设有欧姆接触层。进ー步的，为了防止漏光，所述数据线的两侧设置有遮光条。 另ー方面，本专利技术实施例还提供ー种TFT阵列基板的制造方法，包括在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图エ艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成透明导电层和第二树脂层，通过构图エ艺形成像素电极和第二滤光层的图形；在具有像素电极和第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图エ艺形成第三滤光层的图形；其中，所述第一树脂层、所述第ニ树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有ー种基色的滤光层。进ー步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位 于所述源极和所述漏极的下方。进ー步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。另ー方面，本专利技术实施例还提供ー种TFT阵列基板的制造方法，包括在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图エ艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图エ艺形成第二滤光层的图形；在具有所述第二滤光层的图形基板上依次形成透明导电层和第三树脂层，通过构图エ艺形成像素电极和第三滤光层的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。进ー步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。进ー步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。另ー方面，本专利技术实施例还提供ー种TFT阵列基板的制造方法，包括在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图エ艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形；在所述具有钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图エ艺形成第二滤光层的图形；在具有所述第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图エ艺形成第三滤光层的图形；在具有所述第三滤光层的图形的基板上形成透明导电层，通过构图エ艺形成像素电极的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。进ー步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。进ー步的，为了防止漏光，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。另ー方面，本专利技术实施例还提供ー种TFT阵列基板的制造方法，包括在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层、沟道结构、钝化层接触孔的图形的基板上依次形成透明导电层和第一树脂层，通过构图エ艺形成像素电极和第一滤光层的 图形；在具有所述像素电极和第一滤光层的图形的基板上形成第二树脂层，通过构图エ艺形成第二滤光层的图形；在具有所述第二滤光层的图形基板上形成第三树脂层，通过构图エ艺形成第三滤光层的图形；其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。进ー步的，为了降低源极、漏极与有源层之间的接触电阻，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，其特征在于，还包括：彩色滤光层，所述彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层：第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成一个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。

【技术特征摘要】
1.ー种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT以及位于所述像素电极下方的钝化层，所述TFT的栅极与所述栅线相连、所述TFT的源极与所述数据线相连、所述TFT的漏极与所述像素电极相连，所述像素电极与所述TFT形成一个子像素，其特征在于，还包括 彩色滤光层，所述彩色滤光层形成在对应所述像素电极的区域，所述彩色滤光层包括三种基色的滤光层第一滤光层、第二滤光层以及第三滤光层，每种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间或者所述像素电极之上； 所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应设置在三个相邻的子像素依次排列，所述三个相邻的子像素构成ー个像素，每个子像素对应形成有一种基色的滤光层。2.根据权利要求I所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述彩色滤光层中至少ー种基色的滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩色滤光层中除所述至少一种基色的滤光层之外的其他基色的滤光层设置在所述像素电极之上。3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一滤光层和所述第二滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一滤光层设置在所述钝化层与所述像素电极之间，所述第二滤光层和所述第三滤光层设置在所述像素电极之上。5.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述三种基色的滤光层均设置在所述钝化层与所述像素电极之间。6.根据权利要求I所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述三种基色的滤光层均设置在所述像素电极之上。7.根据权利要求1-6任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT的源极和漏极的下方均设有欧姆接触层。8.根据权利要求1-6任一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述数据线的两侧设置有遮光条。9.ー种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求4所述的TFT阵列基板，该方法，包括 在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图エ艺形成钝化层接触孔和第一滤光层的图形； 在具有所述钝化层接触孔和所述第一滤光层的图形的基板上形成透明导电层和第二树脂层，通过构图エ艺形成像素电极和第二滤光层的图形； 在具有所述像素电极和所述第二滤光层的图形的基板上形成第三树脂层，通过构图エ艺形成第三滤光层的图形； 其中，所述第一树脂层、所述第二树脂层以及所述第三树脂层为三种不同基色的树脂层；所述第一滤光层、所述第二滤光层以及所述第三滤光层对应形成在三个相邻的像素电极依次排列，每个像素电极对应形成有一种基色的滤光层。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在基板上形成数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的同时，还形成有欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源极和所述漏极的下方。11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，在基板上形成栅线以及与所述栅线相连的栅极的图形的同时，还形成有遮光条的图形。12.—种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求3所述的TFT阵列基板，该方法，包括 在具有栅线、与所述栅线相连的栅极、数据线、源极、漏极、有源层以及沟道结构的图形的基板上依次形成钝化层和第一树脂层，通过构图エ艺形成钝化层接触孔和第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥春，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：