用于有机电致发光器件的材料制造技术

本发明专利技术涉及通式（1）的化合物，所述化合物适合在电子器件中使用，特别适合在有机电致发光器件中使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在电子器件中，特别是在有机电致发光器件中使用的材料。
技术介绍
例如，在US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和 WO 98/27136 中，描述了其中利用有机半导体作为功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。在这里使用的发光材料越来越多地是显示磷光而不是突光的有机金属络合物(M. A. Baldo等人，Appl. Phys.Lett. 1999, 75,4-6)。出于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可能实现高达四倍的能量和功率效率的增加。然而，总的来说，仍然需要改进0LED，特别是也仍然需 要改进显示三重态发光(磷光)的0LED，例如在效率、工作电压和寿命方面的改进。这尤其适用于在相对短波区域发光，例如发绿色光的0LED。不能仅仅由使用的三重态发光体确定磷光OLED的性能。特别是，使用的其它材料，例如基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料，此处同样具有特别重要的意义。因此，对这些材料的改进也可导致OLED性能的显著改进。同样仍需要改进用于荧光OLED的这些材料。根据现有技术，尤其是酮类(例如根据WO 2004/093207或W02010/006680)或氧化膦(例如根据WO 2005/003253)用作磷光发光体的基质材料。然而，当使用这些基质材料时，如在其它基质材料的情况下，仍需改进，特别是关于器件的效率和寿命方面。根据现有技术，例如根据WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851的咔唑衍生物，和例如根据WO 2007/063754或W2008/056746的吲哚并咔唑衍生物，此外在有机电致发光器件中被用作磷光发光体的基质材料。这些材料的缺点在于它们通常具有非常强的氧化敏感性，该缺点损害所述材料的制备、纯化和储藏，以及包括所述材料的溶液的长期稳定性。此处在该材料的效率、寿命和热稳定性方面同样希望进一步改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供适合在荧光或磷光OLED中，特别是在磷光OLED中使用的化合物，其例如用作基质材料或用作空穴传输/电子阻挡材料或激子阻挡材料或用作电子传输或空穴阻挡材料。特别地，本专利技术的目的是提供基质材料，其适合用于发出绿色和红色，以及蓝色磷光的OLED。令人惊讶的是，已经发现以下更详细描述的化合物实现了该目的，并导致在有机电致发光器件中，特别是在寿命、效率和工作电压方面的显著的改进。尤其是当使用本专利技术化合物作为基质材料时，这特别适用于发出红色和绿色磷光的电致发光器件。本专利技术的材料的进一步的特征在于在溶液中氧化稳定性的改进和高温稳定性。因此，本专利技术涉及这些材料和包括该类型化合物的有机电致发光器件。本专利技术涉及以下通式(I)的化合物权利要求1.通式(I)的化合物2.根据权利要求I的化合物，其特征在于X代表C=0、CR2,S、0或S02。3.根据权利要求I或2的化合物，其特征在于E在每次出现时相同或不同地代表单键、CR2、C=0、NR、0 或 S。4.根据权利要求I至3的一项或多项的化合物，其特征在于A代表以下通式(3)、(4)、(5)或(6)之一的基团5.根据权利要求I至4的一项或多项的化合物，其特征在于Ar代表以下通式(7)、(8)、(9)或(10)之一的基团6.根据权利要求I至5的一项或多项的化合物，其特征在于以下说明适用于使用的符号和标记X 是 C=0、CR2、S、0 或 SO2 ； E在每次出现时相同或不同地是单键、CR2, C=O, NR、0或S ; A是具有5至16个芳环原子的芳基或杂芳基基团，该基团在每一情况下可以被一个或多个基团R取代，或者是基团_CR=CR-、-CR=N-或-N=N-； Z=Z在五元环中代表上文给出的通式(2)的基团； Ar代表以下通式(7)至(10)之一的基团7.根据权利要求I至6的一项或多项的化合物，其选自以下通式(11)至(37)的化合物8.根据权利要求I至7的一项或多项的化合物，其选自以下通式(Ila)至(37a)的化合物9.根据权利要求I至8的一项或多项的化合物，其选自以下通式(Ilb)至(37b)的化合物10.根据权利要求7至9的一项或多项的化合物，其特征在于X代表C=O或SO2，和E代表 CR2、C=0 或 NR。11.根据权利要求I至10的一项或多项的化合物，其特征在于R在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，BnClN(Ar1)2, C(ZO)Ar1,具有I至10个C原子的直链烷基或烷氧基基团或具有3至10个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团或具有2至10个C原子的烯基或炔基基团，所述基团中的每一个可被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被0代替，且其中一个或多个H原子可被D或F代替，具有5至30个芳环原子的芳族或杂芳族环系，该环系在每一情况下可以被一个或多个基团R1取代，具有5至30个芳环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，该基团可被一个或多个基团R1取代，或这些体系的组合。12.制备权利要求I至11的一项或多项的化合物的方法，该方法包括使顺式吲哚并咔唑衍生物与芳基或杂芳基衍生物反应，所述芳基或杂芳基衍生物在邻位被齒素和酸衍生物取代，其中所述齒素优选碘，所述酸衍生物优选是羧酸酯、羧酰齒、磺酰齒、齒化膦或齒氧化膦。13.低聚物、聚合物或树枝状大分子，其包括一种或多种权利要求I至11的一项或多项的化合物，其中存在一个或多个从所述化合物到所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键。14.权利要求I至11或权利要求13的一项或多项的化合物在电子器件中的用途，特别是在有机电致发光器件中的用途。15.电子器件，其包含至少一种权利要求I至11或权利要求13的一项或多项的化合物，所述电子器件优选选自有机电致发光器件(0LED)、有机集成电路(0-IC)、有机场效应晶体管(O-FET )、有机薄膜晶体管(O-TFT )、有机发光晶体管(O-LET )、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学探测器、有机光感受器、有机场粹熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-Iaser)和“有机等离子体发射器件”。16.根据权利要求15的有机电致发光器件，其特征在于，根据权利要求I至11或权利要求13的一项或多项所述的化合物被用作荧光或磷光发光体的基质材料，和/或用于空穴阻挡层中和/或电子传输层中和/或用于电子阻挡或激子阻挡层中和/或用于空穴传输层中，或者其特征在于根据权利要求I至11或权利要求13的一项或多项所述的化合物用于光率禹合输出层中。全文摘要本专利技术涉及通式(1)的化合物，所述化合物适合在电子器件中使用，特别适合在有机电致发光器件中使用。文档编号C07F7/10GK102822174SQ201180015913 公开日2012年12月12日 申请日期2011年2月25日 优先权日2010年3月25日专利技术者埃米尔·侯赛因·帕勒姆, 克里斯托夫·普夫卢姆, 特雷莎·穆希卡-费尔瑙德 申请人:默克专利有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃米尔·侯赛因·帕勒姆，克里斯托夫·普夫卢姆，特雷莎·穆希卡费尔瑙德，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：
国别省市：