用于电子器件的化合物制造技术

本发明专利技术涉及式（1）或（2）的化合物及其在电子器件中的用途，并涉及含有所述化合物的电子器件。本发明专利技术还涉及式（1）或（2）的化合物的制备以及涉及含有一种或多种式（1）或（2）的化合物的制剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及式(I)或(2)的化合物，并涉及其在电子器件中的用途，以及涉及包含这些化合物的电子器件。本专利技术还涉及式(I)或(2)的化合物的制备并涉及包含一种或多种式(I)或(2)的化合物的制剂。
技术介绍
式(I)或(2 )的化合物根据本专利技术用于电子器件中，优选用于有机电致发光器件(OLED)中。这些器件的一般结构例如描述在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO98/27136 中。现有技术中已知用于有机电致发光器件的空穴传输和注入材料尤其是芳基胺化合物。基于茚并芴骨架的这种类型的材料公开在例如WO 2006/100896和WO 2006/122630 中。然而，现有技术中已知的空穴传输材料通常具有低的电子稳定性，这降低了包含这些化合物的电子器件的寿命。总体上，希望在荧光有机电致发光器件的效率方面和在寿命方面有进一步改进，尤其在蓝色荧光器件的情况下。对于在所述电子器件的操作电压方面还有改进的可能。因此需要如下备选的化合物，该化合物可尤其用作有机电致发光器件中的空穴传输材料，并且该化合物优选对于所述器件的上述性能数据产生改进的效果。现有技术中已知用于磷光掺杂剂的基质材料尤其是咔唑衍生物，例如双(咔唑基)联苯。另外已知酮(W0 2004/093207)、氧化膦和砜(W0 2005/003253)作为用于磷光掺杂剂的基质材料的用途。金属络合物，例如BAlq或锌(II)双也用作用于磷光掺杂剂的基质材料。然而，仍然需要用于磷光掺杂剂的备选基质材料，特别是对所述电子器件的性能数据产生改进效果的那些材料。另外，特别感兴趣的是提供作为混合基质体系的基质组分的备选材料。在本申请意义上，混合基质体系被认为是指如下体系，在该体系中两种或更多种不同的基质化合物作为混合物与一种(或多种)掺杂剂化合物一起在发光层中使用。这些体系在磷光有机电致发光器件的情况下是特别令人感兴趣的。对于更详细的信息，参照申请WO 2010/108579。在混合基质体系中可以提及作为基质组分的现有技术中已知的化合物尤其是CBP(双咔唑基联苯)和TCTA (三咔唑基三苯基胺)(第一组分)。适合作为第二组分的是例如二苯甲酮衍生物、二氮杂磷杂环戊二烯(参见申请WO 2010/054730)和三嗪的化合物。然而，仍然需要在混合基质体系中用作基质组分的备选化合物。特别地，需要对在所述电子器件的操作电压和寿命方面产生改进效果的化合物。申请WO 2007/031165和WO 2006/033563公开了在电子器件中用作功能材料的三芳基胺衍生物。在所述三芳基胺化合物中，各个芳基基团以限定的方式彼此桥连并且被咔唑衍生物另外取代。然而，其中公开的化合物含有三个咔唑基团，这些基团对称地布置在中心的三芳基胺基团的周围。另外，桥连的三芳基胺衍生物还公开在申请WO 2010/083871中。然而，仍然需要用于在OLED中使用的功能材料，其优选对所述电子器件的性能数据方面，特别是在所述器件的寿命和效率方面产生改进的效果。特别地，需要具有高空穴迁移率的化合物。这使得所述操作电压对所述空穴传输层的厚度的依赖性降低，这代表了高度希望的性质。另外，需要氧化和温度稳定的化合物，因为这改进了当在电子器件中使用时的可加工性。
技术实现思路
为了实现上述技术目的，本专利技术提供式(I)和(2 )的化合物。本专利技术因此涉及式(I)或(2 )的化合物 权利要求1.式(I)或(2)的化合物2.根据权利要求I所述的式(I)或(2)的化合物，其特征在于在取代基键合到基团Z的情况下，Z等于CR或者等于C。3.根据权利要求I或2所述的化合物，其特征在于该化合物符合式(4)至(14)中的一个4.根据权利要求I至3中一项或多项所述的化合物，其特征在于k等于I。5.根据权利要求I至4中一项或多项所述的化合物，其特征在于L在每次出现时相同或不同地选自 C (R) 2、NR、O、S、C=O, C=NR、S=O, S (=0) 2 和 CR=CR06.根据权利要求I至5中一项或多项所述的化合物，其特征在于X选自C(R)2、NR、O、S、C=0、C=NR、S=O 和 S(=0)2。7.根据权利要求I至6中一项或多项所述的化合物，其特征在于R在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，CN, Si (R1) 3, N (R1) 2或具有I至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团或者具有3至20个C原子的支链或环状烷基或烷氧基基团，所述基团中的每一个可以被一个或多个基团R1取代，其中一个或多个相邻的或非相邻的CH2基团可以被-C = C-^-R1C=CR1-,Si (R1)2^ C=O, C=NR1, -NR1-, _0_、-S-、-C00-或-CONR1-替代，或者具有 5 至 30 个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述基团在每种情况下可以被一个或多个基团R1取代，其中两个或更多个基团R可以彼此连接并可以形成环。8.根据权利要求I至7中一项或多项所述的化合物，其特征在于最多一个基团R表示咔唑衍生物。9.根据权利要求I至8中一项或多项所述的化合物，其特征在于所述化合物符合式(15)至(74)中的一个10.低聚物、聚合物或树枝状大分子，其包含一种或多种根据权利要求I至9中一项或多项所述的化合物，其中一个或多个键合到所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键可以位于任何希望的在式(I)或式(2)中基团R取代的位置处。11.制剂，其包含至少一种根据权利要求I至9中一项或多项所述的化合物或至少一种根据权利要求10所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子，和至少一种溶剂。12.制备根据权利要求I所述的式(I)或式(2)的化合物的方法，该方法包括至少一个偶联反应，该偶联反应用于将含有所述咔唑基团的部分连接到含有所述芳基氨基基团的部分。13.根据权利要求I至9中一项或多项所述的化合物或根据权利要求10所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子在电子器件中的用途，优选在有机电致发光器件(OLED)中的用途。14.电子器件，其包含至少一种根据权利要求I至9中一项或多项所述的化合物或至少一种根据权利要求10所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子，该电子器件特别选自有机集成电路(0-IC)、有机场效应晶体管(0-FET)、有机薄膜晶体管(0-TFT)、有机发光晶体管(0-LET)、有机太阳能电池(Ο-SC)、有机光探测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-Iaser)和有机电致发光器件(OLED)。15.根据权利要求14所述的有机电致发光器件，其特征在于根据权利要求I至9中一项或多项所述的化合物或根据权利要求10所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子用作空穴传输层或空穴注入层中的空穴传输材料和/或用作发光层中的基质材料。全文摘要本专利技术涉及式(1)或(2)的化合物及其在电子器件中的用途，并涉及含有所述化合物的电子器件。本专利技术还涉及式(1)或(2)的化合物的制备以及涉及含有一种或多种式(1)或(2)的化合物的制剂。文档编号H01L51/00GK102782894SQ201180011818 公开日2012年11月14日 申请日期2011年1月21日 优先权日2010年3月2日专利技术者侯赛因·埃米尔·帕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：康斯坦策·布罗克，克里斯托夫·普夫卢姆，侯赛因·埃米尔·帕勒姆，罗科·福特，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：