本发明专利技术涉及一种含有荧光体的硅氧烷固化物，是具有通式(1)及/或(2)表示的结构、并且具有选自通式(3)及/或(4)的单元的硅氧烷固化物，进一步含有荧光体、及具有选自通式(3)及/或(4)的单元的粒子。本发明专利技术还涉及该固化物的制造方法；用于得到该固化物的含有荧光体的硅氧烷组合物；用于得到该固化物的含有荧光体的硅氧烷组合物前体。式中R1～R3表示氢原子、甲基、乙基、丙基，X表示亚甲基、二亚甲基或三亚甲基，R4～R6为取代或非取代的一价烃基，分别相同或不同。(R4R5SiO2/2)(3)(R6SiO3/2)(4)
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有荧光体的硅氧烷固化物、其制造方法、含有荧光体的硅氧烷组合物、其组合物前体、片状成型物、LED封装、发光装置及LED安装基板的制造方法。特别涉及荧光体均匀分散的通过氢化硅烷化进行了固化的硅氧烷固化物。进而，本专利技术涉及LED安装基板的制造方法。特别涉及可以将多个LED元件连续一起安装的制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED、Light Emitting Diode)以其发光效率的惊人提高为背景，以低耗电、高寿命、设计性等为特长，在液晶显示器(LCD)的背光方面、及特殊照明领域其市场正急剧扩大。进而，通过发光效率的进一步提高，以上述环境低负荷为特长，期待今后在一 般照明领域形成巨大的市场。另一方面，由于LED的发光光谱依赖于形成LED芯片的半导体材料，所以为了得到面向LCD背光及一般照明的白色光，需要在LED芯片上设置与各个芯片相应的荧光体。具体而言，提出了在发光为蓝色的LED芯片上设置黄色荧光体的方法，在蓝色LED芯片上设置红及绿的荧光体的方法，进而在发射紫外线的LED芯片上设置红、绿、蓝的荧光体的方法等，但从LED芯片的发光效率及成本方面考虑，现在最广泛采用的是在蓝色LED上设置黄色荧光体的方法，在蓝色荧光体上设置红及绿的荧光体的方法。作为在LED芯片上设置荧光体的一个方法，进行下述方法，将分散有荧光体的高分子组合物在芯片上形成膜，之后，用透明性高、耐热性、耐光性良好的硅氧烷类材料进行密封的方法。例如，专利文献I 2中为了在硅氧烷类材料中进一步赋予高硬度、耐冷热冲击性、低气体透过性等各种性能，研究了使用二氧化硅粒子，另外，作为分散荧光体的材料，为了得到高透明性、以及高硬度、耐冷热冲击性，研究了使用硅氧烷类材料。特别是在专利文献2中，公开了通过在表面使用用有机聚硅氧烷进行了接枝化的二氧化硅粒子，能够同时实现固化膜的光透过性和强度，并且能够防止荧光体的沉降而不会表现出触变性。另外，例如，专利文献3中还提出了为了抑制荧光体的沉降在硅氧烷树脂等树脂中均匀分散芯壳型硅氧烷微粒等的技术。LED模块发射的光的色度是由与LED元件相关的差异(LED元件发射的光的波长偏离、亮度的差异)、和与荧光体相关的差异(密封树脂内含有的荧光体的量的差异、沉降导致的密封树脂内荧光体分布的偏差)两者引起而产生的。例如，专利文献4中提出了下述方法，在搭载有多个LED模块的LED发光构件的情况下，为了减少LED发光构件内LED模块间的色度差异，将各LED模块对应于色度的偏离进行分级，仅收集同一级别的LED模块作为LED发光构件。专利文献I日本特开2009-173694号公报专利文献2日本特开2009-120437号公报专利文献3日本特开2006-339581号公报专利文献4日本特开2010-44874号公报。
技术实现思路
专利文献I 2的技术中，存在荧光体的沉降抑制效果不充分，另外，透明性不充分等问题。专利文献3的技术中，遗留有下述课题，树脂自身的耐光性、耐热性等方面存在改良的余地，需要用于得到芯壳型微粒的烦杂的工艺等。专利文献4的技术中，需要使用制造工序烦杂的特殊粒子，寻求使用廉价的原材料的、更简便的方法。本专利技术着眼于上述课题，目的在于提供硅氧烷固化物及硅氧烷组合物，所述硅氧烷固化物发挥了耐热性、耐光性良好等硅氧烷材料的特长，并且均匀分散有荧光体，所述硅氧烷组合物为了得到该固化物，抑制荧光体的沉降，并且触变性不会显著上升。进而，在现有方法中，由于需要对LED模块进行分级，所以在制造色度差异小的LED发光构件方面花费的功夫及成本大，本专利技术的目的在于鉴于上述现有技术的课题，提供简便且低成本地制造色度差异小的LED发光构件的方法。