一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法技术

本发明专利技术属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明专利技术提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料，原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)，采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7N2材料。本发明专利技术可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体或者块体材料，所制备出的Y4Si2O7N2陶瓷块体材料具有高熔点、低密度、低热导率等特点，是优良的隔热高温陶瓷材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。
技术介绍
Y4Si2O7N2陶瓷材料是一种熔点高达1980°C新型难熔陶瓷材料，具有高硬度、高模量、良好的介电性能，因此可以作为一种新型的高温结构/功能一体化陶瓷。由于在高温时该陶瓷具有很低的热导率、较低的密度和较高的抗弯强度，因此Y4Si2O7N2也可以作为潜在的隔热材料，在航空、航天、核工业和超高温结构件等高新
有广泛的应用前景。但是由于Y4Si2O7N2在Y2O3-SiO2-Si3N4体系中有较多的竞争相，因而难以获得纯相的Y4Si2O7N2陶瓷。目前报道采的制备方法为将Y203、SiO2和Si3N4粉末在氮气气氛、1650°C保温2个小时进行烧结(Journal of the European Ceramic Society, 16,1996, 553-560)。其缺点是 烧结温度高，耗时长，且获得材料中含有Y2O3杂质相。
技术实现思路
本专利技术就是针对上述问题，提供了。其工艺简单、温度低、耗时短，可以获得高纯度的钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法，其特征在于：其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料，原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8？1.2)∶(0.8？1.2)，采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7N2材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周延春，孙鲁超，王京阳，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：