一种电致发光阳极、电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术适用于光电技术领域，提供了一种电致发光阳极、电致发光器件及其制备方法。该电致发光阳极包括相层叠的第一介质层、第二介质层以及位于该第一介质层、第二介质层之间的金属层，该第一介质层、第二介质层的材质为空穴注入性金属氧化物；该金属层的材质为透光性金属。本发明专利技术电致发光阳极，通过第一介质层/金属层/第二介质层结构，具有良好的透光效率；通过使用空穴注入性金属氧化物，使得阳极的空穴注入性能显著提升，实现了阳极在具有高导电、高透光性能的前提下，具有优异的空穴注入性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电
，尤其涉及。
技术介绍
OLED(电致发光器件)发光是目前常用的背光源。OLED按光的取出方式可分为底发射型和顶发射型，顶发射型有机电致发光器件的光是从顶端取出；0LED器件从制备的顺序分可以分为顺置型和倒置型。目前，倒置型OLED的阳极作为出光面，存在透光效率低、空穴注入效率低的技术问题
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种电致发光阳极，解决现有的电致发光阳极透光率低、空穴注入效率低的技术问题。以及电致发光器件和制备方法。本专利技术是这样实现的，一种电致发光阳极，包括相层叠的第一介质层、第二介质层以及位于该第一介质层、第二介质层之间的金属层，该第一介质层、第二介质层的材质为空穴注入性金属氧化物；该金属层的材质为透光性金属。以及；—种电致发光器件，包括相层叠的衬底、阴极、阳极以及该阴极、阳极之间的发光层，该阴极与该衬底相接触，该阳极为前面所述的电致发光阳极。本专利技术实施例进一步提供上述电致发光器件制备方法，包括如下步骤在衬底上通过溅射、蒸镀或旋涂，形成阴极；在该阴极上通过溅射、蒸镀或旋涂，形成发光层；在该发光层上将空穴注入性金属氧化物通过溅射、蒸镀或旋涂，形成第一介质层；在该第一介质层上通过溅射、蒸镀或旋涂，形成金属层；在该金属层上将空穴注入性金属氧化物通过溅射、蒸镀或旋涂，形成第二介质层，得到电致发光器件。本专利技术实施例电致发光阳极，通过第一介质层/金属层/第二介质层结构，具有良好的透光效率；通过使用空穴注入性金属氧化物，使得阳极的空穴注入性能显著提升，实现了阳极在具有高导电、高透光性能的前提下，具有优异的空穴注入性能；本专利技术实施例电致发光器件通过使用上述阳极，发光效率、透光效果显著提升，简化了器件的制备工艺，提高了器件的制备效率；通过将阴极设置于衬底之上，保证了衬底和阴极在器件发光过程中能够作为底面反射镜，提高器件的光取出效率。附图说明图I是本专利技术实施例电致发光阳极结构图；图2是本专利技术实施例电致发光器件结构图；图3是本专利技术实施例和对比例制备的电致发光器件能量效率和电流密度关系对比图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供一种电致发光阳极，包括相层叠的第一介质层、第二介质层以·及位于该第一介质层、第二介质层之间的金属层，该第一介质层、第二介质层的材质为空穴注入性金属氧化物；该金属层的材质为透光性金属。本专利技术实施例电致发光阳极的结构为介质/金属/介质结构(即D/M/D结构)，通过使用这种结构，使得电致发光阳极的透光性能显著提高，对提高电致发光器件的光取出效率具有积极意义；同时，通过该电致发光阳极中的金属层，实现了电致发光阳极的电导率显著提升，使器件的工作电压降低。具体地，请参阅图1，图I显示本专利技术实施例电致发光阳极的结构，该电致发光阳极I包括第一介质层11、第二介质层13,该第一介质层11和第二介质层13相层叠,在该第一介质层11和第二介质层13之间还包括金属层12。具体地，该第一介质层、第二介质层的材质为空穴注入性金属氧化物，该空穴注入性金属氧化物是指，具有空穴注入性能的金属氧化物，一般是半导体金属氧化物，例如，三氧化钥(MoO3)、VOx ((V2O5和VO3))、WOx (W2O5和TO3,优选TO3)，中一种或以上，该空穴注入性金属氧化物为上述多种时，各自的重量比例没有限制。通过在电致发光阳极中使用空穴注入性金属氧化物，使得阳极的空穴注入性能显著提升，实现了阳极在具有高导电、高透光性能的前提下，具有优异的空穴注入性能，该阳极用于电致发光器件后，使得器件发光效率、透光效果显著提升；同时，由于该阳极中具有空穴注入性金属，可有效地进行空穴注入，使得使用该阳极的电致发光器件不用另行制备空穴注入层，简化了制备工艺，提高了制备器件的效率；该第一介质层、第二介质层的厚度均为10-80纳米，优选为20纳米，具体没有限制。将第一介质层、第二介质层的厚度限定在上述范围之内，在保证该阳极的空穴注入性能的前提下，使得该阳极的透光性能最大化。