S卩，本专利技术的含有荧光体的硅氧烷固化物是具有通式(I)及/或(2)表示的结构、并且具有选自通式(3)及/或(4)的单元的硅氧烷固化物，进一步含有荧光体、及具有选自通式⑶及/或⑷的单元的粒子。权利要求1.一种含有荧光体的硅氧烷固化物，是具有通式⑴及/或⑵表示的结构、并且具有选自通式(3)及/或(4)的单元的硅氧烷固化物，进一步含有荧光体、及具有选自通式(3)及/或(4)的单元的粒子，2.如权利要求I所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述粒子具有单一结构。3.如权利要求I所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述含有荧光体的硅氧烷固化物的厚度为75“111时，波长45011111处251的透过率与60°C的透过率之比为0.8以上。4.如权利要求I所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，将所述粒子与下述(A) (C)成分固化得到的硅氧烷固化物的厚度为75 μ m时，波长450nm处25°C的透过率与60°C的透过率之比为O. 8以上， (A)成分具有选自通式(5)及/或￠)的单元且I分子中具有2个以上键合于硅原子上的链烯基的化合物， (B)成分具有选自通式(5)及/或￠)的单元且I分子中具有2个以上键合于硅原子上的氢原子的化合物， (C)成分氢化硅烷化反应催化剂， (R7R8SiO272) (5) (R9SiO372) (6) R7 R9为取代或非取代的一价烃基，分别相同或不同。5.如权利要求I所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述粒子的折射率Cl1与所述粒子及荧光体以外的部分的折射率d2之差小于O. 03。6.如权利要求I所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述粒子的折射率Cl1与将下述(A) (C)成分固化得到的固化物的折射率屯之差小于O. 03， (A)成分具有选自通式(5)及/或￠)的单元且I分子中具有2个以上键合于硅原子上的链烯基的化合物， (B)成分具有选自通式(5)及/或￠)的单元且I分子中具有2个以上键合于硅原子上的氢原子的化合物， (C)成分氢化硅烷化反应催化剂， (R7R8SiO272) (5) (R9SiO372) (6)R7 R9为取代或非取代的一价烃基，分别相同或不同。7.如权利要求I所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述粒子的平均粒径为O.Ol μ m 10 μ m08.如权利要求I 7中任一项所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述粒子是将有机硅烷及/或其部分水解产物水解·缩合得到的。9.如权利要求I 8中任一项所述的含有荧光体的硅氧烷固化物，所述粒子具有链结构。10.一种含有荧光体的硅氧烷组合物，是用于得到权利要求I 9中任一项所述的含有荧光体的硅氧烷固化物的硅氧烷组合物，所述含有荧光体的硅氧烷组合物混合有下述 (A) (E)成分， (A)成分具有选自通式(5)及/或￠)的单元且I分子中具有2个以上键合于硅原子上的链烯基的化合物， (B)成分具有选自通式(5)及/或￠)的单元且I分子中具有2个以上键合于硅原子上的氢原子的化合物， (C)成分氢化硅烷化反应催化剂， (D)成分荧光体， (E)成分具有选自通式(5)及/或(6)的单元的粒子， (R7R8SiO272) (5) (R9SiO372) (6) R7 R9为取代或非取代的一价烃基，分别相同或不同。11.如权利要求10所述的含有荧光体的硅氧烷组合物，屈服值为O.OlPa以上。12.—种硅氧烷组合物前体，是用于得到权利要求10或11所述的含有荧光体的硅氧烷组合物的硅氧烷组合物前体，所述硅氧烷组合物前体是混合下述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤一起，后藤哲哉，江口益市，北川隆夫，川本一成，石田丰，土谷浩史，赤松孝义，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：
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