一种过流保护电路及灯具制造技术

本发明专利技术适用于保护电路领域，尤其涉及一种过流保护电路及灯具。在本发明专利技术实施例中，本过流保护电路采用分立元件构成，当负载电流大于设计的过流保护电流值时，能够迅速切断负载供电回路，达到负载过流保护的目的，且该过流保护电路的结构简单、成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于保护电路领域，尤其涉及一种过流保护电路及灯具。
技术介绍
电能与我们的生活息息相关，电子设备、电子仪器等各种电子产品的正常运行均离不开电能，但是每种电子产品都有额定的工作电流，如果工作电流过大，那么就处于非正常的工作状态，需要电路进行保护，否则会损坏设备、仪器等电子产品。目前的过流保护电路普遍采用单片机采样电流并输出控制，尽管采用单片机控制具有效率高、运用灵活等优点，但是单片机需要配合基准源、采样电路等多种器件才能工作，因此具有占用空间大、结构复杂、成本闻昂等诸多缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种过流保护电路，旨在解决现在的过流保护电路存在结构复杂、成本高昂的问题。本专利技术是这样实现的，一种过流保护电路，连接在电源和用电负载之间，所述过流保护电路包括稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、米样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管；所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，所述分压电阻Rl的第一端接电源正极，所述分压电阻Rl的第二端通过分压电阻R2接地，所述第一开关管的控制端接分压电阻Rl和分压电阻R2的公共连接端，所述第一开关管的低电位端接地，所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间，所述采样电阻R6的第一端接用电负载，所述采样电阻R6的第二端接地，所述稳压管Dl的阴极接采样电阻R6的第一端，所述稳压管Dl的阳极接分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。本专利技术的另一目的在于提供一种灯具，包括连接在电源和灯具电路之间的过流保护电路，所述过流保护电路包括稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、米样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管；所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，所述分压电阻Rl的第一端接电源正极，所述分压电阻Rl的第二端通过分压电阻R2接地，所述第一开关管的控制端接分压电阻Rl和分压电阻R2的公共连接端，所述第一开关管的低电位端接地，所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间，所述采样电阻R6的第一端接用电负载，所述采样电阻R6的第二端接地，所述稳压管Dl的阴极接采样电阻R6的第一端，所述稳压管Dl的阳极接分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。在本专利技术中，本过流保护电路采用分立元件构成，当负载电流大于设计的过流保护电流值时，能够迅速切断负载供电回路，达到负载过流保护的目的，且该过过流保护电路的结构简单、成本低廉。附图说明图I是本专利技术第一实施例提供的过流保护电路的电路结构图； 图2是本专利技术第二实施例提供的过流保护电路的电路结构图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图I示出了本专利技术第一实施例提供的过流保护电路的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，详述如下。过流保护电路，连接在电源和用电负载之间，过流保护电路包括稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、米样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管101和第二开关管102 ；P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，分压电阻Rl的第一端接电源正极，分压电阻Rl的第二端通过分压电阻R2接地，第一开关管101的控制端接分压电阻Rl和分压电阻R2的公共连接端，第一开关管101的低电位端接地，第一开关管101的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管101的高电位端之间，采样电阻R6的第一端接用电负载，采样电阻R6的第二端接地，稳压管Dl的阴极接采样电阻R6的第一端，稳压管Dl的阳极接分压电阻R5的第一端，分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，第二开关管102的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，第二开关管102的低电位端接地，第二开关管102的高电位端接第一开关管101的控制端。作为本专利技术一实施例，第一开关管101采用三极管Q1，三极管Ql的基极为第一开关管101的控制端，三极管Ql的集电极为第一开关管101的高电位端，三极管Ql的发射极为第一开关管101的低电位端。作为本专利技术一实施例，第二开关管102采用三极管Q3，三极管Q3的基极为第二开关管102的控制端，三极管Q3的集电极为第二开关管102的高电位端，三极管Q3的发射极为第二开关管102的低电位端。图2示出了本专利技术第二实施例提供的过流保护电路的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，详述如下。作为本专利技术一实施例，第一开关管101采用N型MOS管Q4，N型MOS管Q4的栅极为第一开关管101的控制端，N型MOS管Q4的漏极为第一开关管101的高电位端，N型MOS管Q4的源极为第一开关管101的低电位端。作为本专利技术一实施例，第二开关管102采用N型MOS管Q5，N型MOS管Q5的栅极为第二开关管102的控制端，N型MOS管Q5的漏极为第二开关管102的高电位端，N型MOS管Q5的源极为第二开关管102的低电位端。下面以第一开关管101采用三极管Ql，第二开关管102采用三极管Q3为例，对过流保护电路的工作原理进行说明当接通电源且用电负载工作电流正常时，电源通过分压电阻Rl和分压电阻R2分压，三极管Ql基极电压为高电平且进入开通状态，那么P型MOS管Q2的栅极通过三极管Ql集电极和发射极连接到地，P型MOS管Q2栅极电压为低电平，P型MOS管Q2进入导通状态， 那么P型MOS管Q2的源极和漏极直通，电源给用电负载供电，此时用电负载工作电流正常，稳压管Dl截止，三极管Q3基极为低电平，处于关断状态。当用电负载工作电流大于设计的过流保护电流值时，采样电阻R6上的电压升高，稳压管Dl被击穿而进入导通状态，三极管Q3基极电平由低变成高且进入导通状态，那么三极管Ql基极电平由高变成低且进入关断状态，那么P型MOS管Q2栅极电平由低变成高，P型MOS管Q2进入关断状态，那么P型MOS管Q2的源极和漏极断开，电源不再给用电负载供电。如果用电负载工作电流恢复正常，此时稳压管Dl由导通转为不导通状态，三极管Q3基极电平由高变成低，三极管Q3进入关断状态，三极管Ql基极电平由低变成高，三极管Ql进入导通状态，那么P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流保护电路，连接在电源和用电负载之间，其特征在于，所述过流保护电路包括：稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管；所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，所述分压电阻R1的第一端接电源正极，所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地，所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端，所述第一开关管的低电位端接地，所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间，所述采样电阻R6的第一端接用电负载，所述采样电阻R6的第二端接地，所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端，所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。

【技术特征摘要】
1.一种过流保护电路，连接在电源和用电负载之间，其特征在于，所述过流保护电路包括: 稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管； 所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，所述分压电阻Rl的第一端接电源正极，所述分压电阻Rl的第二端通过分压电阻R2接地，所述第一开关管的控制端接分压电阻Rl和分压电阻R2的公共连接端，所述第一开关管的低电位端接地，所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间，所述采样电阻R6的第一端接用电负载，所述采样电阻R6的第二端接地，所述稳压管Dl的阴极接采样电阻R6的第一端，所述稳压管Dl的阳极接分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。2.如权利要求I所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一开关管采用三极管Ql，所述三极管Ql的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Ql的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Ql的发射极为第一开关管的低电位端。3.如权利要求I所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一开关管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端，所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。4.如权利要求I所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第二开关管的高电位端，所述三极管Q3的发射极为第二开关管的低电位端。5.如权利要求I所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二开关管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端，所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，孙占民，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：