本发明专利技术适用于LED领域，尤其涉及一种降压型LED驱动电路及灯具。在本发明专利技术实施例中，本降压型LED驱动电路均采用独立式元器件构成，使用单片机通过PWM脉冲控制来实现降压功能，并对LED灯组电流进行检测、控制，通过修改单片机控制程序，就可以对最大输出电流进行调节，也可以通过调光开关对LED灯组的亮度进行调节。本发明专利技术具有高效、可靠、廉价、简单、轻便等优点，克服了恒流集成的诸多缺点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LED领域，尤其涉及一种降压型LED驱动电路及灯具。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，新产品新技术不断革新，LED作为新型光源，它有着节能、环保、高效的特点，技术已经成熟并应用于各个领域，LED作为光源被广泛使用，随之也出现了各种各样的LED驱动电路，但是LED作为恒流器件，对电压的高低非常敏感，当输入电压远高于LED灯组额定电压的时候，那么LED灯组就不能工作在恒流状态，所以就需要把电压降低到LED灯组额定电压，再进行恒流驱动。目前普遍采用降压型恒流集成芯片来实现，它虽然有着功耗小、稳定可靠、重量轻等优点，但是其存在电路复杂、成本高、运用不够灵活等缺点，给使用者带来了不便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种降压型LED驱动电路，旨在解决现在的降压型LED驱动电路存在电路复杂、成本高、运用不够灵活的问题，且其具有无级调光的功能，可以安全可靠的驱动LED灯组正常工作。本专利技术是这样实现的，一种降压型LED驱动电路，接LED灯组，所述降压型LED驱动电路包括限流电阻Rl、限流电阻R2、上拉电阻R3、限流电阻R4、采样电阻R5、滤波电容CI、储能电容C2、滤波电容C3、储能电感LI、续流二极管Dl、调光开关SI、P型MOS管Q1、开关管、稳压芯片Ul和单片机U2;所述P型MOS管Ql的源极为降压型LED驱动电路的输入端接电源正极，所述P型MOS管Ql的漏极接储能电感LI的第一端，所述储能电感LI的第二端接所述LED灯组的正极，所述限流电阻Rl的第一端接电源正极，所述限流电阻Rl的第二端接稳压芯片Ul的输入端，所述稳压芯片Ul的接地端接地，所述滤波电容Cl连接在稳压芯片Ul的输出端和地之间，所述稳压芯片Ul的输出端接单片机U2的电源端，所述上拉电阻R3和调光开关SI串接在电源和地之间，所述单片机U2的调光信号采样端接所述上拉电阻R3和调光开关SI的公共连接端，所述采样电阻R5连接在LED灯组的负极与地之间，所述单片机U2的LED灯组电流采样端接所述采样电阻R5和LED灯组的公共连接端，所述单片机U2的PWM输出控制端通过限流电阻R4接开关管的控制端，所述开关管的低电位端接地，所述开关管的高电位端接P型MOS管Ql的栅极，所述限流电阻R2连接在电源正极与P型MOS管Ql的栅极之间，所述续流二极管Dl的阴极接储能电感LI的第一端，所述续流二极管Dl的阳极接地，所述储能电容C2的正极和LED灯组的正极连接，所述储能电容C2的负极接地，所述滤波电容C3连接在LED灯组的正极和负极之间。本专利技术的另一目的在于提供一种灯具，包括LED灯组，所述灯具还包括降压型LED驱动电路，所述降压型LED驱动电路包括限流电阻Rl、限流电阻R2、上拉电阻R3、限流电阻R4、采样电阻R5、滤波电容CI、储能电容C2、滤波电容C3、储能电感LI、续流二极管Dl、调光开关SI、P型MOS管Q1、开关管、稳压芯片Ul和单片机U2;所述P型MOS管Ql的源极为降压型LED驱动电路的输入端接电源正极，所述P型MOS管Ql的漏极接储能电感LI的第一端，所述储能电感LI的第二端接所述LED灯组的正极，所述限流电阻Rl的第一端接电源正极，所述限流电阻Rl的第二端接稳压芯片Ul的输入端，所述稳压芯片Ul的接地端接地，所述滤波电容Cl连接在稳压芯片Ul的输出端和地之间，所述稳压芯片Ul的输出端接单片机U2的电源端，所述上拉电阻R3和调光开关SI串接在电源和地之间，所述单片机U2的调光信号采样端接所述上拉电阻R3和调光开关SI的公共连接端，所述采样电阻R5连接在LED灯组的负极与地之间，所述单片机U2的LED灯组电流采样端接所述采样电阻R5和LED灯组的公共连接端，所述单片机U2的PWM输出控制端通过限流电阻R4接开关管的控制端，所述开关管的低电位端接地，所述开关管的高电位端接P型MOS管Ql的栅极，所述限流电阻R2连接在电源正极与P型MOS管Ql的栅极之间，所述续流二极管Dl的阴极接储能电感LI的第一端，所述续流二极管Dl的阳极接地，所述 储能电容C2的正极和LED灯组的正极连接，所述储能电容C2的负极接地，所述滤波电容C3连接在LED灯组的正极和负极之间。