一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法技术

本发明专利技术属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。本发明专利技术提供了一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)，氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)为原料，采用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料，原料的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。这种方法工艺简单，成本低廉且可操作性强，能够在较低的温度，较短的保温时间内获得单相纯净的钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。
技术介绍
Y4Si2O7N2陶瓷材料是一种熔点高达1980°C的新型难熔陶瓷材料，具有高硬度，高模量，很好的介电性能，因此可以作为一种新型的高温结构/功能陶瓷。由于在高温下该陶瓷具有很低的热导率，较低的密度和较高的抗弯强度，因此Y4Si2O7N2也可以作为潜在的隔热材料，在航空、航天、核工业、超高温结构件等高新
都有潜在的广泛应用前景。但是由于Y4Si2O7N2在Y2O3-SiO2-Si3N4体系中高温时竞争相很多，因而难以获得严格符合化 学计量比的Y4Si2O7N2陶瓷。目前采用的制备方法为将Y2O3, SiO2和Si3N4粉末在氮气气氛，165CTC保温 2 个小时合成制备(Journal of the European Ceramic Society, 16,1996,553-560)。其缺点是合成温度高，耗时长，且所得样品中含有Y2O3杂质相。
技术实现思路
本专利技术就是针对上述问题，提供了一种利用微波法制IY4Si2O7N2粉体材料的方法，其工艺简单、温度较低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：其以氧化钇粉(Y2O3)，氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)为原料，采用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料，原料的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8？1.2)∶(0.8？1.2)，粉体材料为100？300目。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周延春，孙鲁超，王京阳，王杰民，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：