一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，该方法为：一、制备具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片；二、将具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片置于水热反应釜中利用蒸汽进行热处理，得到Ni基晶质NiO纳米片阵列薄膜；三、薄膜浸渍；四、干燥；五、将干燥后的Ni基NiO纳米片阵列薄膜置于通有惰性气体的管式炉中进行热处理，得到Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极。采用本发明专利技术的方法制备的Ni基NiO纳米片阵列薄膜作为超级电容器的正极材料使用时，其比电容是未经改性处理的Ni基NiO纳米片阵列薄膜的2.0～3.2倍，电化学性能得到大幅提升，尤其是当放电电流密度提高10倍时，其比电容量仍能得到较好维持。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、采用阳极氧化方法制备具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片；步骤二、将步骤一中所述具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片平放在聚四氟乙烯平台上，然后一同置于容积为300mL～500mL带四氟乙烯内衬的水热反应釜中，向水热反应釜和聚四氟乙烯平台之间的空隙中添加10mL～30mL去离子水，最后将水热反应釜密封后置于烘箱内，在温度为160℃～180℃的条件下利用蒸汽对具有非晶态NiO多孔薄膜的Ni基片进行3h～20h的热处理，得到Ni基晶质NiO纳米片阵列薄膜；步骤三、将步骤二中所述Ni基晶质NiO纳米片阵列薄膜置于硝酸镧和葡萄糖的混合水溶液中浸渍12h～36h；所述混合水溶液中硝酸镧的浓度为0.01mol/L～0.1mol/L，葡萄糖的浓度为0.01mol/L～0.1mol/L；步骤四、将步骤三中经浸渍后的Ni基晶质NiO纳米片阵列薄膜取出，置于烘箱中干燥；步骤五、将步骤四中干燥后的Ni基晶质NiO纳米片阵列薄膜置于通有惰性气体的管式炉中进行热处理，得到Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极；所述惰性气体为氮气或氩气，惰性气体流速为20mL/min～50mL/min；所述热处理温度为350℃～500℃，热处理时间为30min～360min。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李纲，张文彦，李广忠，
申请(专利权)人：西北有色金属研究院，
类型：发明
国别省市：