在本专利技术中，本降压型LED驱动电路均采用独立式元器件构成，使用单片机通过PWM脉冲控制来实现降压功能，并对LED灯组电流进行检测、控制，通过修改单片机控制程序，就可以对最大输出电流进行调节，也可以通过调光开关对LED灯组的亮度进行调节。本专利技术具有高效、可靠、廉价、简单、轻便等优点，克服了恒流集成的缺点。附图说明图I是本专利技术第一实施例提供的降压型LED驱动电路的结构图；图2是本专利技术第二实施例提供的降压型LED驱动电路的结构图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图I示出了本专利技术第一实施例提供的降压型LED驱动电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，详述如下。降压型LED驱动电路接LED灯组，降压型LED驱动电路包括限流电阻R1、限流电阻R2、上拉电阻R3、限流电阻R4、采样电阻R5、滤波电容Cl、储能电容C2、滤波电容C3、储能电感LI、续流二极管Dl、调光开关SI、P型MOS管Q1、开关管100、稳压芯片Ul和单片机U2 ；P型MOS管Ql的源极为降压型LED驱动电路的输入端接电源正极，P型MOS管Ql的漏极接储能电感LI的第一端，储能电感LI的第二端接LED灯组的正极，限流电阻Rl的第一端接电源正极，限流电阻Rl的第二端接稳压芯片Ul的输入端Vin，稳压芯片Ul的接地端gnd接地，滤波电容Cl连接在稳压芯片Ul的输出端Vout和地之间，用以保证稳压芯片Ul的输出端Vout输出稳定的电压，稳压芯片Ul的输出端Vout接单片机U2的电源端VCC，上拉电阻R3和调光开关SI串接在电源VCC和地之间，单片机U2的调光信号采样端PB4接上拉电阻R3和调光开关SI的公共连接端，采样电阻R5连接在LED灯组的负极与地之间，单片机U2的LED灯组电流采样端PBO接采样电阻R5和LED灯组的公共连接端，单片机U2的PWM输出控制端PBl通过限流电阻R4接开关管100的控制端，开关管100的低电位端接地，开关管100的高电位端接P型MOS管Ql的栅极，限流电阻R2连接在电源正极与P型MOS管Ql的栅极之间，续流二极管Dl的阴极接储能电感LI的第一端，续流二极管Dl的阳极接地，储能电容C2的正极和LED灯组的正极连接，储能电容C2的负极接地，保证LED灯组两端电压的稳定；滤波电容C3接在LED灯组的正极和负极之间，保证LED灯组不受外界干扰。作为本专利技术一实施例，开关管100采用三极管Q2，三极管Q2的基极为开关管100的控制端，三极管Q2的集电极为开关管100的高电位端，三极管Q2的发射极为开关管100的低电位端。 图2示出了本专利技术第二实施例提供的降压型LED驱动电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，详述如下。作为本专利技术一实施例，开关管100采用N型MOS管Q3，N型MOS管Q3的栅极为开关管100的控制端，N本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种降压型LED驱动电路，接LED灯组，其特征在于，所述降压型LED驱动电路包括：限流电阻R1、限流电阻R2、上拉电阻R3、限流电阻R4、采样电阻R5、滤波电容C1、储能电容C2、滤波电容C3、储能电感L1、续流二极管D1、调光开关S1、P型MOS管Q1、开关管、稳压芯片U1和单片机U2；所述P型MOS管Q1的源极为降压型LED驱动电路的输入端接电源正极，所述P型MOS管Q1的漏极接储能电感L1的第一端，所述储能电感L1的第二端接所述LED灯组的正极，所述限流电阻R1的第一端接电源正极，所述限流电阻R1的第二端接稳压芯片U1的输入端，所述稳压芯片U1的接地端接地，所述滤波电容C1连接在稳压芯片U1的输出端和地之间，所述稳压芯片U1的输出端接单片机U2的电源端，所述上拉电阻R3和调光开关S1串接在电源和地之间，所述单片机U2的调光信号采样端接所述上拉电阻R3和调光开关S1的公共连接端，所述采样电阻R5连接在LED灯组的负极与地之间，所述单片机U2的LED灯组电流采样端接所述采样电阻R5和LED灯组的公共连接端，所述单片机U2的PWM输出控制端通过限流电阻R4接开关管的控制端，所述开关管的低电位端接地，所述开关管的高电位端接P型MOS管Q1的栅极，所述限流电阻R2连接在电源正极与P型MOS管Q1的栅极之间，所述续流二极管D1的阴极接储能电感L1的第一端，所述续流二极管D1的阳极接地，所述储能电容C2的正极和LED灯组的正极连接，所述储能电容C2的负极接地，所述滤波电容C3连接在LED灯组的正极和负极之间。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，孙占民，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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