【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及磁控管。
技术介绍
参照附图中的图1,该图I是已知磁控管的轴向截面图,已知磁控管包括中空阳极1,总体上由附图标记2来表示的阴极延伸穿入中空阳极I。RF功率可以由容纳在陶瓷圆罩B中的耦合器A从阳极引出耦合到波导(未示出)中。输入功率由阴极与阳极之间的HTd. c.电源3来提供,其中阳极典型地处于地电位而阴极处于高负电位。阳极与阴极之间的互作用空间被抽真空,以便抑制阳极与阴极之间的HT电压,绝缘材料的套管4形成真空封壳的一部分。套管4由合金套管5、6分别接合到阳极和阴极。阴极是中空的,并且包括用于容纳芯8的外部套管7,并且阴极的发射部是白炽灯丝螺旋丝极(bright emitter helicalfilament) 90为在上端封闭真空封壳,阴极套管的向外发光区域10通过合金套管11、12而接合到芯8的端部,所述合金套管11、12彼此间由绝缘套管13分隔。套管11、12由科瓦合金(镍钴铁合金)制成,以便具有与陶瓷材料的绝缘套管13的热膨胀系数匹配的热膨胀系数。在芯的头部与阴极外部套管的发光部分之间施加用于对丝极进行加热的电源。电源包括总体上由附图标记14表 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·伯纳德·弗克斯,R·理查德森,
申请(专利权)人:E二V技术英国有限公司,
类型:
国别省市:
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