本发明专利技术公开了一种平衡式双通带滤波器，包括三层电路结构，由单面和双面微波介质基片组合而成，双面和单面微波介质基片间的金属面中线处设置有槽线，单面微波介质基片上对称设置有第一和第二微带传输线，双面微波介质基片上设置有与第一和第二微带传输线关于槽线对称分布的第三和第四微带传输线，单面或双面微波介质基片上还设置有：第一谐振器、分别关于第一谐振器对称分布在第三和第四微带传输线内侧以及外侧的第二和第三谐振器以及第四和第五谐振器。通过平衡式微带线到槽线的过渡形成超宽带的共模抑制，通过控制两对微带线和槽线的长度以调节第一通带的频率，通过控制第二和第三谐振器的尺寸以控制第二个通带的频率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波通信领域，尤其涉及一种平衡式双通带滤波器。
技术介绍
这些年来，平衡式滤波器在现代通信系统中占据越来越重要的地位，其原因在于，和单端滤波器相比，平衡式滤波器具有抑制例如噪声、串话干扰和部件间干扰等干扰的能力。而且，平衡式滤波器不需要平衡到不平衡 变换器(balun)就可直接连接其他平衡电路。平衡式双通带滤波器作为平衡式滤波器中重要的一员，国内外已研究出多种设计方法，t匕如两对平衡式谐振器、交叉耦合式中端加载的半波长谐振器、中端加载的阶跃阻抗谐振器和耦合式阶跃阻抗谐振器。但这些设计方法都没有涉及利用平衡式微带线到槽线的过渡来设计平衡滤波器。根据国内外的文献报道，在双通带滤波器的设计中，对两个通带的独立控制依然是主要挑战。超宽带的共模抑制还是难以实现，而且一般的共模抑制方法需要加载集总元件或者微带枝节，这些都会使得设计困难化、复杂化。另一方面，现有的平衡式双通带滤波器，第一通带带宽都比较较窄(范围〈30%)。目前，没有一明晰的方案来设计一种能独立控制两个通带并拥有较宽的第一通带和超宽带的共模抑制的平衡式双通带滤波器。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供能独立控制两个通带的一种平衡式双通带滤波器，并拥有较宽的第一通带和超宽带的共模抑制。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种平衡式双通带滤波器，包括对应设铬且连接的单面微波介质基片和双面微波介质基片，所述双面微波介质基片面向所述单面微波介质基片的金属面为公共地且在其中线处设铬有槽线；所述单面微波介质基片的金属面上对称设铬有垂直于所述槽线的第一微带传输线和第二微带传输线；所述双面微波介质基片背向所述单面微波介质基片的金属面上设铬有与所述第一微带传输线和第二微带传输线关于所述槽线对称分布的第三微带传输线和第四微带传输线；所述单面微波介质基片的金属面或者所述双面微波介质基片背向所述单面微波介质基片的金属面上还设络有位于中心位络的第一谐振器、关于所述第一谐振器对称分布在所述第三微带传输线和第四微带传输线内测的第二谐振器和第三谐振器、关于所述第一谐振器对称分布在所述第三微带传输线和第四微带传输线外测的第四谐振器和第五谐振器。优选地，所述单面微波介质基片和双面微波介质基片通过粘合介质连接。进一步优选地，所述粘合介质为半固化片。优选地，所述第二谐振器和第三谐振器相同；所述第四谐振器和第五谐振器相同。进一步优选地，所述第一谐振器、所述第二谐振器和第三谐振器、所述第四谐振器和第五谐振器分别为四分之一波长谐振器、半波长谐振器和全波长谐振器中的一种。进一步优选地，当所述第一谐振器为半波长谐振器时，其为折叠的π型半波长谐振器。优选地，所述单面微波介质基片和双面微波介质基片具有相同的介电常数和厚度。优选地，所述第一谐振器设铬于所述单面微波介质基片的金属面上。进一步优选地，所述第二谐振器和第三谐振器、所述第四谐振器和第五谐振器设铬于所述双面微波介质基片背向所述单面微波介质基片的金属面上。优选地，所述单面微波介质基片和双面微 波介质基片通过塑料螺钉固定连接；利用低温共烧陶瓷技术实现多层电路。实施本专利技术的技术方案，具有以下有益效果通过平衡式微带传输线到槽线的过渡实现超宽带的高共模抑制度；通过控制微带传输线和槽线的长度，能调节平衡式双通带滤波器的第一个通带的频率；通过加载第一谐振器，可以提高平衡式双通带滤波器的第一个通带频率高端的滚降系数，通过控制第一谐振器的尺寸，能调节平衡式双通带滤波器的第一个通带的带宽；通过加载第二和第三谐振器并控制其尺寸，能够产生并控制平衡式双通带滤波器的第二个通带的频率；通过加载第四和第五谐振器，可以在平衡式双通带滤波器第二通带的左边实现两个传输零点。