具体地，该金属层的材质为透光性金属，该透光性金属是指具有高的光透过率的金属，例如，铝、银、钙、钼或金中的一种或以上，该透光性金属为上述多种时，各自的重量没有比例限制。该透光性金属具有优异的导电性和透光性能，既保证本专利技术实施例电致发光阳极的导电性能，又使得其具有良好的透光性能。该金属层的厚度为5-30纳米，优选为10纳米。本专利技术实施例进一步提供一种电致发光器件，包括相层叠的衬底、阴极、阳极以及该阴极、阳极之间的发光层，该阴极与该衬底相接触，该阳极为前面所述的电致发光阳极。具体地，请参阅图2，图2显示本专利技术实施例电致发光器件结构2，包括衬底21、阴极22、阳极24以及位于该阴极22和阳极24之间的发光层23。该衬底21、阴极22、发光层23及阳极24相层叠，该阴极22位于该衬底21上，相接触。本专利技术实施例电致发光器件，阴极位于衬底之上，属于倒置型电致发光器件；由于衬底与阴极的厚度远远大于阳极的厚度，因此本专利技术实施例电致发光器件属于顶发射型器件。具体地，本专利技术实施例电致发光器件中的阳极和前述的阳极相同，在此不重复阐述；该衬底为透明导电玻璃，例如ITO玻璃等。进一步，本专利技术实施例电致发光器件还包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴传输层及电子阻挡层一个或以上；结合图2，该空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的结构如下A、该空穴传输层及电子阻挡层位于阳极24与发光层23之间，顺序为阳极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层；如果没有空穴传输层或电子阻挡层中任意一个或以上，即在上述顺序的基础上删除，例如没有传输层，那么，顺序为阳极/电子阻挡层/发光层；B、该电子注入层、电子传输层及空穴阻挡层位于阴极22与发光层23之间，顺序为 发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极，如果没有上述电子注入层、电子传输层及空穴阻挡层，则在前述顺序的基础上删除，删除方法和前述A中相同，在此不重复阐述。本专利技术实施例电致发光器件中阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极通过使用如下材质，使用溅射、旋涂或蒸镀方法制备，具体没有限制；阴极的材质选自银(Ag)、招(Al)、镁银(Mg: Ag)合金或金(Au)。厚度为20-200nm，优选为Ag，厚度为150nm ；电子传输层与空穴阻挡层的材质选自2_(4-联苯基)-5_(4-叔丁基)苯基-I, 3,4-噁二唑(PBD)、8_ 羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(I-萘基)_1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。空穴阻挡层厚度为3-10nm，优选为TPBi，厚度为5nm，电子传输层厚度为40_80nm,优选为 Bphen,厚度为 60nm ；电子注入层的材质选自:Cs2C03、CsN3' LiF、CsF、CaF2' MgF2或者NaF。厚度为0.5-5nm，也可采用以上材料与电子传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电致发光阳极，包括相层叠的第一介质层、第二介质层以及位于所述第一介质层、第二介质层之间的金属层，所述第一介质层、第二介质层的材质为空穴注入性金属氧化物；所述金属层的材质为透光性金属。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光阳极，包括相层叠的第一介质层、第二介质层以及位于所述第一介质层、第二介质层之间的金属层，所述第一介质层、第二介质层的材质为空穴注入性金属氧化物；所述金属层的材质为透光性金属。2.如权利要求I所述的电致发光阳极，其特征在于，所述空穴注入性金属氧化物选自Mo03、VOx或冊，中的一种或以上。3.如权利要求I所述的电致发光阳极，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层的厚度为10-80纳米。4.如权利要求I所述的电致发光阳极，其特征在于，所述透光性金属选自铝、银、钙、钼或金中的一种或以上。5.如权利要求I所述的电致发光阳极，其特征在于，所述金属层的厚度为5-30纳米。6.一种电致发光器件，包括相层叠的衬底、阴极、阳极以及所述阴极、阳极之间的发光层，所述阴极与所述衬底相接触，所述阳极为权利要求1-5任一项所述的电致发光阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：