【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
石墨烯是一种具有二维平面结构的碳纳米材料,具有很多优良的性质,如好的透光性、好的导电性、高的机械强度、高的电子迁移率以及热导率(Science 2009,324,1530 ;Rev.Mod.Phys.2009,81,109.)。其在高频电子器件、光电子器件、柔性电子器件等领域有着广阔的应用前景(Nat. Nanotechnol. 2010,5,487 ;Nat. Photon. 2010,4,611.)。目前检测石墨烯质量的方法主要基于扫描电子显微镜、透射电子显微镜、扫描隧道显微镜、低能电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱仪、光学显微镜等(Nat. Mater. 2011,10,443 ;NanoLett. 2010,10,4128 ;ACS Nano, 2011,5,4014 ;Nano Lett. 2010,10,4890 ;Science,2004,306,666 ;Phys. Rev. Lett. 2006,97,187401 ;Appl. Phys. Lett. 2007,91,063124.),现有的这些检测设备较昂贵,操作 ...
【技术保护点】
一种检测石墨烯生长质量的方法,包括下述步骤:1)对生长有石墨烯的Cu基底进行处理,使其表面未被石墨烯覆盖的区域发生颜色变化;2)采用光学显微镜或者光学放大镜直接在步骤1)处理后的Cu基底上观察石墨烯;3)根据步骤2)的观察结果确定石墨烯的生长质量。
【技术特征摘要】
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