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中图I是本专利技术的平衡式双通带滤波器的结构示意图；图2A是本专利技术的平衡式双通带滤波器实施例一中单面微波介质基片的金属面上的电路图；图2B是本专利技术的平衡式双通带滤波器实施例一中双面微波介质基片的面向单面微波介质基片的金属面上的电路图；图2C是本专利技术的平衡式双通带滤波器实施例一中双面微波介质基片的背向单面微波介质基片的金属面上的电路图；图3是本专利技术的平衡式双通带滤波器中在不同厚度半固化片的情况下多层板平衡式微带线到槽线过渡的频率响应的曲线图；图4是本专利技术的平衡式双通带滤波器中仅拥有较宽带宽的滤波器的频率响应的曲线图；图5是本专利技术的平衡式双通带滤波器的频率响应的曲线图；图6是本专利技术的平衡式双通带滤波器中第二通带关于耦合的拓扑结构；图7是本专利技术平衡式双通带滤波器中加载不同第二至第五半波谐振器的频率响应的曲线图。具体实施例方式以下结合实施例和附图对本专利技术做进一步的解释说明。参见图1-2C，本专利技术的平衡式双通带滤波器包括对应设铬且连接的单面微波介质基片100和双面微波介质基片200。其中，双面微波介质基片200面向单面微波介质基片100的金属面为公共地，并且在该金属面的中线处设铬有槽线11。单面微波介质基片100的金属面上对称设铬有垂直于槽线11的第一微带传输线12和第二微带传输线13。双面微波介质基片200背向单面微波介质基片100的金属面上设铬有与第一微带传输线12和第二微带传输线13 (实质为第一微带传输线12和第二微带传输线13在双面微波介质基片200的所述金属面上的对应位铬，其余以此类推)关于槽线11对称分布的第三微带传输线14和第四微带传输线15。单面微波介质基片100的金属面或者双面微波介质基片200背向单面微波介质基片100的金属面上还设铬有位于中心位铬的第一谐振器rl、关于第一谐振器rl对称分布在第三微带传输线14和第四微带传输线15内测的第二谐振器r2和第三谐振器r3、关于第一谐振器rl对称分布在第三微带传输线14和第四微带传输线15外测的第四谐振器r4和第五谐振器r5。应该这样理解，本专利技术的平衡式双通带滤波器包括第一至第五谐振器rl至r5，其中，第一谐振器rl、第二谐振器r2和第三谐振器r3、第四谐振器r4和第五谐振器r5这三组谐振器中的任一组可 以设铬在单面微波介质基片100上，也可以设铬在双面微波介质基片200。在本专利技术平衡式双通带滤波器实施一中，平衡式双通带滤波器包括三层不同的电路结构，由单面微波介质基片100的金属面上的电路、双面微波介质基片200的两个金属面上的电路组成。在本实施例中，单面微波介质基片100和双面微波介质基片200通过半固化片粘合，两片微波基片的介电常数和介质厚度一致，该三层电路的中间金属层(双面微波介质基片200面向单面微波介质基片100的金属面)为公共地，槽线11放铬在中间金属层其中线处。在本专利技术其他的实施例中，单面微波介质基片100和双面微波介质基片200还可以通过塑料螺钉固定连接。在本专利技术的实施例一中，第一微带传输线12和第二微带传输线13对称分布在顶层电路(单面微波介质基片100的金属面)，第三微带传输线14和第四微带传输线15与第一微带传输线12和第二微带传输线13关于中间层的槽线11对称分布在底层(双面微波介质基片200背向单面微波介质基片100的金属面)。第一谐振器rl为折叠过的π型半波长谐振器，第一谐振器rl设铬在顶层电路中心处。第二谐振器r2和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种平衡式双通带滤波器，包括对应设置且连接的单面微波介质基片（100）和双面微波介质基片（200），其特征在于，所述双面微波介质基片（200）面向所述单面微波介质基片（100）的金属面为公共地且在其中线处设置有槽线（l1）；所述单面微波介质基片（100）的金属面上对称设置有垂直于所述槽线（l1）的第一微带传输线（l2）和第二微带传输线(l3)；所述双面微波介质基片（200）背向所述单面微波介质基片（100）的金属面上设置有与所述第一微带传输线（l2）和第二微带传输线(l3)关于所述槽线（l1）对称分布的第三微带传输线(I4)和第四微带传输线(l5)；所述单面微波介质基片（100）的金属面或者所述双面微波介质基片（200）背向所述单面微波介质基片（100）的金属面上还设置有：位于中心位置的第一谐振器(r1)、关于所述第一谐振器(r1)对称分布在所述第三微带传输线(l4)和第四微带传输线(l5)内侧的第二谐振器(r2)和第三谐振器(r3)、关于所述第一谐振器(r1)对称分布在所述第三微带传输线(l4)和第四微带传输线(l5)外侧的第四谐振器(r4)和第五谐振器(r5)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施金，陈建新，包志华，周立衡，唐慧，杨永杰，陆清源，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：
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