MEMS器件制造技术

一种制造MEMS器件的方法包括：形成MEMS器件元件(12)。在所述MEMS器件元件周围形成侧壁(20)，并且在所述器件元件上以及在所述侧壁内形成牺牲层(14)。在所述牺牲层上提供封装覆盖层(16)，并且去除所述牺牲层。这种方法向在MEMS器件上设置的帽盖提供附加的侧壁。然后，这些附加的侧壁可以通过不同的工艺沉积到封装覆盖层的顶部部分上，并且可以由不同的材料形成。所述侧壁可以防止牺牲层的回流，并且改善了侧壁的密封性质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴特·范维尔岑，汉斯·范扎德尔霍夫，格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：